包含多个选择门及不同偏压条件的存储器装置制造方法及图纸

一些实施例包含使用串联耦合于导电线与存储器装置的第一存储器单元串之间的第一及第二选择门以及串联耦合于所述导电线与所述存储器装置的第二存储器单元串之间的第三及第四选择门的设备及方法。所述存储器装置可包括第一选择线、第二选择线、第三选择线及第四选择线以在所述存储器装置的操作期间分别将第一电压、第二电压、第三电压及第四电压分别提供到所述第一选择门、所述第二选择门、所述第三选择门及所述第四选择门。所述第一电压及所述第二电压可具有相同值。所述第三电压及所述第四电压可具有不同值。

Memory devices with multiple selection gates and different bias conditions

Some embodiments include devices and methods using first and second selector gates coupled in series between the conductive wire and the first memory unit series of the memory device, and third and fourth selector gates coupled in series between the conductive wire and the second memory unit series of the memory device. The memory device may include a first selection line, a second selection line, a third selection line and a fourth selection line to provide the first voltage, a second voltage, a third voltage and a fourth voltage to the first selection gate, the second selection gate, the third selection gate and the fourth selection gate respectively during the operation of the memory device. The first voltage and the second voltage may have the same value. The third voltage and the fourth voltage may have different values.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含多个选择门及不同偏压条件的存储器装置优先权申请案本申请案主张2016年7月8日申请的序列号为15/205,574的美国申请案的优先权权益，所述美国申请案以全文引用方式并入本文中。
技术介绍
存储器装置被广泛用于计算机及许多电子物品中以存储信息。存储器装置通常具有数个存储器单元。存储器装置执行用以将信息存储于存储器单元中的写入操作、用以读取经存储信息的读取操作及用以从一些或全部存储器单元擦除信息(例如，过时信息)的擦除操作。在这些操作期间，可发生例如存储器单元附近的电流的泄漏的事件。此事件可降低存储器装置的一些操作(例如，读取及写入操作)的效率。然而，针对存储器装置的其它操作(例如，擦除操作)，此事件可为有用的。因此，设计存储器装置且操作其以平衡例如泄漏电流的事件的效应可提出挑战。附图说明图1展示根据本文中描述的一些实施例的呈存储器装置形式的设备的框图。图2A展示根据本文中描述的一些实施例的包含具有存储器单元串、选择电路及双漏极选择线的存储器阵列的存储器装置的部分的框图。图2B展示根据本文中描述的一些实施例的包含双漏极选择门的图2A的存储器装置的示意图。图2C展示根据本文中描述的一些实施例的图2B的存储器装置的部分的示意图。图2D是展示根据本文中描述的一些实施例的在存储器装置的读取、写入及擦除操作期间提供到图2A到图2C的存储器装置的信号的电压的实例值的图表。图2E是根据本文中描述的一些实施例的提供到图2A到图2C的存储器装置的变型的信号的电压的实例值的图表。图2F展示根据本文中描述的一些实施例的图2A到图2C的存储器装置的部分的结构的侧视图。图2G展示根据本文中描述的一些实施例的图2F的存储器装置的部分的结构的俯视图。图2H展示根据本文中描述的一些实施例的包含存储器装置的一些部分的侧壁的图2F的存储器装置的结构的部分的细节。图2I到图2M展示根据本文中描述的一些实施例的图2H的存储器装置的一些部分的不同侧壁之间的距离的变化及图2H的存储器装置200的部分的选择门的厚度的变化。图3A展示根据本文中描述的一些实施例的包含双漏极选择线及双源极选择线的另一存储器装置(其可为图2A的存储器装置的变型)的部分的框图。图3B展示根据本文中描述的一些实施例的包含双漏极选择门及双源极选择门的图3A的存储器装置的示意图。图3C展示根据本文中描述的一些实施例的图3B的存储器装置的部分的示意图。图3D是展示根据本文中描述的一些实施例的在存储器装置的读取、写入及擦除操作期间提供到图3A到图3C的存储器装置的信号的电压的实例值的图表。图3E是根据本文中描述的一些实施例的提供到图3A到图3C的存储器装置的变型的信号的电压的实例值的图表。图3F展示根据本文中描述的一些实施例的图3A到图3C的存储器装置的部分的结构的侧视图。图3G展示根据本文中描述的一些实施例的图3F的存储器装置的部分的结构的俯视图。图4A及图4B分别展示根据本文中描述的一些实施例的包含三漏极选择门及三源极选择门的存储器装置的部分的示意图及结构。