【技术实现步骤摘要】
过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法
本专利技术属于半导体材料领域，更具体地，涉及一种过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
随着世界各国对能源需求的不断增长和环境保护的日益加强，清洁能源的推广应用已成必然趋势。清洁与可再生能源分为海洋能、太阳能、风能、氢能、生物质能、地热能等。其中太阳能将太阳的光能转换成为其他形式的热能、电能、化学能，能源转换过程中不产生其他有害的气体或固体废料，是一种环保、安全、无污染的新型能源。垂直堆叠的范德华层状二维材料由于其卓越的电气和光学特性，非常适于发展例如二极管，光电探测器，太阳能电池等超薄电子器件而受到了广泛关注。由于在层状二维材料的生长和转移技术上的进步，所有采用石墨烯电极和过渡金属二硫化物(TMDs)半导体的层状二维材料器件已成功实现垂直堆叠的方式，揭开了纳米技术研究的新时代。然而，垂直堆叠的异质结不可避免地会产生晶格失配和界面缺陷问题，会影响到器件的光学及电学性能。尽管目前已有二维TMDs异质结的直接外延生长方法来避免这些问题，但其制备过程复杂，温度较难控制，抑制了理想p-n结的形成。...
【技术保护点】
1.一种过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池，其特征在于，所述横向同质结太阳能电池包括绝缘衬底(1)、电极A(2)、电极B(3)、n型过渡金属硫族化合物膜(4)和p型过渡金属硫族化合物膜(5)；所述电极A(2)和电极B(3)位于绝缘衬底(1)的绝缘表面，且电极A(2)和电极B(3)相互不接触；所述n型过渡金属硫族化合物膜(4)的一部分位于电极A(2)的上部，使部分电极A(2)与n型过渡金属硫族化合物膜(4)接触；所述n型过渡金属硫族化合物膜(4)位于电极A(2)上部以外的部分位于绝缘衬底(1)绝缘表面上；所述p型过渡金属硫族化合物膜(5)的一部分位于电极B(3)上部，使部...
【技术特征摘要】
1.一种过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池，其特征在于，所述横向同质结太阳能电池包括绝缘衬底(1)、电极A(2)、电极B(3)、n型过渡金属硫族化合物膜(4)和p型过渡金属硫族化合物膜(5)；所述电极A(2)和电极B(3)位于绝缘衬底(1)的绝缘表面，且电极A(2)和电极B(3)相互不接触；所述n型过渡金属硫族化合物膜(4)的一部分位于电极A(2)的上部，使部分电极A(2)与n型过渡金属硫族化合物膜(4)接触；所述n型过渡金属硫族化合物膜(4)位于电极A(2)上部以外的部分位于绝缘衬底(1)绝缘表面上；所述p型过渡金属硫族化合物膜(5)的一部分位于电极B(3)上部，使部分电极B(3)与p型过渡金属硫族化合物膜(5)接触；所述p型过渡金属硫族化合物膜(5)位于电极B(3)上部以外的部分位于绝缘衬底(1)绝缘表面上；所述n型过渡金属硫族化合物膜(4)和p型过渡金属硫族化合物膜(5)在绝缘衬底(1)绝缘表面上横向连接形成p-n结；所述n型过渡金属硫族化合物膜(4)和p型过渡金属硫族化合物膜(5)由相同过渡金属硫族化合物组成。2.如权利要求1所述的过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池，其特征在于，所述电极A(2)与n型过渡金属硫族化合物膜(4)通过范德瓦尔斯力结合；所述电极B(3)与p型过渡金属硫族化合物膜(5)通过范德瓦尔斯力结合。3.如权利要求1所述的过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池，其特征在于，所述电极A(2)为Ag金属层、Ti金属层或Al金属层；所述电极B(3)为Pt金属层、Au金属层或Pd金属层；所述电极A(2)和电极B(3)的厚度为10nm～100nm。4.如权利要求1所述的过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池，其特征在于，所述n型过渡金属硫族化合物膜(4)为n型MoS2膜；所述p型过渡金属硫族化合物膜(5)为p型MoS2膜；所述n型过渡金属硫族化合物膜(4)和p型过渡金属硫族化合物膜(5)的厚度为5nm～20nm。5.如权利要求1所述的过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池，其特征在于，所述绝缘衬底(1)为具有二氧化硅绝缘层的硅衬底，所述二氧化硅绝缘层的厚度为5...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾祥斌，靳雯，周广通，胡一说，任婷婷，吴少雄，王文照，郭振宇，曾洋，肖永红，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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