有机EL显示装置和有源矩阵基板制造方法及图纸

提供能使要求特性不同的多个氧化物半导体TFT适当地混合存在于有机EL显示装置和有源矩阵基板的构成。有机EL显示装置具备基板和设置于各像素的像素电路。像素电路包括包含第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和包含第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT。第1氧化物半导体TFT具有顶栅结构。第2氧化物半导体TFT具有底栅结构。第2氧化物半导体TFT具有屏蔽电极，上述屏蔽电极设置于在第2氧化物半导体层上形成的绝缘层上，与第2氧化物半导体层相对。

Organic EL Display Device and Active Matrix Substrate

【技术实现步骤摘要】
有机EL显示装置和有源矩阵基板
本专利技术涉及有机EL显示装置和有源矩阵基板，特别是涉及具备氧化物半导体TFT的有机EL显示装置和有源矩阵基板。
技术介绍
近年来，随着OLED(OrganicLightEmittingDiode：有机发光二极管)技术的进步，从大型电视机到高清晰的智能手机，具备有机EL(电致发光)显示装置作为显示部的产品正在普及。另外，作为OLED的背板用的TFT(薄膜晶体管)，已提出使用适合大面积/高清晰的氧化物半导体TFT来代替目前广泛使用的LTPS(低温多晶硅)-TFT(例如专利文献1)，用更便宜的工艺来制造高性能的TFT的需求在增长。一般的有机EL显示装置的像素电路包括2个TFT和1个电容元件(保持电容)。2个TFT中的一个TFT被称为选择用TFT，另一个TFT被称为驱动用TFT。在图14中示出有机EL显示装置的像素电路的例子。图14是表示底部发光方式的有机EL显示装置的像素电路900Pc的截面图。图14所示的像素电路900Pc包括选择用TFT910及驱动用TFT920和保持电容930。选择用TFT910具有栅极电极911、栅极绝缘层912、氧化物半导体层91本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机EL显示装置，具有按矩阵状排列的多个像素，上述有机EL显示装置的特征在于，具备：基板；以及像素电路，其设置于上述多个像素中的每一像素，上述像素电路包括支撑于上述基板的多个氧化物半导体TFT，上述多个氧化物半导体TFT包括具有第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和具有第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT，上述第1氧化物半导体TFT具有：上述第1氧化物半导体层，其设置于在上述基板上形成的第1绝缘层上；第1栅极绝缘层，其设置于上述第1氧化物半导体层上；第1栅极电极，其设置于上述第1栅极绝缘层上，与上述第1氧化物半导体层相对；以及第1源极电极和第1漏极电极，其电连接到上述第1氧...

【技术特征摘要】
2017.10.20 JP 2017-2033501.一种有机EL显示装置，具有按矩阵状排列的多个像素，上述有机EL显示装置的特征在于，具备：基板；以及像素电路，其设置于上述多个像素中的每一像素，上述像素电路包括支撑于上述基板的多个氧化物半导体TFT，上述多个氧化物半导体TFT包括具有第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和具有第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT，上述第1氧化物半导体TFT具有：上述第1氧化物半导体层，其设置于在上述基板上形成的第1绝缘层上；第1栅极绝缘层，其设置于上述第1氧化物半导体层上；第1栅极电极，其设置于上述第1栅极绝缘层上，与上述第1氧化物半导体层相对；以及第1源极电极和第1漏极电极，其电连接到上述第1氧化物半导体层，上述第2氧化物半导体TFT具有：第2栅极电极，其设置于上述基板上；第2栅极绝缘层，其以覆盖上述第2栅极电极的方式设置；上述第2氧化物半导体层，其设置于上述第2栅极绝缘层上，与上述第2栅极电极相对；第2源极电极和第2漏极电极，其电连接到上述第2氧化物半导体层；以及屏蔽电极，其设置于在上述第2氧化物半导体层上形成的第2绝缘层上，与上述第2氧化物半导体层相对。2.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，上述像素电路包括选择用TFT、驱动用TFT以及电容元件，上述第2氧化物半导体TFT是上述驱动用TFT。3.根据权利要求2所述的有机EL显示装置，上述第1氧化物半导体TFT是上述选择用TFT。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有机EL显示装置，上述第2氧化物半导体TFT的沿着沟道长度方向的上述第2栅极电极的长度大于沿着上述沟道长度方向的上述屏蔽电极的长度。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的有机EL显示装置，对上述屏蔽电极提供固定电位。6.根据权利要求5所述的有机EL显示装置，上述固定电位是接地电位。7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的有机EL显示装置，对上述屏蔽电极提供与上述第2栅极电极相同的电位。8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有机EL显示装置，上述第1绝缘层和上述第2栅极绝缘层形成于同一层，上述第1氧化物半导体层和上述第2氧化物半导体层形成于同一层，上述第1栅极绝缘层和上述第2绝缘层形成于同一层，上述第1栅极电极和上述屏蔽电极形成于同一层，上述第1源极电极、上述第1漏极电极、上述第2源极电极以及上述第2漏极电极形成于同一层。9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的有机EL显示装置，还具备：保护层，其覆盖上述像素电路；像素电极，其设置于上述保护层上，电连接到上述像素电路；有机EL层，其设置于上述像素电极上；以及上部电...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本忠芳，细川真里，中村好伸，锦博彦，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP