高穿透性液晶显示面板制造方法及其显示面板技术

本发明专利技术公开一种高穿透性液晶显示面板制造方法，包括：折射率渐变层形成步骤、栅极绝缘层形成步骤、第一层间绝缘层形成步骤以及第二层间绝缘层形成步骤。所述折射率渐变层形成步骤包括沉积氮化硅层到玻璃基板上，接着沉积折射率渐变层到所述氮化硅层上，其中所述折射率渐变层以氧化硅制造，且所述折射率渐变层包括下折射率递减层以及下折射率恒定层，所述下折射率递减层的折射率是沿着远离所述氮化硅层的方向而逐渐递减，所述下折射率恒定层是沉积在所述下折射率递减层上。本发明专利技术可降低光在多膜层间的反射率，从而提升显示面板的透光性。

Manufacturing method and display panel of high penetration liquid crystal display panel

【技术实现步骤摘要】
高穿透性液晶显示面板制造方法及其显示面板
本专利技术是有关于一种显示面板制造方法，尤指一种高穿透性液晶显示面板制造方法以及高穿透性液晶显示面板，其可降低光在多膜层间的反射率，从而提升所述高穿透性液晶显示面板的透光性。
技术介绍
近年来，在薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidDisplay,TFT-LCD)逐渐往节电化、高清晰化及提高色再现性等项目进行开发。其中提高穿透性能以提升TFT-LCD的亮度并减少电力损耗，是各家面板厂都在想办法攻克的难关。TFT-LCD面板的穿透性是指背光源透过TFT-LCD面板前后的光强之比例。通常情况下TFT-LCD的透光率只有3-10％，也就是说超过90％的光是无法得到利用的。对于TFT来说，除了金属走线外，对穿透率影响较大的还有由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铟锡(IndiumTinOxide,ITO)，平坦层等材料构成的多层膜结构。每层膜的折射率和厚度都会对多层膜的整体穿透率产生影响。因此，可以通过调节每层膜的膜质、厚度、膜层结构等参数来提高多层膜的穿透率。已知光穿过多层膜的界面时，会在界面处产生反射和折射。每个界面间的反射率计算式为：R＝(n2-n1)2/(n2+n1)2，其中R、n1、n2分别为反射率以及界面两侧薄膜的折射率。由上式可知界面处两层膜的折射率之差越小，反射率越低，穿透性越高。通常情况下由于氧化硅(SiOx)层的折射率(1.45)与氮化硅(SiNx)层的折射率(1.92)差值较大，故在界面处反射率较高，会造成穿透性下降。故，有必要提供一种高穿透性液晶显示面板制造方法以及高穿透性液晶显示面板，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴现有技术的液晶显示器的穿透率不足的缺点，本专利技术提供一种高穿透性液晶显示面板制造方法以及高穿透性液晶显示面板。本专利技术的主要目的在于提供一种高穿透性液晶显示面板制造方法，包括：折射率渐变层形成步骤，包括沉积氮化硅层到玻璃基板上，接着沉积折射率渐变层到所述氮化硅层上，其中所述折射率渐变层以氧化硅制造，且所述折射率渐变层包括下折射率递减层以及下折射率恒定层，所述下折射率递减层的折射率是沿着远离所述氮化硅层的方向而逐渐递减，所述下折射率恒定层是沉积在所述下折射率递减层上；栅极绝缘层形成步骤，包括沉积栅极绝缘层到所述折射率渐变层上；第一层间绝缘层形成步骤，包括沉积第一层间绝缘层到所述栅极绝缘层上，其中所述第一层间绝缘层包括中折射率递增层、中折射率恒定层以及中折射率递减层；所述中折射率递增层的折射率是沿着远离所述栅极绝缘层的方向而逐渐递增；所述中折射率恒定层形成在所述中折射率递增层上，且所述中折射率恒定层的折射率为恒定；所述中折射率递减层的折射率是沿着远离所述中折射率恒定层的方向而逐渐递减；以及第二层间绝缘层形成步骤，包括沉积第二层间绝缘层到所述第一层间绝缘层上。