主动开关及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本申请涉及一种主动开关的制作方法，该方法包括：提供一基板，并在所述基板上形成栅极；在所述栅极上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括依次叠设的第一子栅极绝缘层、第二子栅极绝缘层及第三子栅极绝缘层，采用第一速率沉积所述第一子栅极绝缘层，采用第二速率沉积第二子栅极绝缘层，采用第三速率沉积第三子栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极；其中，采用两次湿法刻蚀工艺和两次干法刻蚀工艺形成所述有源层、复合掺杂层、源漏极以及一沟道区。本申请可有效降低主动开关器件的光漏电流，改善IS现象。本申请还提供一种主动开关和显示装置。

【技术实现步骤摘要】
主动开关及其制作方法、显示装置
本申请涉及显示
，特别是涉及一种主动开关及其制作方法、显示装置。
技术介绍
作为对显示面板的工作性能具有十分重要作用的薄膜晶体管，是显示技术中一个非要重要的关键器件。随着显示技术的迭代发展，更高性能、高画质以及大尺寸的显示装置成为发展趋势，也是直接影响用户观看体验和购物体验的因素。以高性能来说，想要显示装置具有更高的性能，从其中一个方面就要求显示装置中具备高性能的薄膜晶体管器件。而通常的非晶硅薄膜晶体管制程中，都是采用BCE(BackChannelEtching，背沟道蚀刻)型结构，这种结构的成本相对低廉并且相对于ES(Etchingstop，蚀刻阻挡层)型结构的工艺来说更加简单。但是采用BCE型结构进行背沟道蚀刻(N+cutting)时，有源层(半导体层)通常被破坏而产生较多悬挂键(DanglingBond)与弱键(WeakBond)，弱键容易在光照下分解,悬空键可能引起薄膜晶体管的不稳定性，造成薄膜晶体管的漏电流增大，进而引起显示装置在信赖性测试的时候出现IS(imagesticking，残影)现象。
技术实现思路
基于此，有必要针对采用BCE型结构制成的薄膜晶体管漏电流较大，进而引起显示装置在信赖性测试的时候出现IS现象的问题，提供一种主动开关及其制作方法、显示装置。一种主动开关的制作方法，所述主动开关的制作方法包括：提供一基板，并在所述基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极；在所述基板上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括依次叠设的第一子栅极绝缘层、第二子栅极绝缘层及第三子栅极绝缘层，采用第一速率沉积所述第一子栅极绝缘层，采用第二速率沉积第二子栅极绝缘层，采用第三速率沉积第三子栅极绝缘层，所述第一速率、第二速率及第三速率的数值依次递减；在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极；其中，采用两次湿法刻蚀工艺和两次干法刻蚀工艺形成所述有源层、复合掺杂层、源漏极以及一沟道区，所述沟道区贯穿所述复合掺杂层、并部分贯穿至所述有源层。在其中一个实施例中，所述复合掺杂层包括依次层叠的第一N型轻掺杂非晶硅层、第二N型轻掺杂非晶硅层、第一N型重掺杂非晶硅层及第二N型重掺杂非晶硅层，所述第一N型轻掺杂非晶硅层、第二N型轻掺杂非晶硅层、第一N型重掺杂非晶硅层及第二N型重掺杂非晶硅层的离子掺杂浓度依次递增。在其中一个实施例中，所述复合掺杂层的厚度范围为300埃-600埃；其中，所述第一N型轻掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃，所述第二N型轻掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃，所述第一N型重掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃，所述第二N型重掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃。在其中一个实施例中，所述在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极的步骤，包括：在所述栅极绝缘层上依次沉积有源膜层、复合掺杂膜层和第二金属层；在所述第二金属层上涂布一层光刻胶，并对所述光刻胶进行图案化处理；采用第一次湿法刻蚀工艺对所述第二金属层进行刻蚀以形成第二子金属层；采用第一次干法刻蚀工艺对所述有源膜层和复合掺杂膜层进行刻蚀以形成有源层和复合掺杂层、同时对所述光刻胶进行灰化；采用第二次湿法刻蚀工艺对所述第二子金属层进行刻蚀以形成源漏极；采用第二次干法刻蚀工艺对所述有源层和复合掺杂层进行刻蚀以形成沟道区，所述沟道区贯穿所述复合掺杂层、并部分贯穿至所述有源层。在其中一个实施例中，所述栅极绝缘层的厚度范围为2500埃-5000埃，所述第一子栅极绝缘层的厚度范围为0埃-2000埃，所述第二子栅极绝缘层的厚度范围为1000埃-3000埃，所述第三子栅极绝缘层的厚度范围为1000埃-2000埃。一种主动开关，使用前述所述的主动开关的制作方法进行制造，所述主动开关包括：基板；栅极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成所述基板上，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括依次叠设的第一子栅极绝缘层、第二子栅极绝缘层及第三子栅极绝缘层；有源层，形成于所述栅极绝缘层上；复合掺杂层，形成于所述有源层上；及形成于所述复合掺杂层上的源极与漏极；其中，一沟道区位于所述复合掺杂层的中部，所述沟道区贯穿所述复合掺杂层、并部分贯穿至所述有源层，所述源极与漏极位于所述沟道区的两侧。