一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法技术

本申请公开了一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法，通过将单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀，且对所述刻蚀液进行分散，以使金属离子在所述刻蚀液中均匀分布，得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，其中，刻蚀时间为预设时间，所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液，且所述刻蚀液中配入所述金属离子。本申请中通过将单晶硅片置于刻蚀液中，并且使金属离子均匀分布在刻蚀液中，刻蚀预设时间后，便得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，即只需通过一步便得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，不需要先沉积后刻蚀再腐蚀等复杂步骤，非常简单，并且单晶硅片表面的倒金字塔形状尺寸均匀。

A Method for Preparing Inverted Pyramid Texture of Single Crystal Silicon

The present application discloses a method for preparing inverted pyramid suede of single crystal silicon. By etching the single crystal silicon wafer in etching solution and dispersing the etching solution, metal ions are evenly distributed in the etching solution, and a single crystal silicon wafer with inverted pyramid suede is obtained. The etching time is a preset time, and the etching solution is a mixture of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide. The etching solution is provided with the metal ion. In this application, the single crystal silicon wafer with inverted pyramid suede can be obtained by placing the single crystal silicon wafer in the etching solution and evenly distributing the metal ions in the etching solution. After etching the preset time, the single crystal silicon wafer with inverted pyramid suede can be obtained by only one step, and the complex steps such as deposition, etching and corrosion are not required. It is very simple, and the surface of the single crystal silicon wafer is simple. The shape and size of inverted pyramid are uniform.

