一种单、多晶硅料的筛选检测方法技术

本发明专利技术涉及一种单、多晶硅料的筛选检测方法。该方法包括下列步骤：步骤一：原生多晶硅来料核对，步骤二：人工粗检原料，步骤三：原料细检，步骤四：原料电阻率细检，步骤五：原料杂质精检，步骤六：原料碳氧浓度检测，步骤七：原料少子寿命检测，步骤八：原料基本金属杂质含量检测，步骤九：打包入库，根据上述记录数据。该方法科学严谨，逻辑性强，检测全面，能够筛选出高质量的硅料。

【技术实现步骤摘要】
一种单、多晶硅料的筛选检测方法
本专利技术涉及硅料质量检测
，尤其涉及一种单、多晶硅料的筛选检测方法。
技术介绍
现有的中国专利数据库中公开了一种多晶硅锭的质量判定方法的专利，其专利申请号为201510293032.X，专利申请日为2015.06.01，授权公告号CN104866975B，授权公告日为2018.04.24，其结构包括以下操作步骤：(1)将多晶硅锭开方加工成含多晶硅锭的中部、边部和角部不同分区的多晶硅块；(2)采用微波光电导衰减少子寿命扫描仪对步骤(1)的多晶硅块进行表面扫描检测；(3)采集、处理步骤(2)扫描检测所得数据，计算得到硅块少子寿命因子、硅块少子寿命标准差因子、硅块较低少子寿命比例因子和硅块底部较低少子寿命的比例因子；(4)将步骤(3)得到的各数据因子带入如下计算公式，计算质量分数：F(X)＝X1×18％+X2×20％+X3×40％+X4×22％式中：X1为硅块少子寿命因子；X2为硅块少子寿命标准差因子；X3为硅块较低少子寿命比例因子；X4为底部较低少子寿命比例因子；(5)考虑硅锭边缘杂质区域的影响，用步骤(4)计算得出的硅块质量分数F(X)乘以硅块所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单、多晶硅料的筛选检测方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤一：原生多晶硅来料核对，操作人员核对原料外包装上的生产厂家、批号、规格、数量，查看包装是否完好，有无变形，聚乙烯包装袋有无破损，原料有无外来污染，如果原料不合格，直接退回，反之进入步骤二；步骤二：人工粗检原料，操作人员逐一拆开原料外包装，查看原料的结构以及表面，确保表面色泽正常、无毛刺、无氧化夹芯、无熔芯现象，碳头料无石墨残留、无金属以及无磁性物质，块状多晶硅线性尺寸为6mm‑100mm，块状多晶硅的尺寸分布范围为：(a)线性尺寸为6mm‑25mm的块状多晶硅有0‑15重量份，(b)线性尺寸为25mm‑50mm的块状多晶硅有15...

【技术特征摘要】
1.一种单、多晶硅料的筛选检测方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤一：原生多晶硅来料核对，操作人员核对原料外包装上的生产厂家、批号、规格、数量，查看包装是否完好，有无变形，聚乙烯包装袋有无破损，原料有无外来污染，如果原料不合格，直接退回，反之进入步骤二；步骤二：人工粗检原料，操作人员逐一拆开原料外包装，查看原料的结构以及表面，确保表面色泽正常、无毛刺、无氧化夹芯、无熔芯现象，碳头料无石墨残留、无金属以及无磁性物质，块状多晶硅线性尺寸为6mm-100mm，块状多晶硅的尺寸分布范围为：(a)线性尺寸为6mm-25mm的块状多晶硅有0-15重量份，(b)线性尺寸为25mm-50mm的块状多晶硅有15-35重量份，(c)线性尺寸为50mm-100mm的块状多晶硅有65-100重量份；步骤三：原料细检，操作人员使用红外线探伤仪一一检测步骤二中的原料，查看原料内部是否有裂缝、杂质、黑点、阴影、微晶，将各原料在红外探伤仪上扫描的结果记录在册，分开储存，留以待用；步骤四：原料电阻率细检，将步骤三中的原料依次放在电阻类型测量仪上，使用电阻类型测量仪对各原料边缘4mm处进行测量，根据电阻类型测量仪的数据，统计出P型原料或N型原料并记录在册，分开储存，留以待用，N型原料基磷电阻率p为30Ω.cm-5...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘爱军，陈永庆，
申请(专利权)人：江苏金晖光伏有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32