一种天线制造技术

本实用新型专利技术提供一种天线，本实用新型专利技术的天线包括：基板，所述基板的材质为绝缘材料；微带辐射体，设置于所述基板的正面，所述微带辐射体为长条状，所述微带辐射体的长度为所述天线的中心频率对应的传播介质内的四分之一等效波长；金属地，设置于所述基板的背面；以及负载，设置于所述基板的正面，所述负载的正极与所述微带辐射体连接，所述负载的负极与所述金属地连接。本实用新型专利技术的天线，其识别精度高，抗干扰能力强。

An antenna

【技术实现步骤摘要】
一种天线
本技术涉及一种天线。
技术介绍
射频识别是一种使用射频技术的非接触自动识别技术，具有传输速率快、防冲撞、大批量读取、运动过程读取等优势，因此，RFID技术在物流与供应链管理、生产管理与控制、防伪与安全控制、交通管理与控制等各领域具有重大的应用潜力。而RFID标签性能的关键在于RFID标签天线的性能，在标签与读写器数据通信过程中起关键作用是天线，一方面，标签的芯片启动电路开始工作，需要通过天线在读写器产生的电磁场中获得足够的能量；另一方面，天线决定了标签与读写器之间的通信信道和通信方式。因此，天线尤其是标签内部天线的研究就成为了重点。对于UHF段(如915MHz、2400Mttz)的RFID标签天线目前主要的问题是精度不够，以及易受识别区域外的标签干扰。
技术实现思路
本技术提供一种天线，可实现高精度的UHF段信号的识别，抗干扰能力强。为解决上述技术问题，本技术提供了一种天线，包括：基板，所述基板的材质为绝缘材料；微带辐射体，设置于所述基板的正面，所述微带辐射体为长条状，所述微带辐射体的长度为所述天线的中心频率对应的传播介质内的四分之一等效波长；金属地，设置于所述基板的背面；以及负载，设置于所述基板的正面，所述负载的正极与所述微带辐射体连接，所述负载的负极与所述金属地连接。根据本技术的一实施方式，所述负载为一负载电阻，所述负载电阻的阻值为40-60Ω。根据本技术的另一实施方式，所述基板的厚度值小于所述微带辐射体的宽度值。根据本技术的另一实施方式，所述天线还包括第一反射片和第二反射片，所述第一反射片和第二反射片均设置于所述基板上，并对称的位于所述微带辐射体的两侧。根据本技术的另一实施方式，所述第一反射片和第二反射片均为长条状，所述第一反射片和第二反射片的长度均大于所述微带辐射体的长度。根据本技术的另一实施方式，所述天线还包括第一能量集中片和第二能量集中片，所述第一能量集中片和第二能量集中片设置于所述基板上，所述第一能量集中片位于所述微带辐射体与所述第一反射片之间，所述第二能量集中片位于所述微带辐射体与所述第二反射片之间。根据本技术的另一实施方式，所述第一能量集中片和第二能量集中片均为弓形，所述第一能量集中片背离所述第一反射片的方向弯曲且与所述微带辐射体不接触，所述第二能量集中片背离所述第二反射片的方向弯曲且与所述微带辐射体不接触。根据本技术的另一实施方式，所述微带辐射线位于所述基板正面的中部。根据本技术的另一实施方式，所述天线还包括连接片，所述连接片设置于所述基板上，用于和金属地电连接。根据本技术的另一实施方式，所述金属地的面积等于所述基板的面积。本技术的有益效果：本技术的一种天线，是一种可用于UHFRFID识别的高精度纯近场天线，其包括基板、微带辐射体、金属地、负载、能量集中片和反射片等，其中天线以绝缘基板为介质，在背部形成一块完整的金属地，可以在任意介质上工作而保持辐射参数不受影响，金属地为大面积金属介电常数无穷大，当贴付在其他介质表面时几乎不对辐射特性产生影响，天线辐射范围小于四分之一个波长，可以在被识别物密集的情况下准确识别目标。本技术的天线可以应用于工位信息采集，电子标签检测、写入识别，因为辐射范围仅覆盖天线正上方四分之一波长内，极大程度排除识别区域外的标签干扰，其工作带宽为100-3000mhz，几乎不受周边电磁环境影响。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术的一种天线的一个实施例的结构示意图；图2是本技术的一种天线的另一个实施例的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1-2所示，本技术实施例提供了一种天线100，包括：基板10，所述基板的材质为绝缘材料；微带辐射体20，设置于所述基板10的正面，所述微带辐射体20为长条状，所述微带辐射体20的长度为所述天线100的中心频率对应的传播介质内的四分之一等效波长；金属地30，设置于所述基板10的背面；以及负载40，设置于所述基板10的正面，所述负载40的正极与所述微带辐射体20连接，所述负载40的负极与所述金属地30连接。