一种阵列基板及其制造方法和显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板。所述阵列基板包括：衬底，设置在所述衬底表面的栅极电极层，设置在所述栅极电极层表面的栅极绝缘层，设置在所述栅极绝缘层表面的有源层，设置在所述有源层表面的欧姆接触层；所述有源层包括至少两层密度不同的子有源层，所述子有源层采用上下堆叠的方式排列。通过将有源层分层，使有源层整体加工时间比采用单层结构的有源层的加工时间短，节省了有源层整体制程时间。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制造方法和显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和显示面板。
技术介绍
作为液晶显示面板，具有以下结构：包括隔开微小的间隔相对配设的阵列基板和彩色滤光片，并在它们之间填充有液晶。在阵列基板的一侧表面上，以按照规定的顺序叠层的方式形成有规定图案的导体层、有源层、欧姆接触层、非晶硅、绝缘层等薄膜层。由这些导体层、半导体层、绝缘层等形成用于向像素电极施加电压的薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)。另外，向该薄膜晶体管的栅极电极传送扫描信号的扫描信号线(栅极信号线)、向源极电极传送数据信号的数据信号线(源极信号线)等由导体层形成，并且被绝缘层相互绝缘。欧姆接触层在蚀刻时容易有残留，通常会增加蚀刻时间以保证欧姆接触层蚀刻干净，这样会增加阵列基板整体制程时间，可以通过减少阵列基板其它制程时间来平衡阵列基板的整体制程时间。在阵列基板中，由于有源层需要保持主动开关的特性，因此有源层的制程时间过长，影响阵列基板整体制程时间。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制造方法和显示面板，以解决有源层制程时间过长的问题。本专利技术公开了一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底，设置在所述衬底表面的栅极电极层，设置在所述栅极电极层表面的栅极绝缘层，设置在所述栅极绝缘层表面的有源层，设置在所述有源层表面的欧姆接触层；其中，所述有源层包括至少两层密度不同的子有源层，所述子有源层采用上下堆叠的方式排列。可选的，所述有源层包括：设置在所述栅极绝缘层表面的第一子有源层，设置在所述第一子有源层表面的第二子有源层，设置在所述第二子有源层表面的第三子有源层。可选的，所述第一子有源层的密度大于所述第二子有源层的密度和所述第三子有源层的密度。可选的，所述第二子有源层的密度大于所述第三子有源层的密度。可选的，所述第一子有源层、所述第二子有源层和所述第三子有源层的厚度相等。本专利技术还公开了一种阵列基板的制造方法，包括步骤：形成衬底；在所述衬底上形成栅极电极层；在所述栅极电极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有源层；以及在所述有源层上形成欧姆接触层；其中，所述有源层包括至少两层密度不同的子有源层，所述子有源层采用上下堆叠的方式排列。可选的，所述在栅极绝缘层上形成有源层的步骤中，包括步骤：在所述栅极绝缘层上形成第一子有源层；在所述第一子有源层上形成第二子有源层；以及在所述第二子有源层上形成第三子有源层；其中，所述在栅极绝缘层上形成第一子有源层的步骤中，所述第一子有源层是通过化学气相沉积方法形成，且所述第一子有源层的沉积时间在60秒至70秒之间。可选的，所述在第一子有源层上形成第二子有源层的步骤中，所述第二子有源层是通过化学气相沉积方法形成，且所述第二子有源层的沉积时间在40秒至50秒之间。可选的，所述在第二子有源层上形成第三子有源层的步骤中，所述第三子有源层是通过化学气相沉积方法形成，且所述第三子有源层的沉积时间在30秒至40秒之间。本专利技术还公开了一种显示面板，所述显示面板包括上述阵列基板。相对于有源层只有一层的方案来说，本申请将有源层分成多层上下堆叠的结构，由于有源层贴在所述栅极绝缘层的表面，且带有导电作用，为了保持主动开关的特性，有源层在制程过程中的形成时间会比较长；如果有源层采用单层结构，那么有源层的整体结构比较均匀，在成型时有源层整体都要保持主动开关的特性，提高制造难度，这无疑使有源层的成型时间延长；本申请将有源层进行分层，使有源层通过多道工序形成，但是除了最下方的子有源层需要保持主动开关的特性需要较长时间成型外，其它的子有源层可以随意铺设在最下层的子有源层上，只需较短的时间，采用分层结构的有源层整体加工时间比采用单层结构的有源层的加工时间短；另外由于位于最下层的子有源层因为镀膜时间较长，导致其膜质更好，导通能力更佳，即使当增加蚀刻时间导致有源层中位于上方的子有源层蚀刻干净也不会影响有源层的导通效果。附图说明所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是一种示例性的阵列基板蚀刻后的示意图；图2是一种示例性的增加蚀刻时间后阵列基板蚀刻后的示意图；图3是一种示例性的阵列基板的示意图；图4是本专利技术的一实施例的一种阵列基板部分结构的示意图；图5是本专利技术的另一实施例的一种阵列基板部分结构的示意图；图6是本专利技术的另一实施例的一种阵列基板部分结构的示意图；图7是本专利技术的另一实施例的一种阵列基板部分结构的示意图；图8是本专利技术一实施例的一种阵列基板制造方法的流程图；图9是本专利技术另一实施例的一种阵列基板制造方法的流程图；图10是本专利技术的另一实施例的一种显示面板的示意图。其中，100、显示面板；200阵列基板；210、衬底；220、栅极电极层；230、栅极绝缘层；240、有源层；250、欧姆接触层；260、源漏电极层；241、第一子有源层；242、第二子有源层；243、第三子有源层；244、第四子有源层；245、第五子有源层。具体实施方式需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。如图1所示，这是一种阵列基板200中位于有源层240和源漏电极层260之间的欧姆接触层250在进行一般蚀刻后的示意图，其中N表示欧姆接触层250残留物；如图2所示，在增加欧姆接触层250的蚀刻时间后，残留物会蚀刻干净，而且会将栅极绝缘层230蚀刻一部分，形成阶梯状的图案，其中虚线表示栅极绝缘层230未被蚀刻时的状态，实线表示栅极绝缘层230蚀刻后的状态；通过这阶梯状的图案可以判断增加了蚀刻时间的程度，判断欧姆接触层250中的残留物是否被蚀刻干净。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底；栅极电极层，设置在所述衬底的表面；栅极绝缘层，设置在所述栅极电极层的表面；有源层，设置在所述栅极绝缘层的表面；以及欧姆接触层，设置在所述有源层的表面；其中，所述有源层包括至少两层密度不同的子有源层，所述子有源层采用上下堆叠的方式排列。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底；栅极电极层，设置在所述衬底的表面；栅极绝缘层，设置在所述栅极电极层的表面；有源层，设置在所述栅极绝缘层的表面；以及欧姆接触层，设置在所述有源层的表面；其中，所述有源层包括至少两层密度不同的子有源层，所述子有源层采用上下堆叠的方式排列。2.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述有源层包括：第一子有源层，设置在所述栅极绝缘层的表面；第二子有源层，设置在所述第一子有源层的表面；以及第三子有缘层，设置在所述第二子有源层的表面。3.如权利要求2所述的一种阵列基板，其特征在于，所述第一子有源层的密度大于所述第二子有源层的密度和所述第三子有源层的密度。4.如权利要求3所述的一种阵列基板，其特征在于，所述第二子有源层的密度大于所述第三子有源层的密度。5.如权利要求2所述的一种阵列基板，其特征在于，所述第一子有源层、所述第二子有源层和所述第三子有源层的厚度相等。6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：形成衬底；在所述衬底上形成栅极电极层；在所述栅极电极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44