在其中一个实施例中，所述栅极、源极及漏极的材料包括钼、钛、铝、铜中的至少一种。在其中一个实施例中，所述栅极的厚度范围为3000埃-5000埃。在其中一个实施例中，所述栅极绝缘层的材料为氮化硅和/或氧化硅。一种显示装置，包括如前述所述的主动开关。上述主动开关的制作方法，通过采用两次湿法刻蚀工艺和两次干法刻蚀工艺形成主动开关器件，可缩短开关器件的制程时间，并且成本相对低廉。此外，通过采用第一速率沉积第一子栅极绝缘层，在第一子栅极绝缘层上采用第二速率沉积第二子栅极绝缘层，在第二子栅极绝缘层上采用第三速率沉积第三子栅极绝缘层，同时第一速率、第二速率及第三速率的数值依次递减；也就是说通过改变栅极绝缘层中各子栅极绝缘层的沉积速率、沉积厚度来使栅极绝缘层的厚度和性质发生改变，可降低BCE型开关器件中背沟道的漏电流，进而改善在显示装置的信赖性测试中出现IS的现象。附图说明图1为一实施例中的主动开关的制作方法流程示意图；图2为一实施例中的主动开关的结构示意图；图3为另一实施例中的主动开关的结构示意图；图4为图1中根据步骤S100形成的部分结构示意图；图5为图1中根据步骤S200形成的部分结构示意图；图6为图1中根据步骤S300形成的部分结构示意图；图7为图1中根据步骤S300形成的部分结构示意图；图8为图1中根据步骤S300形成的部分结构示意图；图9为图1中根据步骤S300形成的部分结构示意图；图10为再一实施例中的主动开关的结构示意图。具体实施方式为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的可选实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。请参阅图1，为一实施例中的主动开关的制作方法流程示意图。该主动开关的制作方法可以包括步骤：S100-S300。步骤S100，提供一基板，并在所述基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极。具体地，请辅助参阅图4，基板10可以是玻璃基板或塑料基板，其中，玻璃基板可以为无碱硼硅酸盐超薄玻璃，无碱硼硅酸盐玻璃具有较高的物理特性、较好的耐腐蚀性能、较高的热稳定性以及较低的密度和较高的弹性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种主动开关的制作方法，其特征在于，所述主动开关的制作方法包括：提供一基板，并在所述基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极；在所述基板上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括依次叠设的第一子栅极绝缘层、第二子栅极绝缘层及第三子栅极绝缘层，采用第一速率沉积所述第一子栅极绝缘层，采用第二速率沉积第二子栅极绝缘层，采用第三速率沉积第三子栅极绝缘层，所述第一速率、第二速率及第三速率的数值依次递减；在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极；其中，采用两次湿法刻蚀工艺和两次干法刻蚀工艺形成所述有源层、复合掺杂层、源漏极以及一沟道区，所述沟道区贯穿所述复合掺杂层、并部分贯穿至所述有源层。

【技术特征摘要】
1.一种主动开关的制作方法，其特征在于，所述主动开关的制作方法包括：提供一基板，并在所述基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极；在所述基板上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括依次叠设的第一子栅极绝缘层、第二子栅极绝缘层及第三子栅极绝缘层，采用第一速率沉积所述第一子栅极绝缘层，采用第二速率沉积第二子栅极绝缘层，采用第三速率沉积第三子栅极绝缘层，所述第一速率、第二速率及第三速率的数值依次递减；在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极；其中，采用两次湿法刻蚀工艺和两次干法刻蚀工艺形成所述有源层、复合掺杂层、源漏极以及一沟道区，所述沟道区贯穿所述复合掺杂层、并部分贯穿至所述有源层。2.根据权利要求1所述的主动开关的制作方法，其特征在于，所述复合掺杂层包括依次层叠的第一N型轻掺杂非晶硅层、第二N型轻掺杂非晶硅层、第一N型重掺杂非晶硅层及第二N型重掺杂非晶硅层，所述第一N型轻掺杂非晶硅层、第二N型轻掺杂非晶硅层、第一N型重掺杂非晶硅层及第二N型重掺杂非晶硅层的离子掺杂浓度依次递增。3.根据权利要求2所述的主动开关的制作方法，其特征在于，所述复合掺杂层的厚度范围为300埃-600埃；其中，所述第一N型轻掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃，所述第二N型轻掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃，所述第一N型重掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃，所述第二N型重掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃。4.根据权利要求2所述的主动开关的制作方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极的步骤，包括：在所述栅极绝缘层上依次沉积有源膜层、复合掺杂膜层和第二金属层；在所述第二金属层上涂布一层光刻胶，并对所述光...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凤云，卓恩宗，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44