半导体激光器制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型专利技术提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。

semiconductor laser

【技术实现步骤摘要】
半导体激光器
本技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体激光器。
技术介绍
半导体激光器具有近红外高重复频率和峰值功率较高的特点，还具有体积小、耗能少和寿命长等优点，因此，被广泛应用于很多领域中。然而，半导体激光器在解理巴条、装巴镀膜的过程中，由于其解理面是非极性面，它是由一个阳离子和一个阴离子组成，即化合物半导体中最近邻的化学键是异性的，不像共用电子对的共价键，它更像离子键，占有电子多的那个原子显阴性。因此，III-V族化合物沿着解理面解理，少量的化学键会遭到破坏，这就不可避免的会增加表面态。当解理过程处于有氧环境时，腔面断键容易与空气中的氧结合，使解理面吸附大量氧原子。由于半导体激光器的腔面上具有很高的表面状态密度，腔表面氧化导致非辐射复合的途径增加，从而会产生大量的热。另外，由于半导体激光器的外延结构材料中含有Al元素，解理后腔面裸露表面易氧化，导致半导体激光器芯片的抗光学灾变的能力下降。因此，为了不影响半导体激光器的性能并保证其可靠性，在使用半导体激光器之前，需要对半导体激光器的腔面进行钝化形成钝化层。目前在对半导体激光器的腔面进行钝化时，常用的腔面钝化方法是在高真空环境下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括：外延片，所述外延片由下至上依次包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层、N‑AlGaAs波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层、P‑AlGaAs限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层；多个从P‑GaAs顶层刻蚀至GaAs衬底上表面的沟道，所述沟道的两侧及底面镀有SiO2钝化层；设置于P‑GaAs顶层上面的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上面的P电极层和制备于GaAs衬底背面的N电极层；蒸镀于外延片、P电极层和N电极层左右两侧的C‑N共注入钝化层，所述C‑N共注入钝化层为先用氮等离子体...

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括：外延片，所述外延片由下至上依次包括GaAs衬底、N-GaAs缓冲层、N-AlGaAs限制层、N-AlGaAs波导层、有源区层、P-AlGaAs波导层、P-AlGaAs限制层、P-GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层；多个从P-GaAs顶层刻蚀至GaAs衬底上表面的沟道，所述沟道的两侧及底面镀有SiO2钝化层；设置于P-GaAs顶层上面的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上面的P电极层和制备于GaAs衬底背面的N电极层；蒸镀于外延片、P电极层和N电极层左右两侧的C-N共注入钝化层，所述C-N共注入钝化层为先用氮等离子体轰击并注入外延片、P电极层和N电极层的左右两侧后，再继续用碳等离子体轰击并注入外延片、P电极层和N电极层的左右两侧而形成；蒸镀于C-N共注入钝化层外侧的SiO2薄膜和分别制备于SiO2薄膜两侧的高反膜和增透膜。2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：董海亮，米洪龙，许并社，梁建，贾志刚，关永莉，王琳，张乔，
申请(专利权)人：山西飞虹激光科技有限公司，太原理工大学，
类型：新型
国别省市：山西,14