一种存储芯片测试电路装置以及系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种存储芯片测试电路装置和系统，电路装置包括：至少一个功能模块，设置于存储芯片内；信号倍频单元，设置于存储芯片内，信号倍频单元连接在功能模块和存储芯片的测试输入端之间，用于将测试设备发送的测试信号在存储芯片内部做倍频处理，以生成倍频信号输出至功能模块。各个功能模块接收了倍频信号，输出测试结果信号，根据测试结果信号判断此功能模块是否失效。无需测试设备提供倍频信号，有效降低测试成本。

A Memory Chip Test Circuit Device and System

【技术实现步骤摘要】
一种存储芯片测试电路装置以及系统
本技术涉及半导体集成电路
，具体涉及一种存储芯片测试电路装置以及系统。
技术介绍
随着半导体存储芯片内存越来越大，速度越来越快，存储芯片的时钟信号频率也越来越高。在生产出存储芯片之后，要对存储芯片中的各个功能模块进行测试，判断各个功能模块是否出现异常。目前，通常使用测试设备直接输出高频信号至存储芯片中进行测试，然而，这种测试方式需要测试设备输出的测试信号达到存储芯片所需要的信号频率，导致测试成本增加。
技术实现思路
本技术提供一种存储芯片测试电路装置以及系统，以克服或缓解
技术介绍
中存在的一个或者更多个问题，至少提供一种有益的选择。作为本技术的一个方面，提供了一种存储芯片测试电路装置，包括：至少一个功能模块，设置于存储芯片内；信号倍频单元，设置于所述存储芯片内，所述信号倍频单元连接在所述功能模块和所述存储芯片的测试输入端之间，用于将测试设备发送的测试信号在所述存储芯片内部做倍频处理，以生成倍频信号输出至所述功能模块。优选的，在上述存储芯片测试电路装置中，所述信号倍频单元包括移相器，所述移相器用于将所述测试设备发送的相位为0°的时脉信号转换为相位为90°的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储芯片测试电路装置，其特征在于，包括：至少一个功能模块，设置于存储芯片内；信号倍频单元，设置于所述存储芯片内，所述信号倍频单元连接在所述功能模块和所述存储芯片的测试输入端之间，用于将测试设备发送的测试信号在所述存储芯片内部做倍频处理，以生成倍频信号输出至所述功能模块。

【技术特征摘要】
1.一种存储芯片测试电路装置，其特征在于，包括：至少一个功能模块，设置于存储芯片内；信号倍频单元，设置于所述存储芯片内，所述信号倍频单元连接在所述功能模块和所述存储芯片的测试输入端之间，用于将测试设备发送的测试信号在所述存储芯片内部做倍频处理，以生成倍频信号输出至所述功能模块。2.如权利要求1所述的存储芯片测试电路装置，其特征在于，所述信号倍频单元包括移相器，所述移相器用于将所述测试设备发送的相位为0°的时脉信号转换为相位为90°的时脉信号；所述移相器包括移相输入端、第一输出端以及第二输出端，所述移相输入端用于连接所述测试设备，当所述移相输入端接收所述相位为0°的时脉信号，所述第一输出端输出所述相位为0°的时脉信号，同时所述第二输出端输出所述相位为90°的时脉信号。3.如权利要求2所述的存储芯片测试电路装置，其特征在于，所述信号倍频单元还包括异或门，所述异或门用于将所述相位为0°的时脉信号和所述相位为90...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34