内嵌式电容触控面板制造技术

一种内嵌式电容触控面板，应用于主动矩阵式发光二极管显示器，包含多个像素及至少一触控电极。每个像素的叠层结构包含基板、第一导电层～第四导电层、晶体管层及发光二极管层。基板设置于像素的一侧。第一导电层设置于基板上方，用以形成扫描线。晶体管层设置于基板上方。第二导电层设置于该基板上方，用以形成数据线。第三导电层设置于晶体管层上方。发光二极管层设置于第三导电层上方。第四导电层设置于发光二极管层上方。至少一触控电极设置于第一导电层～第四导电层及发光二极管层未布局的空间中。

【技术实现步骤摘要】
内嵌式电容触控面板
本专利技术与触控面板有关，尤其是关于一种内嵌式(In-cell)电容触控面板。
技术介绍
近年来，有机发光二极管显示器已广泛应用于各种行动装置及微型显示器，其可依照驱动方式的不同分为主动矩阵式(Activematrix)有机发光二极管显示器及被动矩阵式(Passivematrix)有机发光二极管显示器。相较于被动矩阵式有机发光二极管显示器，主动矩阵式有机发光二极管显示器的每个像素的灰阶数据值可储存于其电路中，故其所需的驱动电压较低，适合制作高解析度的显示器。如图1所示，主动矩阵式有机发光二极管显示器的各像素中包含晶体管电路元件区TFT以及有机发光二极管区OLED。各像素的灰阶信号值经由扫描驱动器SD的扫描线SL开启对应的晶体管电路，并由数据驱动器DD的数据线DL输入至晶体管电路的储存电容内而达成。接着，请参照图2A～图2C。图2A～图2C分别为主动矩阵式有机发光二极管显示器的像素的不同叠层结构的剖面示意图。如图2A所示，晶体管层TFT设置于基板SUB上方；阴极电极CE设置于晶体管层TFT上方；有机发光二极管层OLED1设置于阴极电极CE上方；有机发光二极管层OLED1可采用红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)有机发光二极管构成且其上方依序设置有阳极电极AE及封装层ENC。如图2B所示，晶体管层TFT设置于基板SUB上方；阴极电极CE设置于晶体管层TFT上方；有机发光二极管层OLED2设置于阴极电极CE上方；有机发光二极管层OLED2可采用白色有机发光二极管构成且其上方依序设置有阳极电极AE、不同颜色的彩色滤光片CF及封装层ENC。如图2C所示，晶体管层TFT设置于基板SUB上方；阴极电极CE设置于晶体管层TFT上方；有机发光二极管层OLED3设置于阴极电极CE上方；有机发光二极管层OLED3可采用红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)有机发光二极管构成且其上方依序设置有阳极电极AE、颜色转换层CC及封装层ENC。然而，上述的主动矩阵式有机发光二极管显示器仅可提供显示功能，若要使其提供触控功能，通常还需要采用外挂触控感测模块的方式来达成，不仅会增加显示器的整体厚度，也会导致生产良率下降，使得生产成本大幅增加。至于微型发光二极管(MicroLED)则是一种新型态的显示技术，顾名思义，其尺寸较传统的发光二极管来得小，通常可小于100um，甚至可小到5um，故有能力实现具有高像素密度(PixelsPerInch,PPI)的显示面板。于微型发光二极管显示器的工艺中，可先分别在不同的磊晶基板(Epitaxialsubstrate)上形成红(R)、绿(G)及蓝(B)的无机发光二极管(InorganicLED)，再采用特定的转移技术将其从磊晶基板(Epitaxialsubstrate)搬移至驱动电路基板(例如玻璃基板)并接合于驱动电路基板上的特定位置。举例而言，如图3A～图3F所示，通过特制的微型夹取器CP可通过电磁力、真空吸力、凡德瓦力等方式从磊晶基板(Epitaxialsubstrate)SUB1上吸起微型发光二极管MLED后，再将微型发光二极管MLED转移至玻璃基板SUB2并接合于玻璃基板SUB2上的特定位置。由于无机发光二极管具有高发光效率特性，因此，相较于有机发光二极管，微型发光二极管可在相对较小的像素发光面积下发出与有机发光二极管亮度相同甚至更高的光。举例而言，有机发光二极管的发光亮度最高约为1000nits，而无机发光二极管的发光亮度则可高达106nits，亦即无机发光二极管的发光亮度可为有机发光二极管的发光亮度的1000倍。于此情况下，微型发光二极管的像素发光区域尺寸只需25um2(亦即5um*5um)即可与有机发光二极管的像素发光区域为25000um2(亦即158um*158um)的像素亮度相等。