摄像面板及其制造方法技术

提供能抑制截止漏电流的X射线的摄像面板及其制造方法。摄像面板具备光电二极管，上述光电二极管包括：下部电极；光电转换层(15)，其设置于下部电极之上；以及上部电极(14b)，其设置在光电转换层(15)之上。光电转换层(15)包括第1非晶质半导体层(151)、本征非晶质半导体层(152)以及第2非晶质半导体层(153)。光电转换层(15)具有至少第2非晶质半导体层(153)的上端部(1531)比本征非晶质半导体层(152)的上端部(1521)更向光电转换层(15)的外侧突出而成的突起部(15a)。

Camera panel and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像面板及其制造方法
本专利技术涉及摄像面板及其制造方法。
技术介绍
已知通过具备多个像素部的摄像面板来拍摄X射线图像的X射线摄像装置。在这种X射线摄像装置中，例如，使用PIN(p-intrinsic-n：p-本征-n)光电二极管作为光电转换元件，通过PIN光电二极管将照射的X射线转换为电荷。通过使像素部所具备的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：以下也称为“TFT”。)进行动作而读出转换后的电荷。通过这样读出电荷，能够得到X射线图像。在特开2015-119113号公报中公开了使用PIN光电二极管的光电转换元件阵列单元。
技术实现思路
然而，在上述摄像面板的制造工序中，PIN光电二极管是通过使n型非晶质半导体层、本征非晶质半导体层、p型非晶质半导体层按顺序成膜，并在p型非晶质半导体层上形成抗蚀剂后进行干蚀刻而形成的。当由于干蚀刻而致使PIN光电二极管的侧面受到等离子体损伤时，会在p型非晶质半导体层与本征非晶质半导体层的界面产生缺陷，在PIN光电二极管中截止漏电流变高。本专利技术的目的在于提供能抑制截止漏电流的摄像面板。解决上述问题的本专利技术的摄像面板是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板，具备：基板，其具有绝缘性；薄膜晶体管，其形成于上述基板上；绝缘膜，其覆盖上述薄膜晶体管；光电转换层，其设置于上述绝缘膜之上，将上述闪烁光转换为电荷；上部电极，其设置于上述光电转换层之上；以及下部电极，其设置于上述光电转换层之下，与上述薄膜晶体管连接，上述光电转换层包括：第1非晶质半导体层，其与上述绝缘膜接触，具有第1导电类型；本征非晶质半导体层，其与上述第1非晶质半导体层接触；以及第2非晶质半导体层，其与上述本征非晶质半导体层接触，具有与上述第1导电类型相反的第2导电类型，具有至少上述第2非晶质半导体层的上端部比上述本征非晶质半导体层的上端部更向上述光电转换层的外侧突出而成的突起部。根据本专利技术，能够提供能抑制截止漏电流的摄像面板。附图说明图1是表示实施方式的X射线摄像装置的示意图。图2是表示图1所示的摄像面板的概略构成的示意图。图3是将图2所示的摄像面板1的一个像素部分放大后的俯视图。图4A是将图3所示的像素沿A-A线截断后的截面图。图4B是将图4A所示的光电转换层的端部放大后的截面图。图5A是表示在基板之上形成栅极绝缘膜和TFT，并形成第1绝缘膜的工序的截面图。图5B是表示在图5A所示的第1绝缘膜中形成接触孔CH1的工序的截面图。图5C是表示在图5B的第1绝缘膜之上形成第2绝缘膜的工序的截面图。图5D是表示在图5C的接触孔CH1之上形成第2绝缘膜的开口的工序的截面图。图5E是表示在图5D的第2绝缘膜之上形成金属膜的工序的截面图。图5F是表示将图5E所示的金属膜图案化而形成经由接触孔CH1与漏极电极连接的下部电极的工序的截面图。图5G是表示形成将图5F所示的下部电极覆盖的、n型非晶质半导体层、本征非晶质半导体层以及p型非晶质半导体层，并在p型非晶质半导体层之上形成透明导电膜的工序的截面图。图5H是表示将图5G的透明导电膜图案化而形成上部电极的工序的截面图。图5I是表示在图5H的p型非晶质半导体层之上形成将上部电极覆盖的抗蚀剂的工序的截面图。图5J是表示使用干蚀刻将图5I的n型非晶质半导体层、本征非晶质半导体层以及p型非晶质半导体层图案化的工序的截面图。图5K是表示将图5J的抗蚀剂剥离后的状态的截面图。图5L是表示形成将图5K的上部电极覆盖的第3绝缘膜的工序的截面图。图5M是表示形成将图5L的第3绝缘膜贯通的接触孔CH2的工序的截面图。图5N是表示在图5M的第3绝缘膜之上形成第4绝缘膜，并在接触孔CH2之上形成第4绝缘膜的开口的工序的截面图。图5O是表示在图5N的第4绝缘膜之上形成金属膜的工序的截面图。图5P是表示将图5O的金属膜图案化而形成偏置配线的工序的截面图。图5Q是表示形成将图5P的偏置配线覆盖的透明导电膜的工序的截面图。图5R是表示将图5Q的透明导电膜图案化的工序的截面图。图5S是表示形成将图5R所示的透明导电膜覆盖的第5绝缘膜的工序的截面图。图5T是表示在图5S的第5绝缘膜之上形成第6绝缘膜的工序的截面图。图6是第2实施方式的摄像面板的截面图。图7A是说明图6所示的摄像面板的制造工序的截面图，并且是表示在作为上部电极保护膜的绝缘膜180上形成抗蚀剂的工序的截面图。图7B是表示使用干蚀刻将图7A所示的绝缘膜180、n型非晶质半导体层、本征非晶质半导体层以及p型非晶质半导体层图案化的工序的截面图。图7C是表示将图7B的抗蚀剂剥离后的状态的截面图。图8是说明第3实施方式的摄像面板的制造工序的截面图，并且是表示在使用干蚀刻将n型非晶质半导体层、本征非晶质半导体层以及p型非晶质半导体层图案化后进行了还原处理的状态的截面图。