【技术实现步骤摘要】
可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件
本专利技术属于发光器件制备
，涉及一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件。
技术介绍
石墨烯的发现使得二维材料在全球范围内引发了一场研究热潮。至今为止，已经有几十种二维材料被人们所发现并进行深度研究，二维材料的多功能性使得其在信息、能源、生物等领域发挥着非常大的作用。如中国专利201510320484.2公开了一种柔性二维材料发光器件，该发光器件从下到上依次包括柔性衬底层、第一金属层、介质层、二维半导体材料层，以及设置在介质层上并位于二维半导体材料层两端的第二金属层，介质层作为栅极，第二金属层两端分别作为源极和漏极，从而构成MOS结构。上述专利的发光器件虽然具有较好的光电响应速度，但是在发光强度和峰位上的可调控性较弱。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件及其制备。本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现：一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，包括衬底、生长在衬底上的二氧化硅介质层，以及生长在二氧化硅介质层且相互隔离的三...
【技术保护点】
1.一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，其特征在于，包括衬底、生长在衬底上的二氧化硅介质层，以及生长在二氧化硅介质层且相互隔离的三块硅薄膜，所述三块硅薄膜中的其中两块上分别生长一个金属电极，另一块与其中一块生长有金属电极的硅薄膜之间设置有一层二维材料。
【技术特征摘要】
1.一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，其特征在于，包括衬底、生长在衬底上的二氧化硅介质层，以及生长在二氧化硅介质层且相互隔离的三块硅薄膜，所述三块硅薄膜中的其中两块上分别生长一个金属电极，另一块与其中一块生长有金属电极的硅薄膜之间设置有一层二维材料。2.根据权利要求1所述的一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，其特征在于，所述衬底为硅衬底，其厚度为500μm。3.根据权利要求1所述的一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，其特征在于，所述二氧化硅介质层的厚度为10-200nm。4.根据权...
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