包括两步包封的制造电子器件的方法和相关器件技术

本公开涉及包括两步包封的制造电子器件的方法和相关器件。例如，一种制造电子器件的方法可以包括将集成电路(IC)裸片定位于格栅阵列衬底的上表面上并且用多条键合接线将该IC裸片的多个对应的键合焊盘耦接至该格栅阵列，该格栅阵列衬底在其下表面上具有多个连接。该方法还可以包括在该IC裸片和这些键合接线之上形成第一包封层并且在形成该第一包封层之后将散热器定位在该衬底上在该第一包封层上方。该方法可以进一步包括在该第一包封层之上形成第二包封层并且将该散热器嵌入在该第二包封层中。

A method for manufacturing electronic devices including two-step encapsulation and related devices

【技术实现步骤摘要】
包括两步包封的制造电子器件的方法和相关器件本申请是申请日为2015年09月29日、申请号为201510634614.X、专利技术名称为“包括两步包封的制造电子器件的方法和相关器件”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及电子器件，并且更具体地涉及制造包括集成电路的电子器件的方法以及相关器件。
技术介绍
随着电子器件变得相对较小，封装可能变得让人特别感兴趣。例如，低k夹层电介质(ILD)材料可以用于代替例如SiO2ILD以减小互连延迟。将低KILD材料引入到硅中可能对高接线密度封装施加新的挑战。具体地，低k互连中固有的弱粘合使得硅更易发生通常可以称为ILD开裂或分层的故障。ILD开裂或分层引起电子器件的故障，例如，故障经常发生在温度循环试验期间。由特伦(Tran)等人在EPTC2010中发表的题为“带有温度增强的球栅阵列(TE-PBGA)的低k硅中的封装挑战(PackagingChallengesinLow-kSiliconwithThermallyEnhancedBallGridArray(TE-PBGA))”的技术论文突出强调了低KILD材料的问题。如在特伦等人的技术论文本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造电子器件的方法，所述方法包括：将集成电路(IC)裸片定位在格栅阵列衬底的上表面上，所述格栅阵列衬底在其下表面上具有多个连接；用键合接线将所述IC裸片的相应的键合焊盘耦接至所述格栅阵列衬底；在所述IC裸片和所述键合接线之上形成第一包封层；在形成所述第一包封层之后将散热器定位在所述衬底上，位于所述第一包封层上方；以及在所述第一包封层之上形成第二包封层并且将所述散热器嵌入在所述第二包封层中。

【技术特征摘要】
2014.12.30 US 14/585,5661.一种制造电子器件的方法，所述方法包括：将集成电路(IC)裸片定位在格栅阵列衬底的上表面上，所述格栅阵列衬底在其下表面上具有多个连接；用键合接线将所述IC裸片的相应的键合焊盘耦接至所述格栅阵列衬底；在所述IC裸片和所述键合接线之上形成第一包封层；在形成所述第一包封层之后将散热器定位在所述衬底上，位于所述第一包封层上方；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：KY·吴，Y·马，张学仁，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡,SG