一种碳化硅晶片刷洗装置制造方法及图纸

技术编号:20966527 阅读:46 留言:0更新日期:2019-04-29 16:34
本实用新型专利技术公开了一种碳化硅晶片刷洗装置,包括底板,本实用新型专利技术一种碳化硅晶片刷洗装置,通过设置一组在刷洗前可以放大倍率的CCD检测仪,使晶片在检测后及时反馈讯号到下道刷洗工序,下道工序可以依照CCD反馈的区域进行重点刷洗,另外,在刷洗装置上设计有别于传统的左右单一方向来回刷,而是以同心圆轨道由内圈往外圈刷洗,此设计一方面可以在刷洗前先将晶片表面污染物进行初步检查,可以针对脏污区进行有效刷洗,另一方面可以增加摩擦力的方式刷洗,使晶片表面品质提升,最终达到晶片表面洁净技术要求。

A silicon carbide wafer scrubbing device

The utility model discloses a silicon carbide wafer scrubbing device, including a bottom plate, the utility model relates to a silicon carbide wafer scrubbing device. By setting up a set of CCD detectors which can amplify the magnification before scrubbing, the wafer can feedback signals to the next scrubbing process in time after detection, and the next process can focus on scrubbing according to the area of CCD feedback. In addition, the scrubbing device is provided with a set of CCD detectors. Different from the traditional one-way back-and-forth brushing, the concentric circular track is used to brush the inner ring to the outer ring. On the one hand, the contaminants on the wafer surface can be preliminarily checked before brushing, and the dirty areas can be effectively scrubbed. On the other hand, the friction can be increased to improve the quality of wafer surface and finally achieve the requirements of wafer surface cleaning technology. Ask.

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶片刷洗装置
本技术涉及刷洗装置,特别涉及一种碳化硅晶片刷洗装置,属于导体加工

技术介绍
在半导体材料中第三代最为常见的材料为碳化硅,氮化镓,碳化硅的制作工艺过程复杂,需经过长晶、晶体加工、切割晶片、研磨、倒角、铜抛、抛光、清洗、检验包装。而其中清洗常常是被忽略的部分,有与碳化硅具有良好的抗化学性质,所以抛光液特性也与一般蓝宝石抛光液不一样,这也造成在抛光完的过程,晶片表面上会有残留的抛光浆料,与作业过程中残留的污染物,使晶片表面太多颗粒而影响到外延表面品质。以碳化硅为例,现在国内主要使用传统蓝宝石衬底加工工艺做清洗,在晶片表面洁净度无法确实达到后段客户要求(0.3um<30e.a.)。目前为了维持稳定主要几个方式抛光完后经过4槽以上的加工,使抛光浆可以大部分被去除在经过最终清洗如SPM,SC1进行清洗,流程冗长效率低,且对于大颗粒无法有效去除。将清洗剂的浓度提高,清洗温度提高进行清洗,这会造成晶片成本的提高,清洗剂快速挥发。将单纯的刷洗机刷洗,毛刷刷洗轨道只能左右来回刷,常常由于毛刷接触面积不足而无法达到清洗效果,以上都无法兼顾品质与成本,
技术实现思路
本技术的本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种碳化硅晶片刷洗装置,包括底板(1),其特征在于,所述底板(1)顶端的中部开设有凹槽,所述凹槽的内部固定安装有限位轴承(2),所述限位轴承(2)的内圈设有支杆(12),所述支杆(12)的底端设有CCD检测仪(9),所述底板(1)的内部开设有腔体,所述腔体的内部固定安装有伺服电机(3),所述伺服电机(3)的输出轴固定连接有转轴(4),所述转轴(4)的顶端设有底盘(6),所述底盘(6)顶端的边侧设有若干固定块(5),若干所述固定块(5)的顶端均开设有第一滑槽(8),所述第一滑槽(8)的内部滑动连接有固定板(7),所述底板(1)顶端的一侧设有支撑杆(21),所述支撑杆(21)顶端的一侧固定连接...

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片刷洗装置,包括底板(1),其特征在于,所述底板(1)顶端的中部开设有凹槽,所述凹槽的内部固定安装有限位轴承(2),所述限位轴承(2)的内圈设有支杆(12),所述支杆(12)的底端设有CCD检测仪(9),所述底板(1)的内部开设有腔体,所述腔体的内部固定安装有伺服电机(3),所述伺服电机(3)的输出轴固定连接有转轴(4),所述转轴(4)的顶端设有底盘(6),所述底盘(6)顶端的边侧设有若干固定块(5),若干所述固定块(5)的顶端均开设有第一滑槽(8),所述第一滑槽(8)的内部滑动连接有固定板(7),所述底板(1)顶端的一侧设有支撑杆(21),所述支撑杆(21)顶端的一侧固定连接有横杆(14),所述横杆(14)的顶端设有液压缸(16),所述液压缸(16)的输出轴穿过横杆(14)与固定盘(15)固定连接,所述固定盘(15)底端的两侧均设有侧板(13),所述固定盘(15)的底端开设有第二滑槽(11),所述第二滑槽(11)的内部滑动连接有清洁头(17),所述清洁头(17)的一侧设有电动伸缩杆(10),所述电动伸缩杆(10)的底端与侧板(13)的一侧...

【专利技术属性】
技术研发人员:林武庆张洁赖柏帆陈文鹏
申请(专利权)人:福建北电新材料科技有限公司
类型:新型
国别省市:福建,35

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