An integrated circuit device may include a front contact coupled to a front metallized layer. Integrated circuit devices may further include back contacts coupled to the back metallized layer. The front contact can be directly coupled to the back contact.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用双侧硅化的衬底触点
本公开总体涉及集成电路(IC)。更具体地，本公开涉及双侧硅化触点。
技术介绍
绝缘体上硅(SOI)技术用分层的硅-绝缘体-硅衬底代替常规的硅衬底，以减小寄生器件电容并且改善性能。基于绝缘体上硅(SOI)的器件不同于常规的硅构建器件，因为硅结位于电绝缘体(通常是掩埋氧化物(BOX)层)上方。然而，厚度减小的掩埋氧化物(BOX)层可能不足以减小由硅层上的有源器件和支撑掩埋氧化物(BOX)层的衬底的接近引起的寄生电容。常规的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术以前道工序(FEOL)开始，其中执行第一组工艺步骤用于在衬底(例如，绝缘体上硅(SOI)衬底)上制造有源器件(例如，负的MOS(NMOS)或者正的MOS(PMOS)晶体管)。接下来执行中间工序(MOL)，中间工序是使用中间工序触点将有源器件连接到后道工序(BEOL)互连件(例如，M1、M2、M3、M4等)的一组工艺步骤。遗憾的是，寄生电容可能由于后道工序互连件和/或中间工序触点与晶体管栅极的接近而产生。特别地，寄生电容是由栅极和相邻的源极/漏极中间工序触点之间的显著的电容耦合以及栅极和相邻的...
【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：前侧触点，被耦合到前侧金属化层；以及第一背侧触点，被耦合到第一背侧金属化层，所述前侧触点直接耦合到所述第一背侧触点。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.23 US 15/245,0871.一种集成电路器件，包括：前侧触点，被耦合到前侧金属化层；以及第一背侧触点，被耦合到第一背侧金属化层，所述前侧触点直接耦合到所述第一背侧触点。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述前侧触点位于扩散区域的前侧上。3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一背侧触点位于扩散区域的背侧上。4.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括：第二背侧触点，被耦合到第二背侧金属化层，所述第二背侧触点直接耦合到所述前侧触点。5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述前侧触点包括前侧硅化物，并且所述第一背侧触点包括背侧硅化物。6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述前侧金属化层和所述第一背侧金属化层彼此直接相对。7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述前侧金属化层和所述第一背侧金属化层彼此偏移。8.根据权利要求1所述的集成电路器件，被集成到RF前端模块中，所述RF前端模块被并入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话以及便携式计算机中的至少一项中。9.一种构造集成电路的方法，包括：制造由牺牲性衬底上的隔离层支撑的器件；在所述隔离层上沉积前侧接触层；在所述器件上的前侧电介质层中制造前侧金属化层，所述前侧金属化层被耦合到所述前侧接触层；将处理衬底接合到所述器件上的所述前侧电介质层；移除所述牺牲性衬底；在所述器件的半导体层上沉积背侧接触层，所述背侧接触层与所述前侧接触层接触；以及在支撑所述隔离层的背侧电介质层中制造背侧金属化层，所述背侧金属化层与所述前侧金属化层远离地被耦合到所述背侧接触层。10.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述背侧接触层包括：图案化所述半导体层以暴露所述隔离层的预定部分；以及在经图案化的半导体层内和所述隔离层的所暴露的预定部分上沉积硅化物，以形成所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·W·楼，S·格科特佩里，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。