显示基板及其制造方法和显示面板技术

本发明专利技术提供一种显示基板，包括显示区，显示区被划分为多个像素单元，像素单元包括发光单元和透明显示单元，发光单元内设置有发光元件，发光元件包括第一电极、发光功能层和第二电极，多个发光元件的第二电极形成为具有一体结构的第二电极层，显示基板还包括位于发光单元内的辅助电极，显示基板还包括多个由透明导电材料制成的辅助连接件，辅助连接件的一部分位于发光单元内，辅助连接件的另一部分位于透明显示单元内，辅助电极与辅助连接件位于发光单元内的部分电连接，第二电极层与辅助连接件位于透明显示单元内的部分电连接。本发明专利技术还提供一种显示面板和一种显示基板的装置方法，显示面板发光均匀且开口率高。

Display Substrate and Its Manufacturing Method and Display Panel

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制造方法和显示面板
本专利技术涉及显示装置领域，具体地，涉及一种显示基板、该显示基板的制造方法和包括所述显示基板的显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，已经出现了透明显示装置。目前一种透明显示装置为有机发光二极管透明显示装置，目前，有机发光二极管显示装置的显示面板中，透明区域的面积已经可以达到显示面板的显示面总面积的40％。通常，当显示面板的有机发光二极管为顶发射型有机发光二极管时，多个有机发光二极管的阴极互相电连接，并形成为整面电极。随着显示面板的尺寸的增加，整面电极在显示时的电阻压降(IRdrop)会导致显示面板亮度不均匀。为了解决上述问题，通常在显示面板中设置辅助阴极线，然后通过过孔将辅助电极与阴极电连接，形成并连接过，降低信号传递过程中的电阻压降。如图1中所示，所述显示面板的像素单元包括发光单元I和透明显示区II。发光单元设置有发光元件，辅助电极100设置在发光单元，且位于发光元件下方，通过阴极辅助连接过孔110a将辅助电极100与整面电极电连接，而阴极辅助连接过孔110a底部则是不透明的辅助电极100。当显示面板发光时，如图2所示，由于阴极辅助连接过孔110a位于发光单元中并贯穿发光元件，使得被阴极辅助连接过孔110a占据部分不仅无法发光，还露出了辅助电极100，从而影响了显示面板的正常发光。因此，如何既能够降低电阻压降、又不影响显示面板的正常发光成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示基板、该显示基板的制造方法和包括所述显示基板的显示面板。所述显示基板具有较大的开口率，既具有较低的电阻压降，又能够正常发光显示。为了实现上述目的，作为本专利技术的一个方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括显示区，所述显示区被划分为多个像素单元，所述像素单元包括发光单元和透明显示单元，所述发光单元内设置有发光元件，所述发光元件包括第一电极、发光功能层和第二电极，所述第二电极位于所述发光元件的出光侧，多个发光元件的第二电极形成为具有一体结构的第二电极层，所述显示基板还包括位于所述发光单元内的辅助电极，且所述辅助电极位于所述发光元件背离出光侧的一侧，所述辅助电极由金属材料制成，其中，所述显示基板还包括多个由透明导电材料制成的辅助连接件，所述辅助连接件的一部分位于所述发光单元内，所述辅助连接件的另一部分位于所述透明显示单元内，所述辅助电极与所述辅助连接件位于所述发光单元内的部分电连接，所述第二电极层与所述辅助连接件位于透明显示单元内的部分电连接。优选地，所述辅助连接件由透明的半导体材料导体化形成。优选地，所述发光单元内还设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述发光元件背离出光侧的一侧，所述薄膜晶体管包括源漏电极层和栅极层，所述薄膜晶体管具有顶栅结构，所述辅助电极与所述源漏电极层同层设置。优选地，所述辅助连接件与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，并由于所述有源层相同的半导体材料导体化后形成，所述显示基板包括覆盖所述透明显示单元以及所述像素单元的层间绝缘层和钝化层，所述层间绝缘层设置覆盖所述栅极层，以将所述源漏电极层与所述栅极层绝缘间隔，所述钝化层覆盖所述源漏电极层，所述第二电极层通过位于所述透明显示单元内的辅助连接过孔与所述辅助连接件电连接，且所述辅助连接过孔贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层。优选地，所述显示基板包括衬底基板、形成在所述衬底基板上的遮光层和覆盖所述遮光层以及所述衬底基板上未设置所述遮光层的部分的缓冲层，所述薄膜晶体管设置在所述缓冲层上，所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层的范围内。优选地，所述薄膜晶体管的源漏电极层包括源极和漏极，所述漏极通过缓冲连接过孔与所述遮光层电连接。作为本专利技术的第二个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括显示基板，其中，所述显示基板为本专利技术所提供的上述显示基板。作为本专利技术的第三个专利技术，提供一种显示基板的制造方法，其中，所述制造方法包括：提供衬底基板，所述衬底基板被划分为多个像素单元，所述像素单元包括发光单元和透明显示区；形成辅助电极和多个辅助连接件，所述辅助连接件由透明导电材料制成，且所述辅助连接件的一部分位于所述发光单元内，所述辅助连接件的另一部分位于所述透明显示单元内，所述辅助电极位于所述发光单元内，且所述辅助电极与所述辅助连接件位于发光单元内的部分电连接；在所述发光单元内形成发光元件，所述发光元件包括第一电极、发光功能层和第二电极，多个发光元件的第二电极形成为具有一体结构的第二电极层，且所述第二电极与所述辅助电极层电连接。优选地，所述制造方法还包括在所述发光单元内形成发光元件的步骤之前进行的在发光单元内形成薄膜晶体管的步骤，包括：形成包括有源层的图形；形成栅绝缘层；形成包括栅极层的图形；形成层间绝缘层；形成包括源漏层的图形；形成钝化层，其中，形成辅助电极的步骤与形成包括栅极层的图形的步骤同步进行，或者，形成辅助电极的步骤与形成包括源漏层的图形的步骤同步进行。