【技术实现步骤摘要】
一种研磨头和化学机械研磨装置
本专利技术涉及半导体制造领域,具体而言涉及一种研磨头和化学机械研磨装置。
技术介绍
随着集成电路制造过程中特征尺寸的缩小和金属互联的增加,对晶圆表面平整度的要求也越来越高。化学机械研磨(CMP)是将机械研磨和化学腐蚀结合的技术,是目前最有效的晶圆平坦化方法。化学机械研磨采用旋转的研磨头夹持住晶圆,并将其以一定压力压在旋转的研磨垫上,通过研磨浆料的作用,使晶圆表面在化学和机械的共同作用下实现平坦化。通常,半导体领域所使用的研磨装置包括研磨垫及设置于研磨垫上的研磨头。在对晶圆进行化学机械研磨时,研磨头吸附待研磨晶圆使待研磨晶圆的待研磨表面与研磨垫接触,在研磨头带动下,待研磨晶圆相对研磨垫旋转,同时在研磨液的作用下,完成对晶圆的研磨,其中研磨头通过限位环对研磨晶圆进行限制和固定。然而,限位环上往往存在微小起伏,这些微小起伏与研磨垫接触的过程中对研磨垫产生不同程度的刮擦损伤,使得研磨垫对后续晶圆的化学机械研磨造成损伤。同时,在限位环底部往往设置有用于将研磨副产物由晶圆表面从限位环内导出到限位环外的导流槽,在化学机械研磨过程中,往往在其倒流入口 ...
【技术保护点】
1.一种研磨头,其特征在于,所述研磨头包括限位环,所述限位环的底部设置为沿半径方向由内而外向下倾斜的斜面。
【技术特征摘要】
1.一种研磨头,其特征在于,所述研磨头包括限位环,所述限位环的底部设置为沿半径方向由内而外向下倾斜的斜面。2.如权利要求1所述的研磨头,其特征在于,所述限位环的底部的外端部设置为弧形。3.如权利要求1所述的研磨头,其特征在于,所述斜面相对于水平面倾斜的角度为2°-5°。4.如权利要求1所述的研磨头,其特征在于,所述斜面相对于水平面倾斜的角度为3.5°-3.8°。5.如权利要求1所述的研磨头,其特征在于,所述限位环的内径设置为较待研磨晶圆的直径大0.1mm-0.2mm。6.如权利要求1所述的研磨头,...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐强,马智勇,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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