【技术实现步骤摘要】
一种系统级封装芯片的结温预测方法
本专利技术涉及半导体测试
,特别涉及一种系统级封装芯片的结温预测方法。
技术介绍
半导体行业正在朝着高集成度、小尺寸飞速发展,具有大规模、多芯片、三维立体封装等优势的的系统级封装(SiP,SysteminPackage)受到越来越多的关注。SiP系统级封装,是指在一个封装体中集成一个系统。通常,这个系统需要封装多个子芯片并能够独立完成特定的任务,如集成了中央处理器(CPU,CentralProcessingUnit)、动态随机存取存储器(DRAM,DynamicRandomAccessMemory)、快闪存储器(Flash)等多个子芯片的SiP系统级封装,SiP以其尺寸小、时间快、成本低等显著优势迅速成长为主流封装技术,为了保证器件正常工作,每个子芯片都有最大允许结温,如何对每个子芯片进行准确的结温预测是至关重要的。现有技术中采用的结温预测方法多采用平均热阻来进行,未考虑SiP系统级封装中每个子芯片的功率分配和变化,对于功率差异较大的SiP系统级封装中结温较大的子芯片,出现严重低估的情况,这无疑会带来严重的危害。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种系统级封装芯片的结温预测方法,其特征在于,包括以下步骤:对所述系统级封装芯片的设计方案建立有限元分析模型;搭建热阻测试环境;对所述系统级封装芯片中的每个子芯片单独施加第一功耗,并在第一设定温度环境中仿真获知每个所述子芯片位置的温度,获得温升矩阵;根据所述温升矩阵获得所述第一设定温度环境的热阻矩阵,所述热阻矩阵包括每个所述子芯片的自身热阻和每个所述子芯片之间的耦合热阻;在实际工况环境温度中,根据所述热阻矩阵和第二功耗通过计算获得每个所述子芯片同时工作时的理论结温。
【技术特征摘要】
1.一种系统级封装芯片的结温预测方法,其特征在于,包括以下步骤:对所述系统级封装芯片的设计方案建立有限元分析模型;搭建热阻测试环境;对所述系统级封装芯片中的每个子芯片单独施加第一功耗,并在第一设定温度环境中仿真获知每个所述子芯片位置的温度,获得温升矩阵;根据所述温升矩阵获得所述第一设定温度环境的热阻矩阵,所述热阻矩阵包括每个所述子芯片的自身热阻和每个所述子芯片之间的耦合热阻;在实际工况环境温度中,根据所述热阻矩阵和第二功耗通过计算获得每个所述子芯片同时工作时的理论结温。2.根据权利要求1所述的结温预测方法,其特征在于,还包括:在获得每个所述子芯片同时工作时的理论结温后,验证所述理论结温的准确性。3.根据权利要求2所述的结温预测方法,其特征在于,所述验证所述理论结温的准确性包括通过模拟仿真获得实际仿真结温,并与所述理论结温对比,得到两种结果之间的偏差。4.根据权利要求3所述的结温预测方法,其特征在于,所述偏差采用(理论...
【专利技术属性】
技术研发人员:李亚妮,刘群,刘鸿瑾,李超,张建锋,王智源,
申请(专利权)人:北京轩宇空间科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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