图5A到图16展示根据本文中描述的一些实施例的形成包含多个选择门的存储器装置的过程。图17到图21展示根据本文中描述的一些实施例的形成包含各自具有不同电阻的部分(例如，多晶部分及金属部分)的漏极选择门的存储器装置的过程。图22及图23展示根据本文中描述的一些实施例的形成包含各自具有不同电阻的部分(例如，多晶部分及硅化物部分)的漏极选择门的存储器装置的过程。图24展示根据本文中描述的一些实施例的包含各自具有不同电阻的部分的漏极选择门及源极选择门的存储器装置。具体实施方式图1展示根据本文中描述的一些实施例的呈存储器装置100形式的设备的框图。存储器装置100可包含具有可连同线(例如，存取线)104及线(例如，数据线)105布置成行及列的存储器单元103的存储器阵列102。存储器装置100可使用线104来存取存储器单元103且使用线105来与存储器单元103交换信息。行存取108及列存取109电路可响应于地址寄存器112以基于线110、111或两者上的行地址及列地址信号而存取存储器单元103。数据输入/输出电路114可经配置以在存储器单元103与线110之间交换信息。线110及111可包含存储器装置100内的节点或存储器装置100可驻留于其中的封装上的引脚(或焊球)。控制电路116可基于存在于线110及111上的信号而控制存储器装置100的操作。在存储器装置100外部的装置(例如，处理器或存储器控制器)可使用线110、111或两者上的信号的不同组合而将不同命令(例如，读取、写入及擦除命令)发送到存储器装置100。存储器装置100可响应于命令以对存储器单元103执行存储器操作，例如执行用以从存储器单元103读取信息的读取操作或执行用以将(例如，程序)信息存储于存储器单元103中的写入(例如，编程)操作。存储器装置100还可执行用以从一些或全部存储器单元103擦除信息的擦除操作。存储器装置100可接收包含供应电压Vcc及Vss的供应电压。供应电压Vss可在接地电势(例如，其具有近似零伏特的值)下操作。供应电压Vcc可包含从外部电源(例如电池或交流电转直流电(AC-DC)转换器电路)供应到存储器装置100的外部电压。存储器装置100可包含电压产生器107以产生用于存储器装置100的操作(例如读取、写入及擦除操作)中的不同电压。存储器单元103中的每一者可经编程以存储表示位的部分的值、单个位的值或多个位(例如两个、三个、四个或另一数目个位)的值的信息。举例来说，存储器单元103中的每一者可经编程以存储表示单个位的二进制值“0”或“1”的信息。每一单元的单个位有时称为单电平单元。在另一实例中，存储器单元103中的每一者可经编程以存储表示多个位的值的信息，例如两个位的四个可能值“00”、“01”、“10”及“11”的一者、三个位的八个可能值“000”、“001”、“010”、“011”、“100”、“101”、“110”及“111”的一者或另一数目个多个位的其它值的一者。具有存储多个位的能力的存储器单元有时称为多电平单元(或多状态单元)。存储器装置100可包含非易失性存储器装置，且存储器单元103可包含非易失性存储器单元，使得当电力(例如，Vcc、Vss或两者)与存储器装置100断开连接时，存储器单元103可留存存储于其上的信息。举例来说，存储器装置100可为快闪存储器装置(例如NAND快闪或NOR快闪存储器装置)或另一种存储器装置(例如可变电阻存储器装置(例如，相变或电阻性RAM装置))。存储器装置100可包含存储器装置，其中存储器单元103可物理定位于相同装置上的多个层中，使得一些存储器单元103可堆叠在存储器装置100的衬底(例如，半导体衬底)上方的多个层中的一些其它存储器单元103上方。所属领域的一般技术人员可认识到，存储器装置100可包含其它元件，其若干者未展示在图1中以免使本文中描述的实例实施例不清楚。存储器装置100的至少部分可包含与下文参考图2A到图24描述的存储器装置类似或相同的结构。图2A展示根据本文中描述的一些实施例的包含具有存储器单元串231到240、291及292、选择电路241到252及241’到25本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，其包括：导电线；第一存储器单元串及第二存储器单元串；及第一选择门及第二选择门，其串联耦合于所述导电线与所述第一存储器单元串之间，所述第一选择门定位于所述设备的第一层中，所述第二门定位于所述设备的第二层中；第三选择门及第四选择门，其串联耦合于所述导电线与所述第二存储器单元串之间，所述第三选择门定位于所述第一层中，所述第四选择门定位于所述第二层中；第一选择线，其在所述设备的操作期间将第一电压提供到所述第一选择门；第二选择线，其在所述操作期间将第二电压提供到所述第二选择门，所述第一电压及所述第二电压具有相同值；第三选择线，其在所述操作期间将第三电压提供到所述第三选择门；及第四选择线，其在所述操作期间将第四电压提供到所述第四选择门，所述第三电压及所述第四电压具有不同值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.08 US 15/205,5741.一种设备，其包括：导电线；第一存储器单元串及第二存储器单元串；及第一选择门及第二选择门，其串联耦合于所述导电线与所述第一存储器单元串之间，所述第一选择门定位于所述设备的第一层中，所述第二门定位于所述设备的第二层中；第三选择门及第四选择门，其串联耦合于所述导电线与所述第二存储器单元串之间，所述第三选择门定位于所述第一层中，所述第四选择门定位于所述第二层中；第一选择线，其在所述设备的操作期间将第一电压提供到所述第一选择门；第二选择线，其在所述操作期间将第二电压提供到所述第二选择门，所述第一电压及所述第二电压具有相同值；第三选择线，其在所述操作期间将第三电压提供到所述第三选择门；及第四选择线，其在所述操作期间将第四电压提供到所述第四选择门，所述第三电压及所述第四电压具有不同值。