The invention discloses a manufacturing method of Ka band frequency conversion module, which includes the following steps: cleaning before assembly of structural parts; welding of sleeves; eutectic welding of chips; welding of radio frequency circuit board and insulator; welding of components of radio frequency circuit module; welding of voltage stabilizer circuit components; electrical assembly; chip bonding; gold wire bonding of chips; sealing cap. A Ka-band frequency conversion module is fabricated by using the above technology scheme and the packaging technology of microelectronics group.
【技术实现步骤摘要】
一种Ka波段变频模块的制作方法
本专利技术属于微波放大器的
，具体涉及一种Ka波段变频模块的制作方法。
技术介绍
由于微波单片集成电路(MMIC)电路具有电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高等一系列的优点，并可缩小的电子设备体积、重量减轻、价格低等，这对军用电子装备和民用电子产品起十分重要作用。目前微波单片集成电路(MMIC)已成为当前发展各种高科技武器、装备的重要支柱，并广泛应用于各种先进的战术导弹、电子战、通信系统、以及各种先进的相控阵雷达中。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种Ka波段变频模块的制作方法。为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：本专利技术的Ka波段变频模块的制作方法，包括下述步骤：步骤1、结构件装配前清洗；步骤2、套筒的焊接；步骤3、芯片的共晶焊接；步骤4、射频电路板和绝缘子的焊接；步骤5、射频电路组件元器件的焊接；步骤6、稳压电路元器件的焊接；步骤7、电装；步骤8、芯片胶接；步骤9、芯片的金丝键合；步骤10、封盖；至此，Ka波段变频模块制作完成。在所述的步骤1中，对包括壳体、上盖板、下盖板在内的结构件进行清...
【技术保护点】
1.一种Ka波段变频模块的制作方法，其特征在于：所述的制作方法包括下述步骤：步骤1、结构件装配前清洗；步骤2、套筒的焊接；步骤3、芯片的共晶焊接；步骤4、射频电路板和绝缘子的焊接；步骤5、射频电路组件元器件的焊接；步骤6、稳压电路元器件的焊接；步骤7、电装；步骤8、芯片胶接；步骤9、芯片的金丝键合；步骤10、封盖；至此，Ka波段变频模块制作完成。
【技术特征摘要】
1.一种Ka波段变频模块的制作方法，其特征在于：所述的制作方法包括下述步骤：步骤1、结构件装配前清洗；步骤2、套筒的焊接；步骤3、芯片的共晶焊接；步骤4、射频电路板和绝缘子的焊接；步骤5、射频电路组件元器件的焊接；步骤6、稳压电路元器件的焊接；步骤7、电装；步骤8、芯片胶接；步骤9、芯片的金丝键合；步骤10、封盖；至此，Ka波段变频模块制作完成。2.按照权利要求1所述的Ka波段变频模块的制作方法，其特征在于：在所述的步骤1中，对包括壳体(18)、上盖板(22)、下盖板(23)在内的结构件进行清洗。3.按照权利要求1所述的Ka波段变频模块的制作方法，其特征在于：在所述的步骤2中，进行射频绝缘子(17)高频绝缘子与套筒的焊接、清洗并简单测试射频绝缘子(17)高频绝缘子有无短路。4.按照权利要求1所述的Ka波段变频模块的制作方法，其特征在于：在所述的步骤3中，分别完成放大器芯片(3)与放大器载体(1)之间、混频器芯片(8)与混频器载体(7)芯片、电容与载体之间的共晶焊。5.按照权...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂庆燕，周宗明，汪宁，奚凤鸣，吴克鑫，李明，俞畅，
申请(专利权)人：安徽华东光电技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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