一种智能锁抗电磁干扰保护电路制造技术

技术编号:21145252 阅读:28 留言:0更新日期:2019-05-18 06:24
本实用新型专利技术公开了一种智能锁抗电磁干扰保护电路,包括感应线圈、延时控制电路以及开关电路,所述延时控制电路分别与感应线圈、开关电路电性连接以用于将感应线圈因电磁干扰而产生的电能进行延时处理后向开关电路控制信号以控制开关电路的导通或断开,所述开关电路还分别与外部电源输入端、外部智能锁控制电路电性连接,本实用新型专利技术提高了智能锁电路板的安全性以及抗干扰能力,保证电路板在稳定可靠前提下工作,对于外来干扰,特别是强电磁干扰进行有效的保护,该电路完全无源控制,当受到电磁干扰时自动获电进行工作,启动保护主电路板。

【技术实现步骤摘要】
一种智能锁抗电磁干扰保护电路
本技术涉及电子电路领域,特别是一种智能锁抗电磁干扰保护电路。
技术介绍
市场上目前主售的智能锁,电路板可靠性低,非常容易受到强电磁干扰后打开门锁或者损坏电路板。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本技术的目的是提供一种智能锁抗电磁干扰保护电路。本技术采用的技术方案是:一种智能锁抗电磁干扰保护电路,包括感应线圈、延时控制电路以及开关电路,所述延时控制电路分别与感应线圈、开关电路电性连接以用于将感应线圈因电磁干扰而产生的电能进行延时处理后向开关电路发送控制信号以控制开关电路的导通或断开,所述开关电路还分别与外部电源输入端、外部智能锁控制电路电性连接。作为本技术的进一步改进,所述延时控制电路包括二极管D1、电阻R3、电容C1以及MOS管Q3,二极管D1一端连接感应线圈、另一端与分别与电阻R3的一端、电容C1的一端电性连接,MOS管Q3的栅极与电阻R3的另一端电性连接、源级与电容C1的另一端电性连接、漏极与开关电路电性连接。作为本技术的进一步改进,所述开关电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R1以及电阻R2,所述电阻R1的一端分别与外部电源输入端、MOS管Q1的漏极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种智能锁抗电磁干扰保护电路,其特征在于:包括感应线圈、延时控制电路以及开关电路,所述延时控制电路分别与感应线圈、开关电路电性连接以用于将感应线圈因电磁干扰而产生的电能进行延时处理后向开关电路发送控制信号以控制开关电路的导通或断开,所述开关电路还分别与外部电源输入端、外部智能锁控制电路电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种智能锁抗电磁干扰保护电路,其特征在于:包括感应线圈、延时控制电路以及开关电路,所述延时控制电路分别与感应线圈、开关电路电性连接以用于将感应线圈因电磁干扰而产生的电能进行延时处理后向开关电路发送控制信号以控制开关电路的导通或断开,所述开关电路还分别与外部电源输入端、外部智能锁控制电路电性连接。2.根据权利要求1所述的一种智能锁抗电磁干扰保护电路,其特征在于:所述延时控制电路包括二极管D1、电阻R3、电容C1以及MOS管Q3,二极管D1一端连接感应线圈、另一端与分别与电阻R3的一端、电容C1的一端电性连接,MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟加杰郑书结
申请(专利权)人:中山市杨格锁业有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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