具体实施方式本专利技术的一实施方式的摄像面板是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的上述摄像面板，具备：基板，其具有绝缘性；薄膜晶体管，其形成于上述基板上；绝缘膜，其覆盖上述薄膜晶体管；光电转换层，其设置于上述绝缘膜之上，将上述闪烁光转换为电荷；上部电极，其设置于上述光电转换层之上；以及下部电极，其设置于上述光电转换层之下，与上述薄膜晶体管连接，上述光电转换层包括：第1非晶质半导体层，其与上述绝缘膜接触，具有第1导电类型；本征非晶质半导体层，其与上述第1非晶质半导体层接触；以及第2非晶质半导体层，其与上述本征非晶质半导体层接触，具有与上述第1导电类型相反的第2导电类型，具有至少上述第2非晶质半导体层的上端部比上述本征非晶质半导体层的上端部更向上述光电转换层的外侧突出而成的突起部。(第1构成)。根据第1构成，光电转换层包括第1非晶质半导体层、本征非晶质半导体层、第2非晶质半导体层，并具有突起部。突起部是至少第2非晶质半导体层的上端部比本征非晶质半导体层的上端部更向光电转换层的外侧突出而成的。在制作光电转换层时进行干蚀刻的情况下，通过形成于光电转换层的突起部，第2非晶质半导体层与本征非晶质半导体层之间的界面不易受到等离子体损伤。其结果是，光电转换层的截止漏电流被抑制。也可以设为，在第1构成的上述光电转换层之上，还具备覆盖上述上部电极的上部电极保护膜，上述上部电极的端部比上述光电转换层的端部靠上述光电转换层的内侧配置，上述上部电极保护膜的端部配置于上述上部电极的端部与上述光电转换层的端部之间(第2构成)。根据第2构成，上部电极被上部电极保护膜完全覆盖。因此，与没有设置上部电极保护膜的情况相比，在形成光电转换层时使用抗蚀剂的情况下除去抗蚀剂之际，上部电极的金属离子不会附着于光电转换层的表面。其结果是，能够更可靠地抑制光电转换层的截止漏电流。本专利技术的一实施方式的摄像面板的制造方法是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板的制造方法，在上述制造方法中包括如下工序：在具有绝缘性的基板上形成薄膜晶体管；在上述薄膜晶体管之上形成第1绝缘膜和第2绝缘膜；在上述薄膜晶体管的漏极电极之上，形成将上述第1绝缘膜与上述第2绝缘膜贯通的第1接触孔；在上述第2绝缘膜之上，形成经由上述第1接触孔与上述漏极电极连接的、作为下部电极的第1透明电极膜；在上述第1透明电极膜之上按顺序形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像面板，基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像，上述摄像面板的特征在于，具备：基板，其具有绝缘性；薄膜晶体管，其形成于上述基板上；绝缘膜，其覆盖上述薄膜晶体管；光电转换层，其设置于上述绝缘膜之上，将上述闪烁光转换为电荷；上部电极，其设置于上述光电转换层之上；以及下部电极，其设置于上述光电转换层之下，与上述薄膜晶体管连接，上述光电转换层包括：第1非晶质半导体层，其与上述绝缘膜接触，具有第1导电类型；本征非晶质半导体层，其与上述第1非晶质半导体层接触；以及第2非晶质半导体层，其与上述本征非晶质半导体层接触，具有与上述第1导电类型相反的第2导电类型，具有至少上述第2非晶质半导体层的上端部比上述本征非晶质半导体层的上端部更向上述光电转换层的外侧突出而成的突起部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.21 JP 2016-1842271.一种摄像面板，基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像，上述摄像面板的特征在于，具备：基板，其具有绝缘性；薄膜晶体管，其形成于上述基板上；绝缘膜，其覆盖上述薄膜晶体管；光电转换层，其设置于上述绝缘膜之上，将上述闪烁光转换为电荷；上部电极，其设置于上述光电转换层之上；以及下部电极，其设置于上述光电转换层之下，与上述薄膜晶体管连接，上述光电转换层包括：第1非晶质半导体层，其与上述绝缘膜接触，具有第1导电类型；本征非晶质半导体层，其与上述第1非晶质半导体层接触；以及第2非晶质半导体层，其与上述本征非晶质半导体层接触，具有与上述第1导电类型相反的第2导电类型，具有至少上述第2非晶质半导体层的上端部比上述本征非晶质半导体层的上端部更向上述光电转换层的外侧突出而成的突起部。2.根据权利要求1所述的摄像面板，在上述光电转换层之上，还具备覆盖上述上部电极的上部电极保护膜，上述上部电极的端部比上述光电转换层的端部靠上述光电转换层的内侧配置，上述上部电极保护膜的端部配置于上述上部电极的端部与上述光电转换层的端部之间。3.一种制造方法，是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板的制造方法，上述制造方法的特征在于，包括如下工序：在具有绝缘性的基板上形成薄膜晶体管；在上述薄膜晶体管之上形成第1绝缘膜和第2绝缘膜；在上述薄膜晶体管的漏极电极之上，形成将上述第1绝缘膜与上述第2绝缘膜贯通的第1接触孔；在上述第2绝缘膜之上，形成经由上述第1接触孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：美崎克纪，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP