A cleaning device which provides cleaning fluid to the surface of a rotating semiconductor wafer and other substrates while cleaning the substrates improves the cleaning degree by making the cleaning fluid flow in the whole radius of the substrates. The cleaning device consists of a plurality of spindles (51) which keep the central axis of the substrate (W) as a rotating axis and rotate the substrate (W); a single nozzle (41) which discharges the cleaning liquid (L) towards the upper surface of the substrate (W); a single nozzle (41) which lands near the center (O) of the substrate W with the cleaning liquid (L), and a falling cleaning liquid (L) discharges from the upper surface of the substrate (W) in a way that flows towards the center of the substrate (W). Cleaning fluid (L). The cleaning liquid (L) discharged from the single nozzle (41) flows behind the upper surface of the substrate (W) through the center (O) of the substrate (W).
【技术实现步骤摘要】
清洗装置本专利技术申请是申请日为2015年04月01日、申请号为201510151490.X、专利技术名称为“清洗装置及清洗方法”的专利技术申请的分案申请。
本专利技术涉及一边向旋转的半导体晶片等衬底的表面提供清洗液一边清洗衬底的清洗装置以及清洗方法。
技术介绍
在半导体晶片等衬底的制造过程中，包含对形成于衬底上的金属等的膜进行研磨的研磨工序，在该研磨工序之后，进行用于除去作为研磨屑的微小颗粒物的清洗。例如，在用金属填埋形成于衬底表面的绝缘膜内的布线槽而形成布线的镶嵌(damascene)布线形成工序中，在形成镶嵌布线后通过化学机械研磨(CMP：ChemicalMechanicalPolishing)而除去衬底表面的多余的金属。在CMP后的衬底表面上，由于存在CMP所使用的浆料的残渣(浆料残渣)和金属研磨屑等的颗粒物(缺陷(defect))，所以需要通过清洗除去它们。若由于衬底表面的清洗不充分而在衬底表面残留了残渣物，则会从衬底表面的残留有残渣物的部分产生泄露(1eak)、成为紧贴性不良的原因等在可靠性方面成为问题。因此，需要以较高清洗度清洗露出了金属膜、阻挡膜、...
【技术保护点】
1.一种清洗装置，其特征在于，具有：臂；被支承于所述臂的前端、通过所述臂的转动而在从所述衬底的中心到外周范围内移动的双流体喷射喷嘴；以及臂上清洗液提供喷嘴，该臂上清洗液提供喷嘴设于所述臂，在所述双流体喷射喷嘴的附近向所述衬底的上表面提供清洗液。
【技术特征摘要】
2014.04.01 JP 2014-075712;2015.03.04 JP 2015-042861.一种清洗装置，其特征在于，具有：臂；被支承于所述臂的前端、通过所述臂的转动而在从所述衬底的中心到外周范围内移动的双流体喷射喷嘴；以及臂上清洗液提供喷嘴，该臂上清洗液提供喷嘴设于所述臂，在所述双流体喷射喷嘴的附近向所述衬底的上表面提供清洗液。2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述臂上清洗液提供喷嘴...
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