温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备，该方法包括：在硅晶圆完成外延沉积后，调整硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，印记为装载硅晶圆时支撑杆与硅晶圆接触形成的；通过支撑杆将硅晶圆从基座中抬升至指定位置。本发明实施例中，在...
该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。