【技术实现步骤摘要】
带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法
本专利技术涉及带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法。
技术介绍
随着LSI的高集成化，半导体器件所要求的电路线宽逐年微细化。为了在半导体器件中形成期望的电路图案，而采用如下方法：使用缩小投影型曝光装置，将在石英上形成的高精度的原画图案(掩模，或者特别是在步进器或扫描仪中使用的情况下也称为十字线(reticle)。)缩小转印到晶片上。高精度的原画图案由电子束描绘装置描绘，使用所谓电子束光刻技术。在电子束描绘装置中，由于各种因素，能够产生在描绘中电子束的照射位置随着时间经过而偏移的被称为射束漂移的现象。为了消除该射束漂移，进行漂移校正。在漂移校正中，用电子束扫描在工作台上配置的标记基板上形成的测定用标记，测定电子束的照射位置，求出漂移量。测定用标记例如是点形状或十字形状的金属图案。作为描绘对象的试样(掩模)的厚度通常因公差而按每个试样而不同。另外，在载置于工作台上的标记基板产生挠曲或倾斜。因此，标记基板的表面的高度与试样的表面的高度不同，在标记表面的漂移量与试样表面的漂移量之间产生了误差。为了高精度地进行漂移校正，需要考虑...
【技术保护点】
1.一种带电粒子束描绘装置，其特征在于，具备：描绘部，对载置于工作台的作为描绘对象的基板照射带电粒子束而描绘图案；标记基板，设置在所述工作台上，形成有标记；照射位置检测器，通过所述带电粒子束对所述标记的照射来检测所述标记表面上的所述带电粒子束的照射位置；高度检测器，通过激光的照射及反射光的接受来检测所述基板的表面的高度及所述标记基板的表面的高度；漂移校正部，根据由所述照射位置检测器检测出的所述照射位置来计算所述标记表面上的所述带电粒子束的漂移量，并基于该漂移量来计算漂移校正量；以及描绘控制部，使用所述漂移校正量来校正所述带电粒子束的照射位置，所述标记基板具有形成有多个所述标...
【技术特征摘要】
2017.10.20 JP 2017-2036671.一种带电粒子束描绘装置，其特征在于，具备：描绘部，对载置于工作台的作为描绘对象的基板照射带电粒子束而描绘图案；标记基板，设置在所述工作台上，形成有标记；照射位置检测器，通过所述带电粒子束对所述标记的照射来检测所述标记表面上的所述带电粒子束的照射位置；高度检测器，通过激光的照射及反射光的接受来检测所述基板的表面的高度及所述标记基板的表面的高度；漂移校正部，根据由所述照射位置检测器检测出的所述照射位置来计算所述标记表面上的所述带电粒子束的漂移量，并基于该漂移量来计算漂移校正量；以及描绘控制部，使用所述漂移校正量来校正所述带电粒子束的照射位置，所述标记基板具有形成有多个所述标记的图案区域、以及未形成图案的非图案区域，该非图案区域的至少一部分配置在该图案区域之间，所述高度检测器检测所述非图案区域内的检测点的高度。2.根据权利要求1所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，所述高度检测器检测所述非图案区域内的检测点的高度，作为所述标记基板表面的高度，以使所述基板的表面的高度与所述标记基板的表面的高度之差成为规定值以下的方式调整所述基板的高度。3.根据权利要求2所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，所述图案区域为多边环状、圆环状或C字形，包含所述检测点的非图案区域设置于所述图案区域的内侧。4.根据权利要求3所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，所述检测点位于所述非图案区域的中心部。5.根据权利要求3所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，在所述标记基板形成有多个在内侧设有所述非图案区域的所述图案区域。6.根据权利要求1所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，所述高度检测器检测所述非图案区域内的多个检测点的高度，以使所述基板的表面的高度与基于所述多个检测点的高度的、所述标记基板的表面的高度之差成为规定值以下的方式调整所述基板的高度。7.根据权利要求6所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，所述图案区域为多边环状、圆环状或C字形，包含所述检测点的非图案区域设置于所述图案区域的内侧和外侧...
【专利技术属性】
技术研发人员：中山贵仁，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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