可选的，所述负载为一负载电阻，所述负载电阻的阻值为40-60Ω，优选的负载电阻的阻值为50Ω。作为一个举例说明，本技术实施例的所述基板10的厚度值小于所述微带辐射体20的宽度值。可选的，所述基板的厚度范围为0.4mm-3mm。作为另一个举例说明，本技术实施例的所述天线还包括第一反射片51和第二反射片52，所述第一反射片51和第二反射片52均设置于所述基板10上，并对称的位于所述微带辐射体20的两侧。作为另一个举例说明，本技术实施例的所述第一反射片51和第二反射片52均为长条状，所述第一反射片51和第二反射片52的长度均大于所述微带辐射体20的长度。作为另一个举例说明，本技术实施例的所述天线100还包括第一能量集中片61和第二能量集中片62，所述第一能量集中片61和第二能量集中片62设置于所述基板10上，所述第一能量集中片61位于所述微带辐射体20与所述第一反射片51之间，所述第二能量集中片62位于所述微带辐射体20与所述第二反射片52之间。作为另一个举例说明，本技术实施例的所述第一能量集中片61和第二能量集中片62均为弓形，所述第一能量集中片61背离所述第一反射片51的方向弯曲且与所述微带辐射体20不接触，所述第二能量集中片62背离所述第二反射片52的方向弯曲且与所述微带辐射体20不接触。可选的，本技术实施例的所述第一能量集中片61和第二能量集中片62的材质均为金属。作为另一个举例说明，本技术实施例的所述微带辐射线20位于所述基板10正面的中部。作为另一个举例说明，本技术实施例的所述天线100还包括连接片70，所述连接片设置于所述基板10上，用于和金属地30电连接。作为另一个举例说明，本技术实施例的所述金属地30的面积等于所述基板10的面积。本技术实施例的天线的微带辐射体为线条型，微带辐射体的线宽与基板和金属地之间满足40-60Ω微带线阻抗特性，微带辐射体的长度约为其中心频率对应的介质内的四分之一等效波长，微带辐射体和金属地平行，且分别分布于基板的上下两层，形成微带结构，负载40为一个欧姆负载电阻，目的是为了和同轴连接线、射频发射端实现负载电阻的常规匹配。负载的正极和微带辐射体导电连接，负载地和金属地导电连接，为增加能量集中程度在微带辐射体20两侧放置两个能量集中片，能量集中片的凹面正对微带辐射体，但不能和微带辐射体连接，凹面具有能量聚焦作用，当被识别的电子标签放在天线正上方时，芯片正好出在凹面聚焦的范围本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种天线，其特征在于，包括：基板，所述基板的材质为绝缘材料；微带辐射体，设置于所述基板的正面，所述微带辐射体为长条状，所述微带辐射体的长度为所述天线的中心频率对应的传播介质内的四分之一等效波长；金属地，设置于所述基板的背面；以及负载，设置于所述基板的正面，所述负载的正极与所述微带辐射体连接，所述负载的负极与所述金属地连接。

【技术特征摘要】
1.一种天线，其特征在于，包括：基板，所述基板的材质为绝缘材料；微带辐射体，设置于所述基板的正面，所述微带辐射体为长条状，所述微带辐射体的长度为所述天线的中心频率对应的传播介质内的四分之一等效波长；金属地，设置于所述基板的背面；以及负载，设置于所述基板的正面，所述负载的正极与所述微带辐射体连接，所述负载的负极与所述金属地连接。2.根据权利要求1所述的一种天线，其特征在于，所述负载为一负载电阻，所述负载电阻的阻值为40-60Ω。3.根据权利要求1所述的一种天线，其特征在于，所述基板的厚度值小于所述微带辐射体的宽度值。4.根据权利要求1所述的一种天线，其特征在于，所述天线还包括第一反射片和第二反射片，所述第一反射片和第二反射片均设置于所述基板上，并对称的位于所述微带辐射体的两侧。5.根据权利要求4所述的一种天线，其特征在于，所述第一反射片和第二反射片均为长条状，所述第一反射片和第二反射片的长度均大于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚北，谭海峰，
申请(专利权)人：上海烨煊信息技术有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31