一种微控制器片内DA上电防冲击电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微控制器片内DA上电防冲击电路，其技术方案要点是包括复位芯片、第一电阻、第二电阻、电容、第一场效应管、第二场效应管，所述复位芯片的电源端连接3.3V电源，接地端接地，复位输出端连接微控制器的复位端，第一场效应管的栅极连接复位芯片的复位输出端，第一场效应管的源极连接3.3V电源，第一电阻的一端连接第一场效应管的漏极，第一电阻的另一端串联电容后接地，第二场效应管的源极接地、栅极连接第一场效应管的漏极，第二场效应管的漏极连接微控制器的DA输出通道。本实用新型专利技术的一种微控制器片内DA上电防冲击电路精度高，结构简单，使用方便。

An on-chip DA power-on anti-shock circuit for microcontroller

The utility model discloses an on-line anti-impact circuit for DA in a microcontroller chip. The key technical scheme of the circuit includes a reset chip, a first resistor, a second resistor, a capacitor, a first field effect transistor and a second field effect transistor. The power end of the reset chip is connected with a 3.3V power supply, the grounding end is grounded, the reset output terminal is connected with the reset end of the microcontroller, and the gate connection of the first field effect transistor. The reset output terminal of the reset chip is connected with the source of the first FET to 3.3V power supply, the drain of the first FET to one end of the first resistance, the grounding of the other end of the first resistance to series capacitors, the source grounding of the second FET to the drain of the first FET, and the drain of the second FET to the DA output channel of the microcontroller. The DA on-chip anti-shock circuit of the microcontroller of the utility model has high precision, simple structure and convenient use.

