The utility model discloses an anti-ITO corrosion LCD routing structure, in which the routing structure is that in the area of IC Bonding, the angle alpha of two ITO lines intersecting is 180 +30 degrees; the angle between two ITO lines intersecting is an arc angle, the radius R of the arc angle is greater than 1 mm; and the electric field strength E between two ITO lines adjacent to each other is less than 0.25 *10 degrees.
【技术实现步骤摘要】
一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构
本技术涉及LCD制造
,特别是一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构。
技术介绍
ITO腐蚀是在存储条件或外加电场促进的条件下,发生电化学反应,导致的ITO电极走线腐蚀。周期有的只有数小时,有的达数月之久,主要取决于腐蚀产生的条件的强弱。腐蚀产生的主要条件有:1、杂质、水汽或污染;---提供电解质;2、电荷移动;---产生电流;为了保护LCD电极,很多厂家采用涂TOP层对产品进行主动防护,该方法有一定的效果,但相对来说成本也增高了。而实际生产中发生ITO腐蚀的区域都是集中在ICBonding的区域,但是,因为IC与LCD之间导通的需要,该区域又不能用TOP覆盖,所以针对此种ITO腐蚀无法用TOP层覆盖ITO走线的方法来解决。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构。为解决上述技术问题,本技术所采取的技术方案是:一种LCD显示屏的ITO走线结构,其在ICBonding的区域中,相交的两条ITO线的夹角α为180±30度。上述技术方案中,所述相交的两条ITO线夹角为圆弧夹角,该圆弧夹角的半径R大于1mm。上述技术方案中,相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10-6V/m。本技术的有益效果是:1)降低ITO腐蚀的比例,降低成本。2)提高产品可靠性,极大的降低了客户使用过程中发生失效的几率。附图说明图1是本技术的LCD的走线结构示意图;图2是图1中A处夹角的放大示意图(尖角);图3是图1中A处圆弧夹角的放大示意图;图4是图1中A处线间的放大示意图;图5是本技术分次弯折 ...
【技术保护点】
1.一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构,其特征在于:在IC Bonding的区域中,相交的两条ITO线的夹角α为180±30度。
【技术特征摘要】
1.一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构,其特征在于:在ICBonding的区域中,相交的两条ITO线的夹角α为180±30度。2.根据权利要求1所述的一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构,其特征在于:所述相...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄华达,
申请(专利权)人:东莞通华液晶有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。