在本专利技术一实施例中，所述第二层间绝缘层包括上折射率递减层、以及上折射率恒定层；所述上折射率递减层的折射率是沿着远离所述第一层间绝缘层的方向而递减；所述上折射率恒定层形成在所述上折射率递减层上，且所述上折射率恒定层的折射率为恒定。在本专利技术一实施例中，所述折射率渐变层的氧化硅是由四乙氧基硅烷以及氧气作为反应物，通过等离子体增强化学气相沉积法进行化学反应而生成；所述下折射率递减层是通过不断改反应四乙氧基硅烷/氧气比例、以及等离子体增强化学气相沉积法中生成等离子体之功率使氧化硅的膜质由致密逐渐变疏松而形成，使得所述下折射率递减层中形成折射率由高到低的梯度区域。在本专利技术一实施例中，所述栅极绝缘层以氧化硅制造；所述第一层间绝缘层以氮化硅制造；所述第二层间绝缘层以氧化硅制造。在本专利技术一实施例中，所述第一层间绝缘层的氮化硅是由氨/硅甲烷作为反应物，通过等离子体增强化学气相沉积法进行化学反应而生成；所述中折射率递增层是通过不断改变氨/硅甲烷比例、以及等离子体增强化学气相沉积法中生成等离子体之功率使氮化硅的膜质由疏松逐渐变致密而形成，使得所述中折射率递增层中形成折射率由低到高的梯度区域；所述中折射率递减层是通过不断改变氨/硅甲烷比例、以及等离子体增强化学气相沉积法中生成等离子体之功率使氮化硅的膜质由致密逐渐变疏松而形成，使得所述中折射率递减层中形成折射率由高到低的梯度区域。在本专利技术一实施例中，所述第二层间绝缘层的所述上折射率递减层是通过不断改反应四乙氧基硅烷/氧气比例、以及等离子体增强化学气相沉积法中生成等离子体之功率使氧化硅的膜质由致密逐渐变疏松而形成，使得所述上折射率递减层中形成折射率由高到低的梯度区域。在本专利技术一实施例中，所述制造方法进一步包括：平坦层形成步骤，包括形成平坦层在所述第二层间绝缘层上；透明电极层形成步骤，包括形成透明电极层在所述平坦层上；以及钝化层形成步骤，包括形成钝化层在所述透明电极层上。在本专利技术一实施例中，所述透明电极层以氧化铟锡制造；所述钝化层以氮化硅制造。本专利技术的另一目的在于提供一种高穿透性液晶显示面板，包括：玻璃基板；氮化硅层，形成在所述玻璃基板上；折射率渐变层，形成在所述氮化硅层上，且包括下折射率递减层以及下折射率恒定层；所述下折射率递减层是形成在所述氮化硅层上，且所述下折射率递减层的折射率是沿着远离所述氮化硅层的方向而逐渐递减；所述下折射率恒定层是形成在所述下折射率递减层上；栅极绝缘层，形成在所述折射率渐变层上；第一层间绝缘层，形成在所述栅极绝缘层，且包括中折射率递增层、中折射率恒定层以及中折射率递减层；所述中折射率递增层的折射率是沿着远离所述栅极绝缘层的方向而逐渐递增；所述中折射率恒定层形成在所述中折射率递增层上，且所述中折射率恒定层的折射率为恒定；所述中折射率递减层的折射率是沿着远离所述中折射率恒定层的方向而逐渐递减；以及第二层间绝缘层，形成在所述第一层间绝缘层，且包括上折射率递减层、以及上折射率恒定层；所述上折射率递减层的折射率是沿着远离所述第一层间绝缘层的方向而递减；所述上折射率恒定层形成在所述上折射率递减层上，且所述上折射率恒定层的折射率为恒定。在本专利技术一实施例中，所述栅极绝缘层为氧化硅层。相较于现有技术，本专利技术通过所述折射率渐变层的所述下折射率递减层以及所述下折射率恒定层、所述第一层间绝缘层的所述中折射率递增层以及所述中折射率递减层、以及所述第二层间绝缘层的所述上折射率递减层，使得多个膜层间的折射率能够以逐渐递增或递减的方式相互衔接，故本专利技术可避免相邻膜层间界面的反射率过大而降低穿透率的问题，进而提升显示面板的亮度且降低其耗电。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，幷配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1是本专利技术所依据的氧化硅(SiOx)层与氮化硅(SiNx)层之间的折射率与穿透率变化关系说明剖面示意图。图2是本专利技术所依据的氧化硅(SiOx)层与氮化硅(SiNx)层之间的折射率与穿透率变化关系的另一说明剖面示意图。