一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺制造技术

本发明专利技术涉及晶硅太阳电池制造技术领域，为解决双面电池背面小白点比例高的问题，提供了一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，包括以下步骤：(1)上料；(2)进舟；(3)升温；(4)吹扫；(5)抽真空；(6)氧化；(7)回压冷却；(8)出舟；(9)下料。本发明专利技术通过工艺设计，高温吹扫烘烤与低压快速排空相结合，使双面电池背面小白点比例不良率由20％下降至1％以内，大幅提高了双面电池的良率，提高了双面电池的可靠性，在低压高温快速排空环境下，为进行氧化时使硅片表面提供了更高的洁净度，使生长的SiO2更致密、更均匀，表面复合更少，从而为硅片提供了优良的钝化层。

A Variable Temperature and Pressure Thermal Oxidation Process for Improving Small White Spots in Crystalline Silicon Double-sided Batteries

【技术实现步骤摘要】
一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺
本专利技术涉及晶硅太阳电池制造
，尤其涉及一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺。
技术介绍
光伏行业的核心是技术进步推动成本下降，而推动成本下降要素包括提升太阳电池转换效率、降低电池片不良率。在光伏行业太阳电池端，目前提升太阳电池转换效率最有效的措施都是利用良好的表面钝化技术来降低半导体的表面活性，使表面的复合速率降低，以此来降低少数载流子的表面复合速度。在当今，为了达到理想的钝化效果，光伏行业晶硅电池端均采用SiO2热氧化钝化方法来实现，是因为SiO2是由Si-O四面体组成，四面体的中心是硅原子，四个顶角上是氧原子，顶角上的四个氧原子刚好满足了硅原子的化合价，与Si表面具有良好的匹配性。SiO2热氧化钝化在晶硅电池生产流程中位于第4道工序：制绒→扩散→刻蚀→热氧化→ALD→正面镀膜→背面镀膜→激光开槽→背电极印刷→铝背场印刷→正电极印刷→烧结→光注入→测试分选。热氧化工艺生产步骤为：1)上料：将刻蚀完成后的硅片插入石英舟里，石英舟里每个卡齿插入2张硅片，硅片插入石英舟卡齿里时2张硅片刻蚀面背靠背贴在一起；2)进舟：将插本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)上料：将刻蚀完成后的硅片插入石英舟里；(2)进舟：将插入石英舟的硅片送入炉管；(3)升温：将炉管内温度升温至850～980℃，同时炉管内压力50～100mbar；(4)吹扫：通入氮气，氮气流量为5～10slm，炉管内压力100～300mbar；(5)抽真空：炉管内压力20～50mbar；(6)氧化：降低温度至700～800℃，同时通入氮气2～4slm和氧气1～3slm进行氧化，炉管内压力100～400mbar；(7)回压冷却：继续降温至600～650℃，通入氮气，炉管内压力1050～1060mbar；(8)出舟...

【技术特征摘要】
1.一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)上料：将刻蚀完成后的硅片插入石英舟里；(2)进舟：将插入石英舟的硅片送入炉管；(3)升温：将炉管内温度升温至850～980℃，同时炉管内压力50～100mbar；(4)吹扫：通入氮气，氮气流量为5～10slm，炉管内压力100～300mbar；(5)抽真空：炉管内压力20～50mbar；(6)氧化：降低温度至700～800℃，同时通入氮气2～4slm和氧气1～3slm进行氧化，炉管内压力100～400mbar；(7)回压冷却：继续降温至600～650℃，通入氮气，炉管内压力1050～1060mbar；(8)出舟：氧化完成后将石英舟从炉管里取出；(9)下料：将石英舟的硅片进行卸片，即完成变温变压热氧化工艺。2.根据权利要求1所述的一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述石英舟内设有若干卡齿，所述卡齿内插入偶数张硅片...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎剑骑，孙涌涛，王富强，楼城侃，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33