因此，若微型发光二极管显示器与有机发光二极管显示器具有相同的像素密度及单位亮度，则相较于有机发光二极管显示器，微型发光二极管显示器的驱动电路基板上将会出现许多没有发光二极管层、阴极、阳极及电极走线的闲置空间，而这些闲置空间可用来设置其他的电路及走线，而不会干扰显示器原有的电路布局。根据上述可知：若主动矩阵式有机发光二极管显示器同时采用有机发光二极管(OLED)及微型发光二极管(MicroLED)技术，如图4及图5所示，若主动矩阵式有机发光二极管显示器的一部分的像素采用有机发光二极管OLED，而另一部分的像素采用微型发光二极管MLED。如此一来，由于微型发光二极管MLED的尺寸较小，使得采用微型发光二极管MLED的像素会具有空隙区域SP，故可用以设置其他电路及走线，而不会干扰显示器原本的电路布局。
技术实现思路
本专利技术提出一种内嵌式电容触控面板，以有效解决现有技术所遭遇到的上述种种问题。根据本专利技术的一具体实施例为一种内嵌式电容触控面板。于此实施例中，内嵌式电容触控面板应用于主动矩阵式发光二极管显示器。内嵌式电容触控面板包含多个像素及至少一触控电极。每个像素的叠层结构包含基板、第一导电层～第四导电层、晶体管层及发光二极管层。基板设置于该像素的一侧。第一导电层设置于该基板上方，用以形成扫描线。晶体管层设置于该基板上方。第二导电层设置于该基板上方，用以形成数据线。第三导电层设置于该晶体管层上方。发光二极管层设置于该第三导电层上方。第四导电层设置于该发光二极管层上方。至少一触控电极设置于该第一导电层～该第四导电层及该发光二极管层未布局的空间中。于一实施例中，该叠层结构还包含封装层及绝缘层。封装层相对于该基板而设置于该像素的另一侧。绝缘层填充于该封装层与该基板之间。于一实施例中，该至少一触控电极包含第一方向触控电极及第二方向触控电极。该第一方向触控电极及该第二方向触控电极分别沿第一方向及第二方向排列，且该第一方向垂直于该第二方向。于一实施例中，该第一方向触控电极设置于该第四导电层、该第二导电层及该发光二极管层未布局的空间中。于一实施例中，该第二方向触控电极设置于该第一导电层及该发光二极管层未布局的空间中。于一实施例中，该第三导电层形成阴极且该第四导电层形成阳极，或是该第三导电层形成阳极且该第四导电层形成阴极。于一实施例中，内嵌式电容触控面板还包含第五导电层，耦接该多个像素中形成阳极的该第四导电层或该第三导电层。于一实施例中，该第五导电层沿第一方向布局于该第二导电层所形成的该数据线之间的空间，且不与该至少一触控电极及该发光二极管层重叠。于一实施例中，该第五导电层沿第二方向布局于该第一导电层所形成的该扫描线之间的空间，且不与该至少一触控电极及该发光二极管层重叠。于一实施例中，该至少一触控电极由该第一导电层、该第二导电层、该第三导电层、该第四导电层或该第五导电层形成。于一实施例中，该至少一触控电极由第六导电层形成，且该第六导电层与该第一导电层、该第二导电层、该第三导电层、该第四导电层及该第五导电层均不相同且彼此绝缘。于一实施例中，该至少一触控电极可沿第一方向并排布局于该第二导电层所形成的该数据线之间的空间。于一实施例中，该至少一触控电极可沿第二方向并排布局于该第一导电层所形成的该扫描线之间的空间。于一实施例中，该第一方向触控电极及该第二方向触控电极之间通过通孔(Via)电性连接而形成网格状(Mesh)结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内嵌式电容触控面板，应用于一主动矩阵式发光二极管显示器，其特征在于，该内嵌式电容触控面板包含：多个像素，每个像素的一叠层结构包含：一基板，设置于该像素的一侧；一第一导电层，设置于该基板上方，用以形成扫描线；一晶体管层，设置于该基板上方；一第二导电层，设置于该基板上方，用以形成数据线；一第三导电层，设置于该晶体管层上方；一发光二极管层，设置于该第三导电层上方；一第四导电层，设置于该发光二极管层上方；以及至少一触控电极，设置于该第一导电层、该第二导电层、该第三导电层、该第四导电层及该发光二极管层未布局的空间中。

【技术特征摘要】
