一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备，该方法包括：在硅晶圆完成外延沉积后，调整硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，印记为装载硅晶圆时支撑杆与硅晶圆接触形成的；通过支撑杆将硅晶圆从基座中抬升至指定位置。本发明专利技术实施例中，在硅晶圆完成外延沉积后，先调整硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，然后控制支撑杆将硅晶圆从基座中抬升至指定位置，使支撑杆在装载硅晶圆与卸载硅晶圆时与硅晶圆接触的位置尽量一致，从而减少硅晶圆背面印记的面积，提高硅晶圆的质量。

A Processing Method, Control Device and Epitaxy Reaction Equipment for Silicon Wafer

The embodiment of the invention provides a processing method, a control device and an epitaxy reaction device for a silicon wafer. The method includes: adjusting the relative position of the imprint and the support rod on the silicon wafer after the epitaxy deposition of the silicon wafer is completed, the imprint is formed by the contact between the support rod and the silicon wafer when the silicon wafer is loaded; lifting the silicon wafer from the base to the designated position through the support rod. In the embodiment of the present invention, after the epitaxy deposition of silicon wafer is completed, the relative position of the imprint on the silicon wafer and the support rod is adjusted, and then the support rod is controlled to lift the silicon wafer from the base to the designated position, so that the position of the support rod contacting the silicon wafer when loading the silicon wafer and unloading the silicon wafer is as consistent as possible, thereby reducing the area of the imprint on the back of the silicon wafer wafer and improving the quality of the silicon Quantity.

【技术实现步骤摘要】
一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备
本专利技术实施例涉及硅晶圆加工领域，特别涉及一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备。
技术介绍
近年来，随着半导体制程工艺的不断发展，对半导体行业最重要的硅片提出了更高的要求。硅晶圆背面支撑杆印记是外延反应过程中的一种典型缺陷，参见图1a至图1c，如图1所示，硅晶圆11由机械手(图中未示出)放置在支撑杆12上，通过支撑杆12下降，使硅晶圆11装载到基座13内(即按照图1a→图1b→图1c的顺序执行)，然后进行外延沉积反应。待外延沉积反应完成后，支撑杆上升，将硅晶圆从基座内顶起(即按照图1c→图1b→图1a的顺序执行)，最后由机械手取出。在硅晶圆的装载与卸载过程中，支撑杆均与硅晶圆发生接触，在高温反应条件下，硅晶圆背面由于支撑杆的接触形成印记，微观形态上表现为硅片背面高度在印记位置的不均匀。在现有硅晶圆的加工方法中，当硅晶圆进行外延反应时，基座将沿一个方向匀速转动，在这一过程中，硅晶圆与基座之间会发生相对移动，导致在硅晶圆的装载与卸载过程中，支撑杆与硅晶圆接触的位置出现较大偏移，进而使支撑杆印记总面积扩大。参见图1d，图中示出了卸载硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅晶圆的加工方法，其特征在于，所述方法包括：在硅晶圆完成外延沉积后，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，所述印记为装载所述硅晶圆时所述支撑杆与所述硅晶圆接触形成的；通过支撑杆将所述硅晶圆从基座中抬升至指定位置。

【技术特征摘要】
1.一种硅晶圆的加工方法，其特征在于，所述方法包括：在硅晶圆完成外延沉积后，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，所述印记为装载所述硅晶圆时所述支撑杆与所述硅晶圆接触形成的；通过支撑杆将所述硅晶圆从基座中抬升至指定位置。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，包括：获取所述硅晶圆上的印记的第一位置和当前所述支撑杆的第二位置；根据所述第一位置和所述第二位置，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一位置和所述第二位置，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，包括：确定所述第一位置和所述第二位置之间的间距；根据所述间距，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置。4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，包括：控制所述基座沿第一方向转动；其中，所述第一方向与第二方向相反，所述第二方向为所述硅晶圆进行外延沉积时所述基座的转动方向。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述控制所述基座沿第一方向转动，包括：控制所述基座按照预设转速沿所述第一方向转动。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述通过支撑杆将所述硅晶圆从基座中抬升至指定位置之前，所述方法还包括：获取所述基座沿所述第一方向转动的持续时间；判断所述持续时间是否大于或等于预设时间；当所述持续时间大于或等于所述预设时间时，控制所述基座停止转动，然后执行获取所述基座沿所述第一方向转动的持续时间的步骤；当所述持续时间小于所述预设时间时，重新执行所述判断所述基座沿所述第一方向转动的持续时间是否大于等于预设时间的步骤。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预设转速为27～29转/分；所述预设时间为3.5～4.5秒。8.一种控制装置，其特征在于，包括：调整模块，用于在硅晶圆完成外延沉积后，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，所述印记为装载所述硅晶圆时所述支撑杆与所述硅晶圆接触形成的；第一控制模块，用于通过支撑杆将所述硅晶圆从基座中抬升至指定位置。9.根据权利要求8所述的控制装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王力，金柱炫，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61