一种P型SE-PERC双面太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种P型SE‑PERC双面太阳能电池，该太阳能电池包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极，N型硅的正面在进行扩散之后并且在沉积正面氮化硅膜之前通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽，激光槽采用间距不等的开槽区设计或者宽度不同的开槽区设计，所述激光槽的数量与正银副栅电极的数量相等，并且一一对应，在刻蚀正面氮化硅膜印刷正银电极时浆料落在激光槽内，形成所述的正银副栅电极，解决正银电极网版在印刷过程中变形造成的正银副栅电极与激光掺杂区对位不准的问题，提高电池批量生产的稳定性。

A P-type SE-PERC Double-sided Solar Cell

The utility model discloses a P-type SE_PERC double-sided solar cell, which comprises a bottom-up arranged back electrode, a back silicon nitride film, a back alumina film, a P-type silicon, a N-type silicon, a front silicon nitride film and a positive silver electrode. After diffusion, the front side of N-type silicon forms several parallel strips by laser doping before depositing the front silicon nitride film. The laser groove is designed by grooving area with different spacing or width. The number of laser grooves is equal to the number of positive and silver sub-grid electrodes, and corresponds one by one. When etching positive silver nitride film to print positive silver electrodes, the paste falls into the laser groove to form the positive and silver sub-grid electrodes, which can solve the distortion of positive silver screen plate during printing. The problem of misalignment between the positive and silver sub-grid electrodes and the laser doping region can improve the stability of batch production of batteries.

