一种用N-吡咯烷基丙烯酰胺制备钴(II)离子印迹复合膜的方法技术

本发明专利技术公开一种用N‑吡咯烷基丙烯酰胺制备钴(II)离子印迹复合膜的方法，属于膜材料科学技术领域。该方法将金属离子印迹技术和膜分离技术相结合，无需研磨或过筛等复杂操作，可对特异性识别位点进行保护。克服了现行钴离子印迹聚合物制备过程繁琐，洗脱时间长等缺点。本发明专利技术所述方法基于金属离子与含N、O等杂原子的化合物之间能产生较好螯合作用的原理，以N‑吡咯烷基丙烯酰胺为功能单体，钴(II)为模板离子，商品膜为载体，制备得到的钴(II)离子印迹复合膜Co(II)‑MICM具有性能稳定，吸附量大等特点。

A Method for Preparing Co(II) Ion Imprinted Composite Membranes with N-Pyrrolyl Alkyl Acrylamide

The invention discloses a method for preparing cobalt (II) ion imprinted composite film with N pyrrole alkyl acrylamide, which belongs to the field of membrane material science and technology. This method combines metal ion imprinting technology with membrane separation technology, and can protect specific recognition sites without complex operations such as grinding or screening. It overcomes the shortcomings of tedious preparation process and long elution time of cobalt ion imprinted polymer. The method is based on the principle that metal ions can produce better chelation with compounds containing N, O and other heteroatoms. The cobalt (II) ion imprinted composite film Co (II)MICM prepared by using N_pyrrole alkyl acrylamide as functional monomer, cobalt (II) as template ion and commercial membrane as carrier has the characteristics of stable performance and large adsorption capacity.

【技术实现步骤摘要】
一种用N-吡咯烷基丙烯酰胺制备钴(II)离子印迹复合膜的方法
本专利技术涉及一种用N-吡咯烷基丙烯酰胺制备钴(II)离子印迹复合膜的方法，属于膜材料科学

技术介绍
钴(Co)元素位于化学元素周期表的第四周期、第Ⅷ主族，因其独特的物理和化学性质被广泛用于金属材料冶炼加工，采矿，军工武器制造，电镀等工业。随着人类频繁的生产活动，大量的钴被排放到水体和土壤中，导致江河湖泊的水污染问题极其严重，排放的大量钴已经超出自然环境的自我净化能力。目前，处理污水中钴离子常用的方法有混凝法、吸附法、离子交换法、电解法、生物吸附法等。这些方法应用于处理含钴离子废水方面的研究十分的广泛，但这些处理方法均存在着一些不足，如耗时较长、能耗高、费用大、工艺复杂和易造成二次污染等缺点。因此，需要寻找一种选择性好、效率高的处理方法。离子印迹技术(Ion-imprintingTechnique，IIT)作为分子印迹技术的一个重要发展方向，它可以很好的实现金属离子的识别与分离。其以阴、阳离子为模板，利用目标离子与功能单体特异性的相互作用，再加上交联剂和引发剂反应聚合，最后去除模板离子，得到对目标离子具有特异性吸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用N‑吡咯烷基丙烯酰胺制备钴(II)离子印迹复合膜的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）将钴(II)离子完全溶解在致孔剂中，加入N‑吡咯烷基丙烯酰胺振荡2～3h，加入交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯和引发剂偶氮二异丁腈，摇匀，超声5～10min，形成预聚合溶液；所述钴(II)离子、N‑吡咯烷基丙烯酰胺、乙二醇二甲基丙烯酸酯摩尔比为1:(2～8):(10～50)；（2）将基膜置于步骤（1）得到的预聚合溶液中，常温浸泡3~30min，最后50~70℃反应12~24h，形成钴离子印迹复合膜也就是Co(II)‑MICM；（3）将步骤（2）得到的钴离子印迹复合膜Co(II)‑MICM用体积比为9...

【技术特征摘要】
1.一种用N-吡咯烷基丙烯酰胺制备钴(II)离子印迹复合膜的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）将钴(II)离子完全溶解在致孔剂中，加入N-吡咯烷基丙烯酰胺振荡2～3h，加入交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯和引发剂偶氮二异丁腈，摇匀，超声5～10min，形成预聚合溶液；所述钴(II)离子、N-吡咯烷基丙烯酰胺、乙二醇二甲基丙烯酸酯摩尔比为1:(2～8):(10～50)；（2）将基膜置于步骤（1）得到的预聚合溶液中，常温浸泡3~30min，最后50~70℃反应12~24h，形成钴离子印迹复合膜也就是Co(II)-MICM；（3）将步骤（2）得到的钴离子印迹复合膜Co(II)-MICM用体积比为9:1的甲醇和醋酸混合溶液洗脱模板离子，再用甲醇洗至中...

【专利技术属性】
技术研发人员：成会玲，胡德琼，刘迎梅，字富庭，陈树梁，陈云龙，胡显智，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：云南,53