触控基板及其制作方法、触控显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种触控基板及其制作方法、触控显示装置，属于触控技术领域。其中，所述触控基板包括与触控电极绝缘设置的消影图案，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影覆盖至少部分相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，所述消影图案与所述触控电极的材料相同。通过本发明专利技术的技术方案能够解决触控基板的消影问题。

Touch Control Substrate and Its Fabrication Method and Touch Display Device

【技术实现步骤摘要】
触控基板及其制作方法、触控显示装置
本专利技术涉及触控
，特别是指一种触控基板及其制作方法、触控显示装置。
技术介绍
现有技术中，为了实现柔性触控基板，采用metalmesh(金属网格)来制作柔性触控基板的触控电极，但是metalmesh存在金属可见与摩尔纹问题，因此，可以采用Ag复合膜替代metalmesh来实现柔性触控基板。但是Ag复合膜对光有一定的吸收率，使得采用Ag复合膜制作触控电极的触控基板存在较严重的消影问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种触控基板及其制作方法、触控显示装置，能够解决触控基板的消影问题。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种触控基板，所述触控基板包括与触控电极绝缘设置的消影图案，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影覆盖至少部分相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，所述消影图案与所述触控电极的材料相同。可选地，所述触控基板的触控电极采用Ag透明复合膜。可选地，所述触控基板还包括连接相邻所述触控电极的触控电极架桥，所述触控电极架桥与所述触控电极的材料相同。可选地，所述触控电极架桥与所述消影图案位于同一层且彼此绝缘。可选地，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影与相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影重合。可选地，所述Ag透明复合膜包括层叠设置的第一透明导电层，透光银层和第二透明导电层。本专利技术实施例还提供了一种触控显示装置，包括如上所述的触控基板。本专利技术实施例还提供了一种触控基板的制作方法，包括形成触控电极，还包括：采用与所述触控电极相同的材料形成与所述触控电极绝缘设置的消影图案，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影覆盖至少部分相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影。可选地，所述形成触控电极包括：采用Ag透明复合膜形成所述触控电极。可选地，形成与所述触控电极绝缘设置的消影图案包括：在形成所述触控电极后，形成覆盖所述触控电极的绝缘层；对所述绝缘层进行构图，形成暴露出部分所述触控电极的过孔；在所述绝缘层上通过一次构图工艺形成所述消影图案和连接相邻所述触控电极的触控电极架桥，所述触控电极架桥与所述消影图案绝缘。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，在相邻触控电极之间的间隙处设置有消影图案，触控基板的消影图案与触控基板的触控电极的材料相同，这样外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到消影图案处的反射效果相同，即外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到相邻触控电极之间的间隙处的反射效果相同，能够达到较好的消影效果。附图说明图1为现有触控基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例触控电极的平面示意图；图3为本专利技术实施例消影图案和触控电极架桥的示意图；图4为本专利技术实施例触控基板的结构示意图；图5为本专利技术另一实施例触控基板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。触摸屏作为一种智能化的人机交互产品，目前在社会生产和生活中的很多领域得到了越来越广泛的应用，尤其在消费电子领域(如智能手机、平板电脑等)发展最为迅速。针对柔性触控基板，一般采用柔性薄膜作为基底，并在其上制作触控电极，最终实现触控功能。可以采用metalmesh来制作柔性触控基板的触控电极，但是metalmesh存在金属可见与摩尔纹问题，因此，可以采用Ag复合膜替代metalmesh来实现柔性触控基板。如图1所示，相关技术中的触控基板，在触控基板上形成整层的消影膜层8，以触控电极7采用ITO为例，消影膜层8可以采用SiONx，SiONx与ITO的折射率相近，并且ITO对光线的吸收率较低，在1％左右，在触控基板没有ITO的区域，透过率为92％左右，反射率为7％左右，散射率为0.5-1％，在触控基板有ITO的区域，透过率为89％左右，反射率为10％左右，散射率为0.5-1％，可以看出，在没有ITO的区域和有ITO的区域，触控基板的光学性能比较接近，即使存在些微差异，也可以通过消影膜层8改善，这样在有触控电极7和无触控电极7的区域，触控基板对外界光线的反射效果均相同，能够达到较好的消影问题。