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本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的S...
该专利属于山西飞虹激光科技有限公司;太原理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过山西飞虹激光科技有限公司;太原理工大学授权不得商用。

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