【技术实现步骤摘要】
一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法
本申请涉及太阳能电池
，特别是涉及一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法。
技术介绍
随着光伏技术的发展，客户和企业对太阳能电池的光电转换效率的要求也不断提升。近年来，倒金字塔绒面作为一种更加有效吸收光的结构被应用于单晶硅电池制绒中。通过对硅片表面进行制绒处理，使得入射光线在硅片表面多次反射，增加硅片对入射光线的吸收，减少反射，从而提高单晶硅太阳能电池的转换效率。现有在单晶硅片上制备倒金字塔绒面结构的方法如图1所示，该方法需要预沉积、预处理、碱腐蚀、酸洗四步才能得到倒金字塔结构，过程较为复杂。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法，目的在于简化现有的制备倒金字塔绒面的方法。为解决上述技术问题，本申请提供一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法，包括：将单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀，且对所述刻蚀液进行分散，以使金属离子在所述刻蚀液中均匀分布，得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，其中，刻蚀时间为预设时间，所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液，且所述刻蚀液中配入所述金属离子。可选的，所述预设时间取值范围为10min-30min，包括端点值。可选的，所述对所述刻蚀液进行分散包括：对所述刻蚀液进行超声波分散或者向所述刻蚀液中通入气体。可选的，当对所述刻蚀液进行超声波分散时，分散时间为10min-30min，包括端点值。可选的，当向所述刻蚀液中通入气体时，还包括：对所述刻蚀液进行加热，温度范围为20℃-50℃，包括端点值。可选的，所述刻蚀液中氢氟酸与双氧水的摩尔比为10:1。可选的，所述金属离子为铜离子。可选的，在所述将单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀，且对所述刻蚀液进行分散，以使金属离子在所述刻蚀液中均匀分布，得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，其中，刻蚀时间为预设时间，所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液，且所述刻蚀液中配入所述金属离子之后还包括：用酸液去除所述硅片表面的所述金属离子，并用清水清洗所述硅片。本申请所提供的制备单晶硅倒金字塔绒面的方法，通过将单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀，且对所述刻蚀液进行分散，以使金属离子在所述刻蚀液中均匀分布，得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，其中，刻蚀时间为预设时间，所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液，且所述刻蚀液中配入所述金属离子。本申请中通过将单晶硅片置于刻蚀液中，并且使金属离子均匀分布在刻蚀液中，刻蚀预设时间后，便得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，即只需通过一步便得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，不需要先沉积后刻蚀再腐蚀等复杂步骤，非常简单，并且单晶硅片表面的倒金字塔形状尺寸均匀。附图说明为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中制备单晶硅倒金字塔绒面的方法的流程图；图2为本申请实施例所提供的制备单晶硅倒金字塔绒面的方法的一种流程图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。正如
技术介绍
部分所述，现有的方法需要预沉积、预处理、碱腐蚀、酸洗四步才能得到倒金字塔结构，过程较为复杂。有鉴于此，本申请提供了一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法，请参考图2，图2为本申请实施例所提供的制备单晶硅倒金字塔绒面的方法一种流程图，该方法包括：步骤S201：将单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀，且对所述刻蚀液进行分散，以使金属离子在所述刻蚀液中均匀分布，得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，其中，刻蚀时间为预设时间，所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液，且所述刻蚀液中配入所述金属离子。所述单晶硅片在所述刻蚀液中的反应为放热反应，利用反应放出的热量可以减少对反应进行持续加热，使得该刻蚀过程可以自发进行。本申请实施例中，对所述刻蚀液进行分散，使所述金属离子均匀分布在所述刻蚀液中，目的是将所述单晶硅片放入所述刻蚀液中后，使所述金属离子与所述单晶硅片表面均匀接触，从而得到尺寸均匀的倒金字塔结构，即制备出具有均匀倒金字塔绒面的单晶硅片。可选的，在本申请的一个实施例中，所述预设时间取值范围为10min-30min，包括端点值，避免刻蚀时间太短，不能制备出表面具有均匀倒金字塔绒面的单晶硅片，同时避免刻蚀时间太长，对所述单晶硅片造成过度刻蚀，所述单晶硅片的表面又变成平面，即不能得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片。需要说明的是，本申请实施例中对所述刻蚀液进行分散的方式并不进行具体限定，只要达到使所述金属离子在所述刻蚀液中均匀分布的效果即可。需要说明的是，本实施例中对所述金属离子并不做具体限定，可以自行选择。可选的，在本申请的一个实施例中，所述金属离子为铜离子，选用铜离子，可以降低制备成本，利于产业化。需要说明的是，本申请实施例中对所述刻蚀液中氢氟酸与双氧水的比例并不进行限定，可以自行设定。具体的，在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述刻蚀液中氢氟酸与双氧水的摩尔比为10:1。本申请所提供的制备单晶硅倒金字塔绒面的方法，通过将单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀，且对所述刻蚀液进行分散，以使金属离子在所述刻蚀液中均匀分布，得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，其中，刻蚀时间为预设时间，所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液，且所述刻蚀液中配入所述金属离子。本申请中通过将单晶硅片置于刻蚀液中，并且使金属离子均匀分布在刻蚀液中，刻蚀预设时间后，便得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，即只需通过一步便得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，不需要先沉积后刻蚀再腐蚀等复杂步骤，非常简单，并且单晶硅片表面的倒金字塔形状尺寸均匀。同时，该方法还可以用于在大尺寸单晶硅(156mm×156mm)表面制备出均匀的倒金字塔绒面；该方法也不需要对所述单晶硅片进行清洗，避免使用大分子表面活性剂，减少后期对所述单晶硅片进行清洗时的复杂程度。在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述对所述刻蚀液进行分散包括：对所述刻蚀液进行超声波分散或者向所述刻蚀液中通入气体。具体的，在本申请的一个实施例中，当对所述刻蚀液进行超声波分散时，分散时间为10min-30min，包括端点值。一方面，避免超声波分散时间太短，导致金属离子不能均匀分布在刻蚀液中，并且刻蚀反应也不充分，最终导致不能形成具有均匀倒金字塔绒面的单晶硅片，同时避免超声波分散时间太长，对所述单晶硅片造成过度刻蚀，所述单晶硅片的表面又变成平面，即不能得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片；另一方面，对所述刻蚀液进行超声波分散，使金属离子均匀分布的同时，由于超声波频率高，能量大，被刻蚀液吸收产生热效应，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法，其特征在于，包括：将单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀，且对所述刻蚀液进行分散，以使金属离子在所述刻蚀液中均匀分布，得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，其中，刻蚀时间为预设时间，所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液，且所述刻蚀液中配入所述金属离子。

【技术特征摘要】
1.一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法，其特征在于，包括：将单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀，且对所述刻蚀液进行分散，以使金属离子在所述刻蚀液中均匀分布，得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片，其中，刻蚀时间为预设时间，所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液，且所述刻蚀液中配入所述金属离子。2.如权利要求1所述的制备单晶硅倒金字塔绒面的方法，其特征在于，所述预设时间取值范围为10min-30min，包括端点值。3.如权利要求1所述的制备单晶硅倒金字塔绒面的方法，其特征在于，所述对所述刻蚀液进行分散包括：对所述刻蚀液进行超声波分散或者向所述刻蚀液中通入气体。4.如权利要求3所述的制备单晶硅倒金字塔绒面的方法，其特征在于，当对所述刻蚀液进行超声波分散时，分散时间为10min-30min，包括端点值。5.如权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张敏敏，福克斯·斯蒂芬，任朋，陈彭，黄彪辉，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33