The invention provides an auxiliary agent for single crystal silicon inverted pyramid wool making and its application. The components of the auxiliary agent include polyaspartic acid, betaine, polyvinyl alcohol, gelatin, fluorocarbon surfactant and water. The auxiliary agent can be added with acid velvet-making liquid containing metal ions to assist the velvet-making liquid in making single crystal silicon wafers. It can control the direction and speed of digging and expanding holes in velvet-making, improve the defoaming effect and solution wettability, remove micro-structure, and obtain inverted pyramid velvet with good appearance, uniform structure and high cashmere yield.
【技术实现步骤摘要】
单晶硅片倒金字塔制绒用辅助剂及其应用
本专利技术涉及单晶硅片倒金字塔制绒用辅助剂及其应用。
技术介绍
金属辅助方法制绒作为解决金刚线硅片制绒困难的有效方法已经在多晶硅片上应用成熟,市场上有多家电池厂商采用此方法制备多晶黑硅。但是金属辅助方法用在单晶硅片上却效果不佳,采用金属辅助方法制绒的单晶硅片常存在气泡印、卡点印等外观不良,且制备的倒金字塔结构尺寸不一,出绒率低。而采用金属辅助方法制备的单晶硅片可以获得倒金字塔结构,与目前普遍采用的碱腐蚀法获得的正金字塔结构相比,具有反射率低,电池效率和CTM高的优点。因此,解决倒金字塔的结构和外观问题势在必行。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单晶硅片倒金字塔制绒用辅助剂及其应用,该辅助剂可加入含有金属离子的酸性制绒液,辅助制绒液对单晶硅片进行制绒;辅助剂可控制制绒时挖孔、扩孔的方向和速度,还可改善脱泡效果和溶液浸润性,去除微结构,从而获得外观良好、结构均一、出绒率高的倒金字塔绒面。为实现上述目的,本专利技术提供一种单晶硅片倒金字塔制绒用辅助剂,其各组分的质量百分含量为:聚天冬氨酸0.5%~1%,甜菜碱0.2%~0.5%,聚乙烯醇1%~3%,明胶1%~3%,氟碳表面活性剂0.2%~0.5%,余量为水。优选的,所述水为去离子水。本专利技术还提供一种单晶硅片倒金字塔制绒用制绒液,其含有:酸溶液,金属离子,以及上述辅助剂;所述金属离子为金、银、铜、铁、镍离子中的一种或几种。优选的,所述酸溶液中配入了5%~30%的HF水溶液和2%~20%的H2O2水溶液,HF水溶液中含有49%的HF,H2O2水溶液中含有30%的H2O2 ...
【技术保护点】
1.单晶硅片倒金字塔制绒用辅助剂,其特征在于,其各组分的质量百分含量为:聚天冬氨酸 0.5%~1%,甜菜碱 0.2%~0.5%,聚乙烯醇 1%~3%,明胶 1%~3%,氟碳表面活性剂 0.2%~0.5%,余量为水。
【技术特征摘要】
1.单晶硅片倒金字塔制绒用辅助剂,其特征在于,其各组分的质量百分含量为:聚天冬氨酸0.5%~1%,甜菜碱0.2%~0.5%,聚乙烯醇1%~3%,明胶1%~3%,氟碳表面活性剂0.2%~0.5%,余量为水。2.根据权利要求1所述的单晶硅片倒金字塔制绒用辅助剂,其特征在于,所述水为去离子水。3.单晶硅片倒金字塔制绒用制绒液,其特征在于,其含有:酸溶液,金属离子,以及权利要求1或2中的辅助剂;所述金属离子为金、银、铜、铁、镍离子中的一种或几种。4.根据权利要求3所述的单晶硅片倒金字塔制绒用制绒液,其特征在于,所述酸溶液中配入了5%~30%的HF水溶液和2%~20%的H2O2水溶液,HF水溶液中含有49%的HF,H2O2水溶液中含有30%的H2O2;其中,百分含量为质量百分含量。5.根据权利要求4所述的单晶硅片倒金字塔制绒用制绒液,其特征在于,所述金属离子与酸溶液的质量比为0.5~5:100。6.根据权利要求5所述的单...
【专利技术属性】
技术研发人员:章圆圆,裴银强,吕泳其,
申请(专利权)人:常州时创能源科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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