【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置，该半导体装置具有将金属图案和半导体元件通过焊料进行接合的构造。
技术介绍
当前，存在下述半导体装置，该半导体装置具有将金属图案和半导体元件通过焊料进行接合的构造。就该半导体装置而言，当在半导体元件的正下方设置的焊料熔融时，无法将焊料的厚度保持均等，存在有时接合后的半导体元件倾斜这样的问题。作为上述问题的对策，当前，提出了下述方法，即，在配置半导体元件的部位预先设置导线键合，确保该导线键合的直径的量的厚度。另外，公开了具有以将焊料包围的方式设置的阻挡层(resist)的半导体装置(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2006-49777号公报但是，确保导线键合的直径的量的厚度的方法需要追加用于设置导线键合的工序，存在耗费生产时间及生产成本等问题。另外，在专利文献1中，无法抑制半导体元件的倾斜。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述的问题而提出的，其目的在于提供能够抑制半导体元件的倾斜的半导体装置。为了解决上述的课题，本专利技术涉及的半导体装置具有阻挡层，该阻挡层设置为在金属图案之上具有开口部，所述阻挡层具有向所述开口...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有阻挡层，该阻挡层设置为在金属图案之上具有开口部，所述阻挡层具有向所述开口部内凸出的凸起部，该半导体装置还具有：半导体元件，其外形尺寸小于所述开口部的除了所述凸起部以外的外形尺寸；以及焊料，其设置在所述开口部内，将所述金属图案和所述半导体元件接合，所述阻挡层具有多个所述凸起部，多个所述凸起部在俯视观察时与所述半导体元件重叠，且对所述半导体元件的厚度方向进行限制。
【技术特征摘要】
2017.10.24 JP 2017-2050371.一种半导体装置，其特征在于，具有阻挡层，该阻挡层设置为在金属图案之上具有开口部，所述阻挡层具有向所述开口部内凸出的凸起部，该半导体装置还具有：半导体元件，其外形尺寸小于所述开口部的除了所述凸起部以外的外形尺寸；以及焊料，其设置在所述开口部内，将所述金属图案和所述半导体元件接合，所述阻挡层具有多个所述凸起部，多个所述凸起部在俯视观察时与所述半导体元件重叠，且对所述半导体元件的厚度方向进行限制。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述开口部为四边形，所述阻挡层在所述开口部的各边至少具有1个所述凸起部。3.根据权利要求1或2所述的半导体装...
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