The preparation of an ultraviolet antireflective film on the surface of an anisotropic crystal is proposed. According to the anisotropic characteristics of the crystal, the structure of the film system and the plating process parameters are optimized to effectively solve the problems of surface filamentation, poor finish and low damage threshold, which are easily caused by the coating of an anisotropic crystal antireflective film.
【技术实现步骤摘要】
一种各向异性晶体紫外增透膜的制备
本专利技术涉及激光器件镀膜领域，具体是指一种晶体表面增透膜的制备。
技术介绍
激光得益于其良好的单色性、相干性、方向性和高能量密度的特点，在产业及科研的多个领域得到广泛应用，以精密激光加工等为代表的先进加工技术成为现代制造工业的前沿技术。紫外激光微加工技术是一种可持续发展的绿色技术，代表先进工业加工技术的发展方向。紫外激光加工具有穿透深度、极高的可聚焦密度，其表现出不伤基底的“高度局域化”加工特性。激光加工精度越高对晶体紫外增透膜要求越高。
技术实现思路
本专利技术所提出一种各向异性晶体表面紫外增透膜的制备，针对晶体的各向异性特点，优选膜系结构和镀制工艺参数。经过实验对比，Al2O3作为打底层，与基底结合力好，制备的膜层牢固度好。Al2O3和MgF2两种膜料组合可以获得光谱性能理想的增透膜，但是该膜系需要高温镀制，镀后表面出丝严重，不能采用。经过大量实验验证，最终选定Al2O3、HfO2和SiO2三种膜料的组合，膜系结构为：S/0.3M/0.36H/0.7M/0.7L/A，其中S代表基底材料，A代表空气，M代表1/4基频波长厚度的Al2O3，H代表1/4基频波长厚度的HfO2，L代表1/4基频波长厚度的SiO2。本专利技术所提供的制备工艺，镀膜设备采用莱宝SYRUSPRO1100镀膜机，在真空环境中将基片表面加热至150℃后缓慢退火，本底真空抽至1.0x10-6mbar以上；镀制前用低能量的离子源刻蚀40min，镀制过程温度恒定80℃，用低能量离子源辅助沉积，并辅助充入一定量的高纯氧气；镀后真空室内缓慢退火至55℃以下充气，充...
【技术保护点】
1.一种各向异性晶体紫外增透膜的制备，其特征在于：膜系采用Al2O3，HfO2和SiO2三种膜料的组合，膜系结构为S /0.3M/0.36H/0.7M/0.7L/A，其中S代表基底材料，A代表空气，M代表1/4基频波长厚度的Al2O3，H代表1/4基频波长厚度的HfO2，L代表1/4基频波长厚度的SiO2，镀膜设备采用莱宝SYRUSPRO1100镀膜机，在真空环境中将基片表面加热至150℃后缓慢退火，本底真空抽至1.0x10
【技术特征摘要】
1.一种各向异性晶体紫外增透膜的制备，其特征在于：膜系采用Al2O3，HfO2和SiO2三种膜料的组合，膜系结构为S/0.3M/0.36H/0.7M/0.7L/A，其中S代表基底材料，A代表空气，M代表1/4基频波长厚度的Al2O3，H代表1/4基频波长厚度的HfO2，L代表1/4基频波长厚度的SiO2，镀膜设备...
【专利技术属性】
技术研发人员：王昌运，吴先云，陈伟，张星，陈秋华，谢发利，
申请(专利权)人：福建福晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35
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