A receiver for receiving beamforming signals via multiple antennas, a low noise amplifier for supporting beamforming functions, and a wireless communication device are used. A low noise amplifier may comprise a first transistor and a second transistor and a variable capacitor circuit connected to a gate of the second transistor. The variable capacitance circuit can selectively change its capacitance based on the beam forming information and the capacitance control signal applied to the circuit, in which the changed capacitance corresponds to the phase change of the output signal of the low noise amplifier. Similar schemes can be used in the transmitting signal path for the amplifier to control the transmitting beam.
【技术实现步骤摘要】
接收器、低噪声放大器以及无线通信装置相关申请的交叉引用本申请要求在韩国知识产权局于2017年10月13日提交的韩国专利申请第10-2017-0133483号和2018年4月26日提交的韩国专利申请第10-2018-0048473号的优先权,所述申请的公开内容以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术概念涉及一种用于支持波束成形功能的低噪声放大器、包含低噪声放大器的接收器和收发器以及接收器/收发器中的相移电路。
技术介绍
由无源元件组成的移相器可改变信号的相位,同时在不消耗直流电(directcurrent;DC)功率的情况下保持线性。然而,在移相器中,由于无源元件的插入损耗相对较大,且因此,低噪声放大器可用于补偿插入损耗。另外,因为无源元件的尺寸较大,所以在将一般的移相器应用到芯片形式集成的相控阵系统时会产生问题。由有源元件组成的移相器可具有令人满意的增益和准确度以及高集成度。此有源类移相器因此适合于芯片内的集成。然而,为满足典型波束成形系统中的必备的性能,除有源类型移相器之外还使用低噪声放大器,从而导致功率消耗增加。
技术实现思路
本专利技术概念提供一种低噪声放大器,所述噪声放大器支持波束成形功能、具有减少的插入损耗和减小的放大增益变化且与常规放大器相比尺寸较小。因此,嵌入低噪声放大器的射频(radiofrequency;RF)芯片的尺寸可相对于当前RF芯片减小。本专利技术概念还提供一种包含低噪声放大器的接收器。根据本专利技术概念的一方面,提供一种用于经由多个天线接收波束成形信号的接收器。所述接收器可包含具有第一放大器电路和第二放大器电路的至少一个相移低噪声放 ...
【技术保护点】
1.一种用于经由多个天线接收波束成形信号的接收器,所述接收器包括:第一放大器电路,包括用于放大输入信号以提供第一放大信号的第一晶体管,所述输入信号来源于由所述多个天线中的一个所接收的所述波束成形信号的部分;第二放大器电路,包括用于放大所述第一放大信号以产生对应的输出信号的第二晶体管;以及可变电容电路,用于选择性地改变其电容以导致所述输出信号的对应相位变化。
【技术特征摘要】
2017.10.13 KR 10-2017-0133483;2018.04.26 KR 10-2011.一种用于经由多个天线接收波束成形信号的接收器,所述接收器包括:第一放大器电路,包括用于放大输入信号以提供第一放大信号的第一晶体管,所述输入信号来源于由所述多个天线中的一个所接收的所述波束成形信号的部分;第二放大器电路,包括用于放大所述第一放大信号以产生对应的输出信号的第二晶体管;以及可变电容电路,用于选择性地改变其电容以导致所述输出信号的对应相位变化。2.根据权利要求1所述的接收器,其中所述第一晶体管以及所述第二晶体管各自具有栅极、漏极以及源极,其中:所述第一晶体管通过其栅极接收所述输入信号以及通过其漏极输出所述第一放大信号;所述第二晶体管通过其栅极连接到所述可变电容电路;通过其源极连接到所述第一晶体管的所述漏极;以及通过其漏极输出所述输出信号。3.根据权利要求1所述的接收器,其中所述第一晶体管以及所述第二晶体管作为级联放大器操作。4.根据权利要求2所述的接收器,其中所述可变电容电路的一端连接到所述第二晶体管的所述栅极,且所述可变电容电路的另一端连接到接地。5.根据权利要求1所述的接收器,其中所述可变电容电路接收基于关于所述波束成形信号的信息产生的电容控制信号,以及基于所述电容控制信号改变所述可变电容电路的所述电容。6.根据权利要求1所述的接收器,其中所述可变电容电路包括多个电容器元件以及分别连接到所述多个电容器元件的多个开关元件。7.根据权利要求1所述的接收器,其中所述可变电容电路包括可变电抗器元件,所述可变电抗器元件具有连接到所述第二晶体管的栅极的一端以及接收电容控制电压的相对端。8.根据权利要求1所述的接收器,更包括移相器,其耦接到所述第二晶体管,用于另外改变所述输出信号的所述相位。9.根据权利要求1所述的接收器,更包括第三放大器电路,所述第三放大器电路包括用于接收所述输出信号、放大所述输出信号以及输出被放大的所述输出信号的第三晶体管。10.根据权利要求9所述的接收器,其中:所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管各自具有栅极、源极以及漏极;所述第一晶体管通过其栅极接收所述输入信号以及通过其漏极输出所述第一放大信号;所述第二晶体管通过其栅极连接到所述可变电容电路,通过其源极连接到所述第一晶体管的所述漏极,且通过其漏极输出所述输出信号;以及所述第三晶体管通过其源极连接到所述第二晶体管的所述漏极,且通过其漏极输出被放大的所述输出信号。11.根据权利要求10所述的接收器,其中所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管被连接为级联放大器。12.根据权利要求10所述的接收器,其中所述第三放大器电路更包括连接于所述第三晶体管的所述漏极与节点之间的开关元件,所述第二晶体管的所述漏极以及所述第三晶体管的所述源极连接到所述节点。13.根据权利要求12所述的接收器,其中:在第一操作模式中,实际上在所述开关元件断开时,所述可变电容电路的所述电容选择性地可变以改变所述输出信号的所述相位;以及在第二操作模式中,实际上在所述开关元件闭合时,所述可变电容电路的所述电容保持在恒定值,由此保持所述输出信号的所述相位固定。14.根据权利要求1所述的接收器,更包括缓冲电路,所述缓冲电路耦接于所述第一晶体管与所述多个天线中的一个之...
【专利技术属性】
技术研发人员:金荣敏,李宰承,林重锡,张必城,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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