电子枪、掩膜版制备方法及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭示了一种电子枪，所述电子枪包括：枪体及电子抑制结构，所述枪体具有一发射端，所述电子抑制结构固设于所述发射端，并位于所述发射端的开口的径向外侧，所述电子抑制结构用于在所述电子枪使用时接地，所述枪体产生的电子束自所述发射端发射，所述电子抑制结构吸收所述电子束发射至目标后反弹的电子。于是，借助于所述电子抑制结构，有效改善了电子束经目标后反复反弹的状况，降低了对目标的影响。由此进行的掩膜版制备，可以有效降低电子束对掩膜版的影响，提高掩膜版的精度。

Electron gun, mask preparation method and semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
电子枪、掩膜版制备方法及半导体装置
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种电子枪、掩膜版制备方法及半导体装置。
技术介绍
光刻工艺是半导体制造加工过程中的重要环节之一，其主要过程是借助于精密仪器将制备在掩膜版(亦称为光罩)上的图形经一定倍率后放大至基底上，从而实现电路器件的制备。由于光刻过程中涉及图形尺寸很小，受光学效应影响的可能性较大，因此，如何使得掩膜版图形更为精确，就成为了业界一直在关注和攻坚的难题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电子枪、掩膜版制备方法及半导体装置，改善电子束对掩膜版的影响，提高掩膜版的质量。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种电子枪，包括：枪体及电子抑制结构，所述枪体具有一发射端，所述电子抑制结构固设于所述发射端，并位于所述发射端的开口的径向外侧，所述电子抑制结构用于在所述电子枪使用时接地，所述枪体产生的电子束自所述发射端发射，所述电子抑制结构吸收所述电子束发射至目标后反弹的电子。可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构呈环状，套装于所述发射端。可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构的开口面积大于所述发射端的开口面积。可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构呈圆环状。可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构的内径为5cm～10cm，宽度为1cm～1.5cm。可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构可拆卸安装于所述发射端，或者，所述电子抑制结构永久性安装于所述发射端。可选的，对于所述的电子枪，所述发射端突出于所述电子抑制结构5cm～10cm。可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构的材质为导体。可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构的材质为碳及其合金中的至少一种。可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构上具有若干沿环绕所述电子束的方向间隔排列的凹陷。可选的，对于所述的电子枪，所述凹陷朝向所述目标。可选的，对于所述的电子枪，所述凹陷为凹槽。本专利技术还提供一种掩膜版制造方法，利用所述的电子枪进行图形制备。本专利技术还提供一种半导体装置，包括所述的电子枪。本专利技术提供的电子枪中，所述电子枪包括：枪体及电子抑制结构，所述枪体具有一发射端，所述电子抑制结构固设于所述发射端，并位于所述发射端的开口的径向外侧，所述电子抑制结构用于在所述电子枪使用时接地，所述枪体产生的电子束自所述发射端发射，所述电子抑制结构吸收所述电子束发射至目标后反弹的电子。于是，借助于所述电子抑制结构，有效改善了电子束经目标后反复反弹的状况，降低了对目标的影响。由此进行的掩膜版制备，可以有效降低电子束对掩膜版的影响，提高掩膜版的精度。附图说明图1为一种掩膜版的示意图；图2为一种电子枪对掩膜版进行加工时的示意图；图3为本专利技术一个实施例中电子枪的示意图；图4为本专利技术一个实施例中电子抑制结构的平面示意图；图5为本专利技术另一个实施例中电子枪的示意图；图6为本专利技术一个实施例中枪体的示意图；图7为本专利技术一个实施例中电子枪对掩膜版进行加工时的示意图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的电子枪、掩膜版制备方法及半导体装置进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。专利技术人经过长期研究后发现，如图1所示，掩膜版10包括图案区11，图案区11通常采用电子枪制备，例如，可以采用由上至下等规律性的制备顺序。图1中示意性的示出了先制备上半部分111，然后制备下半部分209。