The invention provides a method for improving the accuracy of resistivity control of single crystal silicon, dividing the resistivity of recycled materials, determining the fluctuation range of alloy sheet parameters, calculating residual resistivity, and configuring alloys to control the accuracy of target resistivity. The invention has the beneficial effect of improving the accuracy of resistivity control, improving product quality, matching customer needs, improving the conversion efficiency of client battery, reducing the rate of poor resistivity and improving qualified output.
【技术实现步骤摘要】
一种提高单晶硅电阻率控制精度的方法
本专利技术属于单晶硅生产
，尤其是涉及一种提高单晶硅电阻率控制精度的方法。
技术介绍
随着光伏行业的快速发展，单晶硅片电池片的各项参数水平均在不断提高，对原材料的参数要求也越来越高。对于单晶硅而言，电阻率是一项非常重要的参数指标，过高或者过低的电阻率对电池片转换效率的影响非常明显，因此稳定的电阻率更有助于提高电池片的转换效率，目前单晶相同位置电阻率波动较大，产品性能不稳定，没有可行手段来提高电阻率控制精度。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术要解决的问题是提供一种提高单晶硅电阻率控制精度的方法，尤其适合直拉单晶过程中使用，提高直拉单晶过程中电阻率的控制精度，提高产品品质。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种提高单晶硅电阻率控制精度的方法，包括以下步骤，对回收料电阻率进行分档；确定合金片参数的波动范围；计算剩料电阻率；配置合金，控制目标电阻率精度。回收料电阻率的分档数为4-7。合金片参数的波动范围为-0.5～0.5。配置合金时，进行多次称重。目标电阻率精度位数为3-5位。配置合金包括取段复投合金的配置，取段复...
【技术保护点】
1.一种提高单晶硅电阻率控制精度的方法，其特征在于：包括以下步骤，对回收料电阻率进行分档；确定合金片参数的波动范围；计算剩料电阻率；配置合金，控制目标电阻率精度。
【技术特征摘要】
1.一种提高单晶硅电阻率控制精度的方法，其特征在于：包括以下步骤，对回收料电阻率进行分档；确定合金片参数的波动范围；计算剩料电阻率；配置合金，控制目标电阻率精度。2.根据权利要求1所述的提高单晶硅电阻率控制精度的方法，其特征在于：所述回收料电阻率的分档数为4-7。3.根据权利要求1或2所述的提高单晶硅电阻率控制精度的方法，其特征在于：所述合金片参数的波动范围为-0.5～0.5。4.根据权利要求3所述的提高单晶硅电阻率控制精度的方法，其特征在于：所述配置合金时，进行多次称重。5.根据权利要求1或2或4所述的提高单晶硅电阻率控制精度的方法，其特征在于：所述目标电阻率精度位数为3-5位。6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：高鹏，王建平，郝勇，赵存凤，郭志荣，武皓洋，王林，徐强，谷守伟，
申请(专利权)人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古,15
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。