优选地，形成辅助连接件的步骤包括：与形成包括有源层的图形的步骤同步进行的形成初始辅助连接件的步骤；以及对所述初始辅助连接件进行导体化以获得所述辅助连接件的步骤。优选地，在形成包括栅极层的图形之后进行对所述初始辅助连接件进行导体化以获得所述辅助连接件的步骤。优选地，在形成包括源漏层的图形的步骤中形成所述辅助电极，所述钝化层和所述层间绝缘层均覆盖所述发光单元和所述透明显示区，所述制造方法还包括在形成源漏层的图形的步骤之前进行的：形成贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层的辅助连接过孔，其中，所述第二电极层通过所述辅助连接过孔与所述辅助连接件电连接。优选地，所述制造方法还包括在提供衬底基板的步骤和形成薄膜晶体管的步骤之间进行的：在衬底基板上形成遮光图形层；形成覆盖所述衬底基板和所述衬底基板上未设置所述遮光图形层的部分的缓冲层，其中，所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光图形层的范围内。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是相关技术的显示面板中，像素单元的示意图；图2是图1中的像素单元发光后的示意图；图3是本专利技术所提供的显示基板中的像素单元的示意图；图4是图3中显示基板的局部剖视图；图5是本专利技术所提供的显示面板中的像素单元发光后的示意图；图6是本专利技术所提供的显示基板的制造方法的流程图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术的一个方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括显示区，所述显示区被划分为多个像素单元，如图3所示，所述像素单元包括发光单元I和透明显示单元II。发光单元I内设置有发光元件200。如图4所示，发光元件200包括第一电极210、发光功能层220和第二电极230，第二电极230位于该发光元件200的出光侧，多个发光元件200的第二电极230形成为具有一体结构的第二电极层。所述显示基板还包括位于发光单元内的辅助电极100，其中，所述显示基板还包括多个由透明导电材料制成的辅助连接件110，该辅助连接件110的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，所述显示基板包括显示区，所述显示区被划分为多个像素单元，所述像素单元包括发光单元和透明显示单元，所述发光单元内设置有发光元件，所述发光元件包括第一电极、发光功能层和第二电极，所述第二电极位于所述发光元件的出光侧，多个发光元件的第二电极形成为具有一体结构的第二电极层，所述显示基板还包括位于所述发光单元内的辅助电极，且所述辅助电极位于所述发光元件背离出光侧的一侧，所述辅助电极由金属材料制成，其特征在于，所述显示基板还包括多个由透明导电材料制成的辅助连接件，所述辅助连接件的一部分位于所述发光单元内，所述辅助连接件的另一部分位于所述透明显示单元内，所述辅助电极与所述辅助连接件位于所述发光单元内的部分电连接，所述第二电极层与所述辅助连接件位于透明显示单元内的部分电连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，所述显示基板包括显示区，所述显示区被划分为多个像素单元，所述像素单元包括发光单元和透明显示单元，所述发光单元内设置有发光元件，所述发光元件包括第一电极、发光功能层和第二电极，所述第二电极位于所述发光元件的出光侧，多个发光元件的第二电极形成为具有一体结构的第二电极层，所述显示基板还包括位于所述发光单元内的辅助电极，且所述辅助电极位于所述发光元件背离出光侧的一侧，所述辅助电极由金属材料制成，其特征在于，所述显示基板还包括多个由透明导电材料制成的辅助连接件，所述辅助连接件的一部分位于所述发光单元内，所述辅助连接件的另一部分位于所述透明显示单元内，所述辅助电极与所述辅助连接件位于所述发光单元内的部分电连接，所述第二电极层与所述辅助连接件位于透明显示单元内的部分电连接。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述辅助连接件由透明的半导体材料导体化形成。3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述发光单元内还设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述发光元件背离出光侧的一侧，所述薄膜晶体管包括源漏电极层和栅极层，所述薄膜晶体管具有顶栅结构，所述辅助电极与所述源漏电极层同层设置。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述辅助连接件与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，并由于所述有源层相同的半导体材料导体化后形成，所述显示基板包括覆盖所述透明显示单元以及所述像素单元的层间绝缘层和钝化层，所述层间绝缘层设置覆盖所述栅极层，以将所述源漏电极层与所述栅极层绝缘间隔，所述钝化层覆盖所述源漏电极层，所述第二电极层通过位于所述透明显示单元内的辅助连接过孔与所述辅助连接件电连接，且所述辅助连接过孔贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层。5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括衬底基板、形成在所述衬底基板上的遮光层和覆盖所述遮光层以及所述衬底基板上未设置所述遮光层的部分的缓冲层，所述薄膜晶体管设置在所述缓冲层上，所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层的范围内。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源漏电极层包括源极和漏极，所述漏极通过缓冲连接过孔与所述遮光层电连接。7.一种显示面板，所述显示面板包括显示基板，其特征在于，所述显示基板为权利要求1至6中...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘威，韩影，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11