2017.10.31 US 62/579,1941.一种内嵌式电容触控面板，应用于一主动矩阵式发光二极管显示器，其特征在于，该内嵌式电容触控面板包含：多个像素，每个像素的一叠层结构包含：一基板，设置于该像素的一侧；一第一导电层，设置于该基板上方，用以形成扫描线；一晶体管层，设置于该基板上方；一第二导电层，设置于该基板上方，用以形成数据线；一第三导电层，设置于该晶体管层上方；一发光二极管层，设置于该第三导电层上方；一第四导电层，设置于该发光二极管层上方；以及至少一触控电极，设置于该第一导电层、该第二导电层、该第三导电层、该第四导电层及该发光二极管层未布局的空间中。2.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该叠层结构还包含：一封装层，相对于该基板而设置于该像素的另一侧；以及一绝缘层，填充于该封装层与该基板之间。3.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该至少一触控电极包含一第一方向触控电极及一第二方向触控电极，该第一方向触控电极及该第二方向触控电极分别沿一第一方向及一第二方向排列，且该第一方向垂直于该第二方向。4.根据权利要求3所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第一方向触控电极设置于该第四导电层、该第二导电层及该发光二极管层未布局的空间中。5.根据权利要求3所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第二方向触控电极设置于该第一导电层及该发光二极管层未布局的空间中。6.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第三导电层形成阴极且该第四导电层形成阳极，或是该第三导电层形成阳极且该第四导电层形成阴极。7.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，还包含：一第五导电层，耦接该多个像素中形成阳极的该第四导电层或该第三导电层。8.根据权利要求7所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第五导电层沿一第一方向布局于该第二导电层所形成的该数据线之间的空间，且不与该至少一触控电极及该发光二极管层重叠。9.根据权利要求7所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第五导电层沿一第二方向布局于该第一导电层所形成的该扫描线之间的空间，且不与该至少一触控电极及该发光二极管层重叠。10.根据权利要求7所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该至少一触控电极由该第一导电层、该第二导电层、该第三导电层、该第四导电层或该第五导电层形成。11.根据权利要求7所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该至少一触控电极由一第六导电层形成，且该第六导电层与该第一导电层、该第二导电层、该第三导电层、该第四导电层及该第五导电层均不相同且彼此绝缘。12.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该至少一触控电极可沿一第一方向并排布局于该第二导电层所形成的该数据线之间的空间。13.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该至少一触控电极可沿一第二方向并排布局于该第一导电层所形成的该扫描线之间的空间。14.根据权利要求3所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第一方向触控电极及该第二方向触控电极之间通过一通孔电性连接而形成一网格状结构或一梳状结构。15.根据权利要求3所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，当该至少一触控电极与该第一导电层、该第二导电层、该第三导电层及该第四导电层不同层别且彼此分隔时，该第一方向触控电极及该第二方向触控电极以同一导电层构成而形成一网格状结构或一梳状结构。16.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该晶体管层的电路由两晶体管与一电容结构、四晶体管与一电容结构或六晶体管与一电容结构所构成。17.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该多个像素均采用有机发光二极管形成该发光二极管层。18.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：江昶庆，
申请(专利权)人：瑞鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71