一种抗噪声的高压栅驱动电路制造技术

一种抗噪声的高压栅驱动电路，属于模拟集成电路技术领域。包括高压电平位移模块、共模噪声消除电路、RS锁存器和驱动模块，高压电平位移模块通过LDMOS管来实现对信号电平的提高，将输入的两路低压脉冲控制信号转换成高压脉冲信号并连同高压共模信号输出至共模噪声消除电路，共模噪声消除电路利用差模放大器的原理实现对共模噪声的消除，RS锁存器和驱动模块将消除噪声后的窄脉冲信号重新转变成输出信号用于驱动高侧功率管。本发明专利技术可以消除各种共模干扰噪声，能够适用于更窄的窄脉冲输入信号，具有更低的电路功耗。

A Noise-Resistant High Voltage Gate Driving Circuit

The utility model relates to a noise-resistant high-voltage gate driving circuit, which belongs to the technical field of analog integrated circuits. It includes high-voltage level displacement module, common-mode noise elimination circuit, RS latch and drive module. High-voltage level displacement module improves signal level through LDMOS tube. It converts two input low-voltage pulse control signals into high-voltage pulse signals and outputs them to common-mode noise elimination circuit together with high-voltage common-mode signals. Common-mode noise elimination circuit uses the principle of differential-mode amplifier. In order to eliminate common-mode noise, RS latch and driver module convert the narrow pulse signal after noise elimination into output signal for driving high-side power transistor. The invention can eliminate all kinds of common mode interference noise, can be applied to narrower narrow pulse input signal, and has lower circuit power consumption.

【技术实现步骤摘要】
一种抗噪声的高压栅驱动电路
本专利技术属于模拟集成电路
，涉及一种抗噪声的高压栅驱动电路。
技术介绍
在功率芯片或集成电路驱动芯片中，都存在着高压栅驱动电路，这种电路采用高压电平位移技术，实现低电压向高电压的转换以驱动高侧功率管。高压栅驱动电路属于高压集成电路(HVIC)的典型电路，这类的高压栅驱动电路在电机驱动、平板显示以及其他消费电子领域具有广泛的应用，都是采用高低压兼容工艺，利用高压LDMOS器件将低压控制信号转换成高压控制信号，从而驱动高端电路工作，一般这类高压栅驱动电路系统都采用半桥拓扑结构。半桥驱动芯片主要用来驱动外部拓扑结构的功率管，内部的驱动电路按照工作电源电压的不同分为高压栅驱动电路和低压侧驱动电路，随着半桥拓扑结构功率管的开通和关断输出点电压工作在浮动状态，因此高压栅驱动电路的电压也应随着输出点电压的变化工作在浮动状态，这种功能主要可以通过外部的自举电路来实现。如图1所示是一个包含高压电平位移电路的高压半桥驱动电路的结构图，T1和T2是高压栅驱动电路所驱动的两个IGBT功率管，高压栅驱动电路主要用来驱动高侧功率管T1的工作。现有技术的高压栅驱动电路主要由脉冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗噪声的高压栅驱动电路，其特征在于，包括高压电平位移模块、第一共模噪声消除模块、第二共模噪声消除模块、RS锁存器和驱动模块，所述高压电平位移模块包括第一齐纳二极管、第二齐纳二极管、第三齐纳二极管、第四齐纳二极管、第五齐纳二极管、第六齐纳二极管、第七齐纳二极管、第八齐纳二极管、第九齐纳二极管、第一LDMOS管、第二LDMOS管、第三LDMOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第八电阻，第一LDMOS管的栅端作为所述高压电平位移模块的第一输入端，其漏端作为所述高压电平位移模块的第一输出端并通过第三电阻后连接浮动电源，其源端通过第六电阻后接地；第三LDMOS管的栅端作为所...

【技术特征摘要】
1.一种抗噪声的高压栅驱动电路，其特征在于，包括高压电平位移模块、第一共模噪声消除模块、第二共模噪声消除模块、RS锁存器和驱动模块，所述高压电平位移模块包括第一齐纳二极管、第二齐纳二极管、第三齐纳二极管、第四齐纳二极管、第五齐纳二极管、第六齐纳二极管、第七齐纳二极管、第八齐纳二极管、第九齐纳二极管、第一LDMOS管、第二LDMOS管、第三LDMOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第八电阻，第一LDMOS管的栅端作为所述高压电平位移模块的第一输入端，其漏端作为所述高压电平位移模块的第一输出端并通过第三电阻后连接浮动电源，其源端通过第六电阻后接地；第三LDMOS管的栅端作为所述高压电平位移模块的第二输入端，其漏端作为所述高压电平位移模块的第二输出端并通过第五电阻后连接浮动电源，其源端通过第八电阻后接地；第二LDMOS管的栅端接地，其漏端作为所述高压电平位移模块的第三输出端并通过第四电阻后连接浮动电源，其源端通过第七电阻后接地；第一齐纳二极管的阴极连接浮动电源，其阳极连接第二齐纳二极管的阴极；第三齐纳二极管的阴极连接第二齐纳二极管的阳极，其阳极连接第一LDMOS管的漏端；第四齐纳二极管的阴极连接浮动电源，其阳极连接第五齐纳二极管的阴极；第六齐纳二极管的阴极连接第五齐纳二极管的阳极，其阳极连接第二LDMOS管的漏端；第七齐纳二极管的阴极连接浮动电源，其阳极连接第八齐纳二极管的阴极；第九齐纳二极管的阴极连接第八齐纳二极管的阳极，其阳极连接第三LDMOS管的漏端；所述第一共模噪声消除模块的第一输入端连接所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：方健，王定良，雷一博，张波，王卓，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51