【技术实现步骤摘要】
一种微控制器片内DA上电防冲击电路
本技术涉及一种微控制器片内DA上电防冲击电路。
技术介绍
现代单片机引脚在复位及初始化前，为避免对后级电路误动作，一般处在高阻输入状态。该工作状态在一些应用时，仍然会对后级电路输出干扰信号，例如使用单片机片内DAC时，复位期间，DA的输出为高阻态，容易受外界信号干扰，导致后级电路输出不确定，造成产品在上电时刻的干扰性脉冲信号输出。常规的解决方案：1.采用继电器，在系统正常工作后，闭合触点，接通DA信号，缺点：使用继电器，导致成本上升，程序控制复杂度增加。2.将DA输出引脚对地外接电阻，缺点：为达到好的去干扰效果，需要使用阻值较小的电阻，而正常时，片内DA的内阻加大，因此DA输出经电阻分压后输出到后级电路，导致实际DA输出有效范围变小，降低了DA的精度。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种精度高，结构简单，使用方便的微控制器片内DA上电防冲击电路。为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案：一种微控制器片内DA上电防冲击电路，包括复位芯片、第一电阻、第二电阻、电容、第一场效应管、第二场效应管，所述复位芯片的电源端连接3.3V电源，接地端接地，复位输出端连接微控制器的复位端，第一场效应管的栅极连接复位芯片的复位输出端，第一场效应管的源极连接3.3V电源，第一电阻的一端连接第一场效应管的漏极，第一电阻的另一端串联电容后接地，第二场效应管的源极接地、栅极连接第一场效应管的漏极，第二场效应管的漏极连接微控制器的DA输出通道。本技术进一步设置为：所述的防冲击电路还包括有第三电阻，所述第三电阻的一端连接微控制器的DA输出通道，第三电阻的另一端连接第二场效应管的漏极。本技术进一步设置为：所述第二场效应管至少设置有一个，根据微控制器上的DA输出通道数量，设置相应的第二场效应管。本技术进一步设置为：所述第三电阻设置有多个，根据微控制器上的DA输出通道数量，设置相应的第三电阻。本技术进一步设置为：所述第一电阻的阻值为470-2KΩ。本技术进一步设置为：所述第二电阻的阻值为51K-200KΩ。本技术进一步设置为：所述电容的取值为1u-10uF。本技术具有下述优点：有效解决了电子产品在上电时刻的DA输出的干扰性脉冲信号输出，提高了产品信号输出精度，降低了后级电路误动作。附图说明图1为本技术的电路原理图。图中：1、复位芯片；2、第一电阻；3、第二电阻；4、电容；5、第一场效应管；6、第二场效应管；7、第三电阻；8、微控制器。具体实施方式参照图1所示，本实施例的一种微控制器片内DA上电防冲击电路，包括复位芯片1、第一电阻2、第二电阻3、电容4、第一场效应管5、第二场效应管6，所述复位芯片1的电源端连接3.3V电源，接地端接地，复位输出端连接微控制器8的复位端，第一场效应管5的栅极连接复位芯片1的复位输出端，第一场效应管5的源极连接3.3V电源，第一电阻2的一端连接第一场效应管5的漏极，第一电阻2的另一端串联电容4后接地，第二场效应管6的源极接地、栅极连接第一场效应管5的漏极，第二场效应管6的漏极连接微控制器8的DA输出通道。所述的防冲击电路还包括有第三电阻7，所述第三电阻7的一端连接微控制器8的DA输出通道，第三电阻7的另一端连接第二场效应管6的漏极。所述第二场效应管6至少设置有一个，根据微控制器8上的DA输出通道数量，设置相应的第二场效应管6。所述第三电阻7设置有多个，根据微控制器8上的DA输出通道数量，设置相应的第三电阻7。所述第一电阻2的阻值为470-2KΩ。所述第二电阻3的阻值为51K-200KΩ。所述电容4的取值为1u-10uF。通过采用上述技术方案，复位ICU1pin3接电源，pin1接地，pin2复位输出一路接微控制器8复位脚，另一路接Q0栅极，Q0源极接3.3V电源、Q1、Q2、QN的源极接地，Q0的漏极与Q1、Q2、QN的栅极连接，同时接电阻R1、R2的一端，电阻R2另一端接地，电阻R1另一端接电容4C1一端，C1另一端接地；Q1、Q2、QN的漏极经限流电阻R3、R4、RN后分别接微控制器8的DA输出通道1、DA输出通道2、DA输出通道N；Q1、Q2、QN的漏极分别另一路接各自后级电路1、后级电路2、后级电路N。上电时，复位ICpin2复位输出低电平，Q0、Q1、Q2、QN导通，将DA输出通道1、DA输出通道2、DA输出通道N、后级电路1、后级电路2、后级电路N分别各自接地，同时对C1经R1限流后充电。复位结束后，复位ICpin2复位输出高电平，Q0截止，C1经R1、R2放电，放电期间Q1、Q2、QN继续导通，单片机完成初始化工作，完成输出口设置。C1放电结束后，Q1、Q2、QN截止，DA输出通道正常连接各自后级电路，正常工作。以上所述仅是本技术的优选实施方式，本技术的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本技术思路下的技术方案均属于本技术的保护范围。应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微控制器片内DA上电防冲击电路，其特征在于：包括复位芯片、第一电阻、第二电阻、电容、第一场效应管、第二场效应管，所述复位芯片的电源端连接3.3V电源，接地端接地，复位输出端连接微控制器的复位端，第一场效应管的栅极连接复位芯片的复位输出端，第一场效应管的源极连接3.3V电源，第一电阻的一端连接第一场效应管的漏极，第一电阻的另一端串联电容后接地，第二场效应管的源极接地、栅极连接第一场效应管的漏极，第二场效应管的漏极连接微控制器的DA输出通道。

【技术特征摘要】
1.一种微控制器片内DA上电防冲击电路，其特征在于：包括复位芯片、第一电阻、第二电阻、电容、第一场效应管、第二场效应管，所述复位芯片的电源端连接3.3V电源，接地端接地，复位输出端连接微控制器的复位端，第一场效应管的栅极连接复位芯片的复位输出端，第一场效应管的源极连接3.3V电源，第一电阻的一端连接第一场效应管的漏极，第一电阻的另一端串联电容后接地，第二场效应管的源极接地、栅极连接第一场效应管的漏极，第二场效应管的漏极连接微控制器的DA输出通道。2.根据权利要求1所述的一种微控制器片内DA上电防冲击电路，其特征在于：所述的防冲击电路还包括有第三电阻，所述第三电阻的一端连接微控制器的DA输出通道，第三电阻的另一端连接第二场效应管的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈基伟，
申请(专利权)人：浙江机电职业技术学院，
类型：新型
国别省市：浙江,33