但是在柔性触控基板中，采用Ag复合膜制作触控电极时，在触控基板没有Ag复合膜的区域，透过率为92％左右，反射率为7％左右，吸收率约等于0，散射率为0.5-1％，在触控基板有Ag复合膜的区域，透过率为87％左右，反射率为5％左右，吸收率为8-10％，散射率为0.5-1％，可以看出，在没有Ag复合膜的区域和有Ag复合膜的区域，触控基板的光学性能差距比较大，特别是Ag复合膜对光有一定的吸收率，使得采用Ag复合膜制作触控电极的触控基板存在较严重的消影问题。为了解决上述问题，本专利技术的实施例提供一种触控基板及其制作方法、触控显示装置，能够解决触控基板的消影问题。本专利技术的实施例提供一种触控基板，所述触控基板包括与触控电极绝缘设置的消影图案，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影覆盖至少部分相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，所述消影图案与所述触控电极的材料相同。本实施例中，在相邻触控电极之间的间隙处设置有消影图案，触控基板的消影图案与触控基板的触控电极的材料相同，这样外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到消影图案处的反射效果相同，即外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到相邻触控电极之间的间隙处的反射效果相同，能够达到较好的消影效果。其中，消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影可以覆盖部分的相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，也可以覆盖全部的相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，比如相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影落入消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影内。具体地，所述触控基板的触控电极可以采用Ag透明复合膜，Ag透明复合膜不仅具有良好的导电性，而且有很好的延展性，可以应用在柔性触控基板中。由于消影图案与触控电极一样，均是采用Ag透明复合膜制成，因此，消影图案和触控电极具有基本一致的光学性能，这样在有无触控电极的区域，触控基板的光学性能均能保持一致，从而达到较好的消影效果。本实施例的触控基板可以为互容式触控基板或自容式触控基板，在触控电极为互容式触控基板时，触控基板还包括连接相邻触控电极的触控电极架桥，触控电极架桥与触控电极的材料相同，这样外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到触控电极架桥处的反射效果相同，能够进一步优化触控基板的消影效果。可选地，触控基板的触控电极架桥与消影图案位于同一层且彼此绝缘，这样可以采用同一次构图工艺同时形成触控电极架桥与消影图案，不用分开制作触控电极架桥与消影图案，能够减少制作触控基板的构图工艺次数，减少触控基板的生产时间，降低触控基板的生产成本。可选地，消影图案在触控基板的衬底基板上的正投影与相邻触控电极之间的间隙在衬底基板上的正投影重合，这样外界光线照射到触控基板的全部触控区域的反射效果均相同，能够达到较好的消影效果。在触控基板为互容式触控基板时，在触控电极架桥和消影图案位于不同层时，消影图案在触控基板的衬底基板上的正投影可以与相邻触控电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种触控基板，其特征在于，所述触控基板包括与触控电极绝缘设置的消影图案，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影覆盖至少部分相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，所述消影图案与所述触控电极的材料相同。

【技术特征摘要】
1.一种触控基板，其特征在于，所述触控基板包括与触控电极绝缘设置的消影图案，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影覆盖至少部分相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，所述消影图案与所述触控电极的材料相同。2.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述触控基板的触控电极采用Ag透明复合膜。3.根据权利要求2所述的触控基板，其特征在于，所述触控基板还包括连接相邻所述触控电极的触控电极架桥，所述触控电极架桥与所述触控电极的材料相同。4.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，所述触控电极架桥与所述消影图案位于同一层且彼此绝缘。5.根据权利要求2所述的触控基板，其特征在于，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影与相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影重合。6.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，所述Ag透明复合膜包括层叠设置的第一透明导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓大成，曾亭，张明，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34