金属-绝缘层-金属电容结构制造技术

提供金属‑绝缘层‑金属电容结构与其形成方法。金属‑绝缘层‑金属电容结构包括基板、底电极层、第一介电层、顶电极层、与第一介电间隔物。底电极层位于基板上。第一介电层位于底电极层上。顶电极层位于第一介电层上。第一介电间隔物位于底电极层其两侧的侧壁上。第一介电层具有第一介电常数。第一介电间隔物具有第二介电常数，且第二介电常数低于第一介电常数。

【技术实现步骤摘要】
金属-绝缘层-金属电容结构
本专利技术实施例关于金属-绝缘层-金属电容结构，更特别关于其介电间隔物的介电常数与剖视形状。
技术介绍
半导体集成电路产业已经历快速成长。集成电路材料与设计的技术进步，使每一代的集成电路比前一代的集成电路更小且电路更复杂。然而这些进展会增加集成电路制程的复杂度。为实现上述优点，集成电路制程亦需类似进展。随着集成电路进展，功能密度(比如固定晶片面积中的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如制程形成的最小构件)缩小而增加。电容的种类之一为金属-绝缘层-金属电容，其用于混合信号装置与逻辑装置，比如埋置记忆体与射频装置。金属-绝缘层-金属电容用在储存电荷于多种半导体装置中。虽然形成金属-绝缘层-金属电容的现有制程通常符合其预期目的(如持续缩小装置尺寸)，但无法完全满足所有需求。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的金属-绝缘层-金属电容结构，包括：底电极层，位于基板上；第一介电层，位于底电极层上；顶电极层，位于第一介电层上；以及多个第一介电间隔物，位于底电极层其两侧的侧壁上，其中第一介电层具有第一介电常数，第一介电间隔物具有第二介电常数，且第二介电常数低于第一介电常本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属‑绝缘层‑金属电容结构，包括：一底电极层，位于一基板上；一第一介电层，位于所述底电极层上；一顶电极层，位于所述第一介电层上；以及多个第一介电间隔物，位于所述底电极层其两侧的侧壁上，其中所述第一介电层具有第一介电常数，所述多个第一介电间隔物具有第二介电常数，且第二介电常数低于第一介电常数。

【技术特征摘要】
2017.10.26 US 15/794,1391.一种金属-绝缘层-金属电容结构，包括：一底电极层，位于一基板上；一第一介电层，位于所述底电极层上；...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄致凡，白志阳，萧远洋，萧琮介，陈蕙祺，陈殿豪，陈燕铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71