The invention discloses an LDPC decoding method suitable for MLC NAND flash memory, which includes: (1) determining the type of page to which the decoded data belongs, then transferring to step (2); otherwise, transferring to step (3); (2) treating the decoded data with LDPC decoding and preserving the decoding result; (3) obtaining the decoded low-page data in the same unit, and according to the obtained low-page data. Data and data to be decoded determine the threshold voltage range of the storage unit; calculate the logarithmic likelihood ratio according to the determined threshold voltage range; decode the decoded data with the calculated logarithmic likelihood ratio as input; decode the decoded data with LDPC; end the decoding. The invention can improve the decoding success rate and reduce the number of decoding iterations so as to reduce the decoding delay and improve the flash memory reading performance.
【技术实现步骤摘要】
一种适用于MLCNAN闪存的LDPC码译码方法
本专利技术属于计算机存储纠错
,更具体地,涉及一种适用于NANDMLC闪存的LDPC码译码方法。
技术介绍
NAND闪存是一种非易失性存储介质,基于其存储密度高、单位成本低、读写速度快等优点,NAND闪存已经成为存储领域的应用主流。但是随着闪存工艺尺寸的缩小和存储密度的增加,NAND闪存的误码率也不断增高,相比于传统的BCH码,LDPC码在高噪声下依然具有强大的纠错能力,因而LDPC码越来越广泛地应用于NAND闪存中。然而,LDPC码在数据读写的过程中会带来额外的读写延迟,从而降低NAND闪存的性能。MLCNAND闪存中,一个存储单元存储两位数据,这两位属于不同的数据页,分别是高页和低页,根据存储单元阈值电压的大小,存储单元被分为四个状态,并且这四个状态被编码为对应的数据“11”、“10”、“00”和“01”左边的是低页数据,右边的是高页数据。外围电路需要借助于一系列读参考电压确定存储单元存储的数据,将存储阈值电压和读参考电压比较大小就可以确定存储单元中的数据。闪存中的存储单元受到噪声的干扰后,阈值电压会发生变化,相邻的两个状态的阈值电压分布会发生重叠,使得读取出来的数据出现错误。MLCNAND闪存受到干扰后的阈值电压模型如图1所示,实线代表的电压值VERF1、VREF2和VREF3为默认的读参考电压,虚线代表的电压值为可改变的读参考电压。现有的LDPC码译码方法如图2所示,使用默认的三个读参考电压可以得到阈值电压的范围,读出数据后可使用LDPC硬判决译码。如果相邻状态的阈值电压分布发生重叠,会读出错误 ...
【技术保护点】
1.一种适用于MLC NAND闪存的LDPC码译码方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)确定待译码数据所属页的类型,若为低页,则转入步骤(2);否则,转入步骤(3);(2)对所述待译码数据进行LDPC码译码,并保存译码结果;译码结束;(3)获得同一单元中译码后的低页数据,并根据所述低页数据对所述待译码数据进行LDPC码译码;译码结束。
【技术特征摘要】
1.一种适用于MLCNAND闪存的LDPC码译码方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)确定待译码数据所属页的类型,若为低页,则转入步骤(2);否则,转入步骤(3);(2)对所述待译码数据进行LDPC码译码,并保存译码结果;译码结束;(3)获得同一单元中译码后的低页数据,并根据所述低页数据对所述待译码数据进行LDPC码译码;译码结束。2.如权利要求1所述的适用于MLCNAND闪存的LDPC码译码方法,其特征在于,其特征在于,所述步骤(3)包括:根据所述低页数据和所述待译码数据确定存储单元的阈值电压范围;根据所述阈值电压范围计算对数似然比;以所述对数似然比为译码输入,对所述待译码数据进行LDPC码译码。3.如权利要求2所述的适用于MLCNAND闪存的LDPC码译码方法,其特征在于,若所述低页数据为“1”且在译码前后没有翻转,并且所述待译码数据为“1”,则所述阈值电压范围为(-∞,VREF1],且所述对数似然比为:若所述低页数...
【专利技术属性】
技术研发人员:童薇,刘景宁,冯丹,赵雨桐,覃鸿巍,赵威,
申请(专利权)人:华中科技大学,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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