图3是本专利技术高穿透性液晶显示面板的侧面剖视示意图。图4是本专利技术高穿透性液晶显示面板制造方法的步骤流程示意图。具体实施方式为了改善此现有技术的液晶显示器中的多膜层间反射率大而导致穿透率低的问题，本专利技术藉由改变界面处薄膜的致密程度来改变折射率，形成具有折射率梯度的界面，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高穿透性液晶显示面板制造方法，其特征在于：所述高穿透性液晶显示面板制造方法包括：折射率渐变层形成步骤，包括沉积氮化硅层到玻璃基板上，接着沉积折射率渐变层到所述氮化硅层上，其中所述折射率渐变层以氧化硅制造，且所述折射率渐变层包括下折射率递减层以及下折射率恒定层，所述下折射率递减层的折射率是沿着远离所述氮化硅层的方向而逐渐递减，所述下折射率恒定层是沉积在所述下折射率递减层上；栅极绝缘层形成步骤，包括沉积栅极绝缘层到所述折射率渐变层上；第一层间绝缘层形成步骤，包括沉积第一层间绝缘层到所述栅极绝缘层上，其中所述第一层间绝缘层包括中折射率递增层、中折射率恒定层以及中折射率递减层；所述中折射率递增层的折射率是沿着远离所述栅极绝缘层的方向而逐渐递增；所述中折射率恒定层形成在所述中折射率递增层上，且所述中折射率恒定层的折射率为恒定；所述中折射率递减层的折射率是沿着远离所述中折射率恒定层的方向而逐渐递减；以及第二层间绝缘层形成步骤，包括沉积第二层间绝缘层到所述第一层间绝缘层上。

【技术特征摘要】
1.一种高穿透性液晶显示面板制造方法，其特征在于：所述高穿透性液晶显示面板制造方法包括：折射率渐变层形成步骤，包括沉积氮化硅层到玻璃基板上，接着沉积折射率渐变层到所述氮化硅层上，其中所述折射率渐变层以氧化硅制造，且所述折射率渐变层包括下折射率递减层以及下折射率恒定层，所述下折射率递减层的折射率是沿着远离所述氮化硅层的方向而逐渐递减，所述下折射率恒定层是沉积在所述下折射率递减层上；栅极绝缘层形成步骤，包括沉积栅极绝缘层到所述折射率渐变层上；第一层间绝缘层形成步骤，包括沉积第一层间绝缘层到所述栅极绝缘层上，其中所述第一层间绝缘层包括中折射率递增层、中折射率恒定层以及中折射率递减层；所述中折射率递增层的折射率是沿着远离所述栅极绝缘层的方向而逐渐递增；所述中折射率恒定层形成在所述中折射率递增层上，且所述中折射率恒定层的折射率为恒定；所述中折射率递减层的折射率是沿着远离所述中折射率恒定层的方向而逐渐递减；以及第二层间绝缘层形成步骤，包括沉积第二层间绝缘层到所述第一层间绝缘层上。2.如权利要求1所述的高穿透性液晶显示面板制造方法，其特征在于：所述第二层间绝缘层包括上折射率递减层、以及上折射率恒定层；所述上折射率递减层的折射率是沿着远离所述第一层间绝缘层的方向而递减；所述上折射率恒定层形成在所述上折射率递减层上，且所述上折射率恒定层的折射率为恒定。3.如权利要求1所述的高穿透性液晶显示面板制造方法，其特征在于：所述折射率渐变层的氧化硅是由四乙氧基硅烷以及氧气作为反应物，通过等离子体增强化学气相沉积法进行化学反应而生成；所述下折射率递减层是通过不断改反应四乙氧基硅烷/氧气比例、以及等离子体增强化学气相沉积法中生成等离子体之功率使氧化硅的膜质由致密逐渐变疏松而形成，使得所述下折射率递减层中形成折射率由高到低的梯度区域。4.如权利要求1所述的高穿透性液晶显示面板制造方法，其特征在于：所述栅极绝缘层以氧化硅制造；所述第一层间绝缘层以氮化硅制造；所述第二层间绝缘层以氧化硅制造。5.如权利要求4所述的高穿透性液晶显示面板制造方法，其特征在于：所述第一层间绝缘层的氮化硅是由氨/硅甲烷作为反应物，通过等离子体增强化学气相沉积法进行化学反应而生成；所述中折射率递增层是通过不断改变氨/硅甲烷比例、以及等离子体增强化学气相沉积法中生成等离子体之功率使氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾飞，陆鹏，罗成志，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42