P型晶体硅PERC电池制造技术

本实用新型专利技术提供了一种P型晶体硅PERC电池，该电池包括：P型晶体硅片，该P型晶体硅片具有织构化的正面和光滑的背面；设置于P型晶体硅片正面内部的PN结结构层；由内至外设置于P型晶体硅片正面外部的隧穿层、多晶硅层和正面减反射层，以及与P型晶体硅片正面接触并探出正面减反射层的正面金属电极；由内至外设置于P型晶体硅片背面外部的钝化层和背面减反射层，以及与P型晶体硅片背面接触并穿透钝化层和背面减反射层的背面金属电极。该电池的正面钝化结构可以有效减小正面复合，提升电池效率。P型晶体硅片背面光滑平整，可以有效提升电池的背面反射率，进一步降低电池的背面复合。

P-type Crystalline Silicon PERC Battery

The utility model provides a P-type crystal silicon PERC battery, which comprises a P-type crystal silicon wafer with a textured front and a smooth back; a PN junction structure layer arranged inside the front of the P-type crystal silicon wafer; a tunneling layer, a polycrystalline silicon layer and a front anti-reflection layer arranged outside the front of the P-type crystal silicon wafer from inside to outside, and a front connection with the P-type crystal silicon wafer. The front metal electrodes of the front antireflective layer are touched and detected; the passivation layer and the back antireflective layer which are arranged on the back and outside of the P-type crystal silicon wafer, and the back metal electrodes which contact with the back of the P-type crystal silicon wafer and penetrate the passivation layer and the back antireflective layer are arranged from inside to outside. The front passivation structure of the battery can effectively reduce the front recombination and improve the efficiency of the battery. P-type crystal silicon wafer has smooth and flat back surface, which can effectively improve the back reflectivity of the battery and further reduce the back surface recombination of the battery.

【技术实现步骤摘要】
P型晶体硅PERC电池
本技术涉及太阳能电池片生产制造领域，特别是涉及一种P型晶体硅PERC电池。
技术介绍
PERC(Passivatedemitterandrearcontact)电池最早起源于上世纪八十年代，1989年由澳洲新南威尔士大学的MartinGreen研究组在AppliedPhysicsLetter首次正式报道了PERC电池结构，当时达到22.8％的实验室电池效率。到了1999年其实验室研究的PERL电池创造了转换效率25％的世界纪录。目前，量产的PERC电池一般是在背表面利设置钝化结构，通过开孔或开槽形成局部金属接触，这大大降低被表面复合速度，同时提升背表面的光反射，进而增大了开路电压，使得量产电池的转换效率突破21％，成为光伏市场主流产品。虽然PERC电池的背钝化技术已相对比较完善，但是目前的PERC电池并未在正面设置钝化接触结构，其正面复合仍然存在，使得电池的输出电压不高，从而影响了PERC电池效率的进一步提升。
技术实现思路
本技术提供了一种P型晶体硅PERC电池，用以减小电池正面、背面复合，提升电池效率，该电池包括：P型晶体硅片，该P型晶体硅片具有织构化的正面和光滑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种P型晶体硅PERC电池，其特征在于，该电池包括：P型晶体硅片，该P型晶体硅片具有织构化的正面和光滑的背面；设置于P型晶体硅片正面内部的PN结结构层；由内至外设置于P型晶体硅片正面外部的隧穿层、多晶硅层和正面减反射层，以及与P型晶体硅片正面接触并探出正面减反射层的正面金属电极；由内至外设置于P型晶体硅片背面外部的钝化层和背面减反射层，以及与P型晶体硅片背面接触并穿透钝化层和背面减反射层的背面金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种P型晶体硅PERC电池，其特征在于，该电池包括：P型晶体硅片，该P型晶体硅片具有织构化的正面和光滑的背面；设置于P型晶体硅片正面内部的PN结结构层；由内至外设置于P型晶体硅片正面外部的隧穿层、多晶硅层和正面减反射层，以及与P型晶体硅片正面接触并探出正面减反射层的正面金属电极；由内至外设置于P型晶体硅片背面外部的钝化层和背面减反射层，以及与P型晶体硅片背面接触并穿透钝化层和背面减反射层的背面金属电极。2.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述织构化的正面为金字塔绒面或倒金字塔绒面。3.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述PN结结构层的方阻为60Ω/□-150Ω/□。4.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述隧穿层为二氧化硅隧穿层。5.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宏伟，何胜，单伟，周盛永，
申请(专利权)人：浙江正泰太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33