如图2所示，电子枪的枪体20发射出电子束24，以在掩膜版10上形成所需图案。在电子束24与掩膜版10接触时，会存在一些电子被反弹，例如反弹至电子枪发射端21上，并经由发射端21继续反弹至掩膜版10。那么在这一过程中，随着反射的电子不断持续，会对掩膜版10造成损伤，不论是未被加工的区域，还是已经形成图案的区域，都会受到影响。基于此，专利技术人改善了电子枪，在一个实施例中，如图3所示，本专利技术的电子枪包括：枪体20及电子抑制结构30，所述枪体20具有一发射端21，所述电子抑制结构30固设于所述发射端21，并位于所述发射端的开口22的径向外侧，所述电子抑制结构30用于在所述电子枪使用时接地，所述枪体20产生的电子束自所述发射端21发射，所述电子抑制结构30吸收所述电子束发射至目标后反弹的电子。所述发射端21可以是呈锥形，即在锥形的顶端为发射端的开口22，当然，所述发射端21的开口22具有一尺寸，因而该锥形具体可以为削顶锥形。在一个实施例中，所述电子抑制结构30呈环状，套装于所述发射端21。在一个实施例中，所述电子抑制结构30可拆卸安装于所述发射端21。例如，可以是通过一固定装置31安装于所述发射端21上，所述固定装置可以是螺栓。在一个实施例中，所述电子抑制结构30还可以安装在其他处，例如安装在枪体20上，并延伸至所述发射端21。相比而言，采用安装在发射端21上能够降低所占据的面积，且同时具有较好的电子吸附效果。借助于固定装置31，可以实现电子抑制结构30的拆卸，例如进行清洗、更换等，可以节省电子枪的成本。在一个实施例中，所述发射端21突出于所述电子抑制结构30的间距H为5cm～10cm。可选的，使得所述发射端21的开口22突出所述电子抑制结构30，具体突出的间距可以由实际工作情况进行调节。基于此，所述固定装置31还可以调整伸缩长度，以控制所述电子抑制结构30与所述开口22的相对位置。可以理解的是，所述电子抑制结构30的开口面积大于所述发射端21的开口22面积，从而可以实现套装设计。进一步的，请结合图4，可知例如所述电子抑制结构30呈圆环状。在一个实施例中，所述电子抑制结构30的内径D2为5cm～10cm，所述发射端21的开口22直径D1为50μm～200μm，此外，所述电子抑制结构30的宽度W为1cm～1.5cm。可以通过对内径和宽度的调节，改变电子抑制结构30的面积，以提高或降低对反射电子的吸附能力。在一个实施例中，所述电子抑制结构30上还可以具有凹陷，例如，所述凹陷可以是在所述电子抑制结构30上排布有的多个凹槽32，从而增大电子抑制结构30的面积，同时并未改变电子抑制结构30所占据的体积。进一步的，可以是若干沿环绕所述电子束的方向间隔排列的所述凹槽32。进一步的，所述凹槽32可以是并未穿透所述电子抑制结构30。进一步的，所述凹槽32均匀排布，以使得所述电子抑制结构30在吸附电子时更均匀，效果更好。此外，所述凹槽32可以是一圈、多圈，或者是多个弧形的凹槽等。文中所称的凹槽，包括多种形状，例如，可以是如图4所示的孔洞状结构，也可以是长条状的结构，以及其他不规则状结构，亦包含在本专利技术的思想之内。在一个实施例中，所述凹陷朝向目标处，从而可以更好的实现对反射电子的吸附效果。可以理解的是，依据实际需求，可以灵活调整凹陷的数量及朝向，以提高或降低对反射电子的吸附能力。所述电子抑制结构30可以选择为导体，例如，可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子枪，其特征在于，包括：枪体及电子抑制结构，所述枪体具有一发射端，所述电子抑制结构固设于所述发射端，并位于所述发射端的开口的径向外侧，所述电子抑制结构用于在所述电子枪使用时接地，所述枪体产生的电子束自所述发射端发射，所述电子抑制结构吸收所述电子束发射至目标后反弹的电子。

【技术特征摘要】
1.一种电子枪，其特征在于，包括：枪体及电子抑制结构，所述枪体具有一发射端，所述电子抑制结构固设于所述发射端，并位于所述发射端的开口的径向外侧，所述电子抑制结构用于在所述电子枪使用时接地，所述枪体产生的电子束自所述发射端发射，所述电子抑制结构吸收所述电子束发射至目标后反弹的电子。2.如权利要求1所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构呈环状，套装于所述发射端。3.如权利要求2所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构的开口面积大于所述发射端的开口面积。4.如权利要求2所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构呈圆环状。5.如权利要求4所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构的内径为5cm～10cm，宽度为1cm～1.5cm。6.如权利要求1所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构可拆卸安装于所述发射端...

【专利技术属性】
技术研发人员：李传，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31