【技术实现步骤摘要】
一种P型SE-PERC双面太阳能电池
本技术涉及太阳能电池
，具体是指一种P型SE-PERC双面太阳能电池。
技术介绍
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结上，形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术，在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅膜，降低少子在前表面的复合速率，可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。随着对晶硅电池的光电转换效率的要求越来越高，人们开始研究PERC背钝化太阳电池技术。目前业界主流厂家的焦点集中在单面PERC太阳能电池的量产，而P型PERC双面太阳能电池，由于光电转换效率高，同时双面吸收太阳光，发电量更高，在实际应用中具有更大的使用价值。但是，目前P型PERC双面太阳能电池也仅仅是一些研究机构在实验室做的研究，如何将P型PERC双面太阳能电池的结构进行升级优化从而适应大批量生产，有待本领域技术人员进一步探讨和研究。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种P型SE-PERC双面太阳能电池，该太阳能电池硅片在正面扩散后通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽，激光槽采用间距不等的开槽区设计或者宽度不同的开槽区设计，可以解决正银电极网版在印刷过程中变形造成的正银副栅电极与激光掺杂区对位不准的问题，提高电池批量生产的稳定性。本技术的这一目的通过如下的技术方案来实现的：一种P型SE-PERC双面太阳能电池，包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极，所述的正银电极由材料为银的正银主栅电极和材料为银的正银副栅电极组成，正银副栅电极与正银主栅电极相垂直，所述的背电极由材料为银的背银主栅电极和材料为铝的背铝副栅电极组成，背铝副栅电极和背银主栅电极相垂直，所述太阳能电池在背面还开设有开通所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜后直至P型硅的背面激光开槽区，背面激光开槽区内印刷灌注铝浆料，形成背铝条，背铝副栅电极与背面激光开槽区内的背铝条一体印刷成型，背铝副栅电极通过背铝条与P型硅相连，其特征在于：所述N型硅的正面在进行扩散之后并且在沉积正面氮化硅膜之前通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽，激光槽采用间距不等的开槽区设计或者宽度不同的开槽区设计，所述激光槽的数量与正银副栅电极的数量相等，并且一一对应，在刻蚀正面氮化硅膜印刷正银电极时浆料落在激光槽内，形成所述的正银副栅电极。在太阳能电池正银电极的印刷过程中，网布在刮刀的压力下沿着垂直于刮刀前进的方向向两侧变形，导致实际印刷到硅片上的正银电极向外侧偏移。本技术的P型SE-PERC双面太阳能电池将SE(选择性发射极技术)和PERC双面电池技术相结合，是一种新型的太阳能电池，SE中文叫选择性发射极技术，SE技术是在硅片的正面磷扩散后，以扩散形成的副产物——位于N型硅上方的磷硅玻璃为磷源，通过激光掺杂形成重掺区域，在后续的丝网印刷工序将银浆印刷在对应的重掺区域内，降低电池的接触电阻，提高电流的输出能力；在硅片上重掺杂以外的区域，为轻掺杂区域，可以增强电池的短波响应，提高电池的光电转换效率。该P型SE-PERC双面太阳能电池在N型硅的正面通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽，激光槽采用间距不等的开槽区设计或者宽度不同的开槽区设计，解决了正银电极网版在印刷过程中变形造成的正银副栅电极与激光掺杂区对位不准的问题，提高电池批量生产的稳定性。在太阳能电池中，通常也称副栅电极为副栅线，主栅电极为主栅线，细栅线是指副栅电极，因为副栅电极比较细，主栅电极比较粗。作为本技术的优选实施例，激光槽可以采用间距不等的开槽区设计或宽度不同的开槽区设计，可以保证正银副栅电极均落在激光开槽区内，提升电池的品质，提高SE-PERC电池的批量生产稳定性。结构一：所述激光槽采用间距不等的开槽区设计，相邻激光槽之间的间距自中部向两侧呈由小变大的逐渐增大状，每条激光槽的宽度均相等。作为优选实施例，相邻激光槽之间的间距为0.8～2mm，激光槽的宽度为80～200um。结构二：所述激光槽采用宽度不同的开槽区设计，激光槽的宽度自中部向两侧呈由窄变宽的逐渐增宽状，相邻激光槽之间的间距均相等。作为优选实施例，所述激光槽的宽度为80～300um，相邻激光槽之间的间距为0.8～2mm。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细说明。图1是本技术P型SE-PERC双面太阳能电池实施例一的正视图；图2是本技术P型SE-PERC双面太阳能电池实施例一的后视图；图3是本技术P型SE-PERC双面太阳能电池实施例一的整体结构截面图；图4是本技术P型SE-PERC双面太阳能电池实施例一中N型硅的平面图，显示激光槽的排布；图5是本技术P型SE-PERC双面太阳能电池实施例二中N型硅的平面图，显示激光槽的排布。附图标记说明1、背电极，11、背银主栅电极；12、背铝副栅电极；2、背面激光开槽区，3、背面氮化硅膜，4、背面氧化铝膜，5、P型硅，6、N型硅，7、正面氮化硅膜，8、正银电极，81、正银主栅电极；82、正银副栅电极；9、背铝条，10、激光槽。具体实施方式实施例一本技术P型SE-PERC双面太阳能电池的实施例一如图1至图4所示，包括自下而上依次设置的背电极1、背面氮化硅膜3、背面氧化铝膜4、P型硅5、N型硅6、正面氮化硅膜7和正银电极8，正银电极8由材料为银的正银主栅电极81和材料为银的正银副栅电极82组成，正银副栅电极82与正银主栅电极81相垂直，背电极1由材料为银的背银主栅电极11和材料为铝的背铝副栅电极12组成，背铝副栅电极12和背银主栅电极11相垂直。太阳能电池在背面还开设有开通背面氮化硅膜3、背面氧化铝膜4后直至P型硅5的背面激光开槽区2，背面激光开槽区2内印刷灌注铝浆料，形成背铝条9，背铝副栅电极12与背面激光开槽区2内的背铝条9一体印刷成型，背铝副栅电极12通过背铝条9与P型硅5相连。该太阳能电池的N型硅6的正面在进行扩散之后并且在沉积正面氮化硅膜7之前通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽10，激光槽10的数量与正银副栅电极82的数量相等，并且一一对应，在刻蚀正面氮化硅膜7印刷正银电极8时浆料落在激光槽10内，形成正银副栅电极82。本实施例的太阳能电池在N型硅6的正面通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽10，激光槽10的数量与正银副栅电极82的数量相等，并且一一对应，解决了正银电极网版在印刷过程中变形造成的正银副栅电极82与激光开槽区对位不准的问题，提升电池的品质，提高SE-PERC电池的批量生产稳定性。本实施例中，若干条激光槽10采用间距不等的开槽区设计，相邻激光槽10之间的间距自中部向两侧呈由小变大的逐渐增大状。相邻激光槽10的间距在0.8～2mm范围内取值，其中位于中间的相邻激光槽10之间的间距最小，为0.8mm，位于最外的两侧的相邻激光槽10之间的间距最大，为2mm，每条激光槽10的宽度均相等，为120um，激光槽10的宽度也可以在80～200um范围内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种P型SE‑PERC双面太阳能电池，包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极，所述的正银电极由材料为银的正银主栅电极和材料为银的正银副栅电极组成，正银副栅电极与正银主栅电极相垂直，所述的背电极由材料为银的背银主栅电极和材料为铝的背铝副栅电极组成，背铝副栅电极和背银主栅电极相垂直，所述太阳能电池在背面还开设有开通所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜后直至P型硅的背面激光开槽区，背面激光开槽区内印刷灌注铝浆料，形成背铝条，背铝副栅电极与背面激光开槽区内的背铝条一体印刷成型，背铝副栅电极通过背铝条与P型硅相连，其特征在于：所述N型硅的正面在进行扩散之后并且在沉积正面氮化硅膜之前通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽，激光槽采用间距不等的开槽区设计或者宽度不同的开槽区设计，所述激光槽的数量与正银副栅电极的数量相等，并且一一对应，在刻蚀正面氮化硅膜印刷正银电极时浆料落在激光槽内，形成所述的正银副栅电极。

【技术特征摘要】
1.一种P型SE-PERC双面太阳能电池，包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极，所述的正银电极由材料为银的正银主栅电极和材料为银的正银副栅电极组成，正银副栅电极与正银主栅电极相垂直，所述的背电极由材料为银的背银主栅电极和材料为铝的背铝副栅电极组成，背铝副栅电极和背银主栅电极相垂直，所述太阳能电池在背面还开设有开通所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜后直至P型硅的背面激光开槽区，背面激光开槽区内印刷灌注铝浆料，形成背铝条，背铝副栅电极与背面激光开槽区内的背铝条一体印刷成型，背铝副栅电极通过背铝条与P型硅相连，其特征在于：所述N型硅的正面在进行扩散之后并且在沉积正面氮化硅膜之前通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽，激光槽采用间距不等的开槽区设计或者宽度不同的开槽区设计，所述激光槽的数量与正银...

【专利技术属性】
技术研发人员：林纲正，方结彬，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，广东爱旭科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33