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本发明公开一种用N‑吡咯烷基丙烯酰胺制备钴(II)离子印迹复合膜的方法，属于膜材料科学技术领域。该方法将金属离子印迹技术和膜分离技术相结合，无需研磨或过筛等复杂操作，可对特异性识别位点进行保护。克服了现行钴离子印迹聚合物制备过程繁琐，洗脱时...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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