2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：第一控制线，其耦合到所述第一存储器单元串；及第二控制线，其耦合到所述第二存储器单元串，所述第二控制线不同于所述第一控制线，且所述操作包含将信息存储于所述第一存储器单元串的存储器单元中的操作及从所述第一存储器单元串的存储器单元读取信息的操作中的一者。3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括由所述第一及第二存储器单元串共享的控制线，且所述操作包含将信息存储于所述第一存储器单元串的存储器单元中的操作及从所述存储器单元串的存储器单元读取信息的操作中的一者。4.根据权利要求1所述的设备，其中：所述第一选择线在所述设备的额外操作期间将第五电压提供到所述第一选择门；所述第二选择线在所述额外操作期间将第六电压提供到所述第二选择门，所述第五及第六电压具有相同值；所述第三选择线在所述额外操作期间将第七电压提供到所述第三选择门；且所述第四选择线在所述额外操作期间将第八电压提供到所述第四选择门，所述第七电压及所述第八电压具有相同值，且所述第五及第七电压具有不同值。5.根据权利要求1所述的设备，其中由所述设备的相同信号提供所述第一及第三电压。6.根据权利要求1所述的设备，其中由所述设备的不同信号提供所述第一及第三电压。7.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括衬底，其中所述第一存储器单元串定位于所述衬底与所述第一及第二选择门之间。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包括存储器装置，所述存储器装置包含存储器单元的第一块及存储器单元的第二块，所述第一存储器串包含于存储器单元的所述第一块中，所述第二存储器单元串包含于存储器单元的所述第二块中，且其中如果存储器单元的所述第二块是取消选择块，那么在所述操作期间，所述第三电压具有大于所述第四电压的值的值。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包括存储器装置，所述存储器装置包含存储器单元的第一块及存储器单元的第二块，所述第一存储器串包含于存储器单元的所述第一块中，所述第二存储器单元串包含于存储器单元的所述第二块中，且其中如果存储器单元的所述第二块是选定块，那么在擦除操作期间，所述第三电压具有小于所述第四电压的值的值。10.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括衬底，其中所述第一及第二选择门定位于所述第一存储器单元串与所述衬底之间。11.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：第五选择门，其与在所述导电线与所述第一存储器单元串之间的所述第一及第二选择门串联耦合；及第六选择门，其与在所述导电线与所述第二存储器单元串之间的所述第三及第四选择门串联耦合。12.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一选择门包含第一部分及接触所述第一部分的第二部分，且所述第一及第二部分具有不同电阻。13.根据权利要求12所述的设备，其中所述第一部分是多晶硅部分且所述第二部分是金属部分及硅化物部分中的一者。14.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一、第二、第三及第四选择门中的每一者包含场效应晶体管结构。15.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一、第二、第三及第四选择门中的每一者包含电荷存储元件。16.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一及第二存储器单元串中的每一者包含存储器单元，所述存储器单元包含浮动栅极存储器单元结构。17.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一及第二存储器单元串中的每一者包含存储器单元，所述存储器单元包含电荷俘获存储器单元结构。18.一种设备，其包括：柱，其在导电材料区域与源极之间延伸，所述柱包含第一片段、第二片段及第三片段，所述第二片段介于所述第一与第三片段之间；第一选择门，其沿着所述柱的所述第一片段定位且包含具有在距所述柱的所述第一片段第一距离处的侧壁的导电材料；第二选择门，其沿着所述柱的所述第二片段定位且包含具有在距所述柱的所述第二片段第二距离处的侧壁的导电材料；及存储器单元串及多个导电材料，其沿着所述柱的所述第三片段定位，所述多个导电材料中的每一导电材料包含在距所述柱的所述第三片段第三距离处的侧壁，所述第三距离不同于所述第一及第二距离中的每一者，所述第一及第二选择门在所述设备的操作期间接收具有不同值的电压。19.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括耦合到额外多个导电材料的额外存储器单元串，所述额外多个导电材料不同于沿着所述柱的所述第三片段定位的所述多个导电材料，其中所述操作包含将信息存储于所述额外存储器单元串的存储器单元中的操作及从所述额外存储器单元串的存储器单元读取信息的操作中的一者，且所述多个导电材料是所述设备的第一控制线的部分，且所述额外多个导电材料是所述设备的第二控制线...

【专利技术属性】
技术研发人员：合田晃，刘海涛，李昌炫，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US