【技术实现步骤摘要】
隔离变压装置，开关驱动电路及脉冲电源系统
本专利技术的实施例涉及隔离变压装置、开关驱动电路及脉冲电源系统。
技术介绍
共模干扰是开关电路中的典型问题，共模干扰的存在会给电路的正常工作带来很多负面影响，如：电磁干扰、误检测、误触发、电流波形失真等；尤其是在采用高速宽带隙半导体功率器件的情况下，共模干扰会更加严重。通常可通过在隔离变压器上增加容性耦合路径的方式来降低共模干扰，例如：使用双隔离变压结构来降低从原边电路至副边电路的电容。图1为现有技术中的一种双隔离变压器100的结构示意图(侧视图)。参见图1，该双隔离变压器100包括原边线圈110、单匝线圈120、副边线圈130、第一环状磁芯140及第二环状磁芯150。该原边线圈110沿该第一环状磁芯140的周向缠绕在该第一环状磁芯140的表面；类似地，该副边线圈130沿该第二环状磁芯150的周向缠绕在该第二环状磁芯150的表面，该第一、第二环状磁芯140、150大致共轴地放置，该单匝线圈120大致沿该第一、第二环状磁芯140、150的轴向穿过第一、第二环状磁芯的中孔，以使该单匝线圈同时与该原边线圈和该副边线圈磁耦合。从图...
【技术保护点】
1.一种隔离变压装置，包括：印制在第一基板上的初级线圈；印制在第二基板上的闭合线圈，其与所述初级线圈磁耦合；及印制在第三基板上的次级线圈，其与所述闭合线圈磁耦合。
【技术特征摘要】
1.一种隔离变压装置，包括：印制在第一基板上的初级线圈；印制在第二基板上的闭合线圈，其与所述初级线圈磁耦合；及印制在第三基板上的次级线圈，其与所述闭合线圈磁耦合。2.根据权利要求1所述的装置，其中，该第一、第二、第三基板至少满足下列两者之一：大致位于同一平面上；及各自为同一母板上的一部分。3.根据权利要求1所述的装置，进一步包括第一平面磁芯，该第一平面磁芯包括：第一磁柱，其被所述初级线圈围绕；及第二磁柱，其被所述闭合线圈围绕。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一平面磁芯进一步包括：第一上部，其从所述第一磁柱的第一端延伸至所述第二磁柱的第一端；及第一下部，其从所述第一磁柱的第二端延伸至所述第二磁柱的第二端；其中，所述第一、第二、第三基板至少满足下列两者之一：大致位于同一平面上，及均为同一母板上的一部分；且该母板或所述第一、第二、第三基板大致所在的平面位于所述第一上部和第一下部之间。5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括第二平面磁芯，该第二平面磁芯包括：第三磁柱，其被所述闭合线圈围绕；及第四磁柱，其被所述次级线圈围绕。6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第二平面磁芯进一步包括：第二上部，其从所述第三磁柱的第一端延伸至所述第四磁柱的第一端；及第二下部，其从所述第三磁柱的第二端延伸至所述第四磁柱的第二端；其中，所述第一、第二、第三基板至少满足下列两者之一：大致位于同一平面上，及均为同一母板上的一部分；且该母板或所述第一、第二、第三基板大致所在的平面位于所述第二上部和第二下部之间。7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述闭合线圈包括单匝线圈。8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述初级线圈包括呈第一螺旋形的第一导线，所述闭合线圈包括呈环形的第二导线，所述次级线圈包括呈第二螺旋形的第三导线。9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述闭合线圈包括N个依次排列的闭合子线圈，其中，N为大于等于二的自然数，所述N个闭合子线圈中的第一闭合子线圈与所述初级线圈磁耦合，及所述N个闭合子线圈中的最后一个闭合子线圈与所述次级线圈磁耦合。10.根据权利要求9所述...
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