【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光装置
本公开涉及激光装置。
技术介绍
随着半导体集成电路的微细化、高集成化,在半导体曝光装置中要求分辨率的提高。下面,将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此,正在推进从曝光用光源输出的光的短波长化。在曝光用光源中,代替现有的水银灯而使用气体激光装置。当前,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。作为当前的曝光技术,如下的液浸曝光已经实用化:利用液体填满曝光装置侧的投影透镜与晶片之间的间隙,改变该间隙的折射率,由此使曝光用光源的外观波长变短。在使用ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下,对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称为ArF液浸蚀刻。KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡中的光谱线宽度较宽,大约为350~400pm,因此,通过曝光装置侧的投影透镜缩小地投影到晶片上的激光(紫外线光)产生色差,分辨率降低。因此,需要对从气体激光装置输出的激光的光谱线宽度进行窄带化,直到成为能够忽略色差的程度为止。光谱线宽度也被称为光谱宽度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件的窄带化光学系统(LineNarrowModule),通过该窄带化光学系统实现光谱宽度的窄带化。另外,窄带化元件可以是标准具或光栅等。将这样对光谱宽度进行窄带化而得到的激光装置称为窄带化激光装置。现有技术文献专利文献专利文献1:美国专利申请公开2006/0239322号说明书专利文献2:日本特开2002-20874 ...
【技术保护点】
1.一种激光装置,其中,所述激光装置具有:腔室,其在内部配置有一对放电电极;气体供给排放装置,其向所述腔室的内部供给激光气体,并排放所述腔室的内部的激光气体;以及控制部,其构成为进行第1控制和第2控制,在该第1控制中,对所述气体供给排放装置进行控制,以按照第1射数或按照第1经过时间,停止激光振荡来更换所述腔室内的激光气体,在该第2控制中,对所述气体供给排放装置进行控制,以在所述第1控制之前,按照比所述第1射数少的第2射数或按照比所述第1经过时间短的第2经过时间,停止所述激光振荡来更换所述腔室内的激光气体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光装置,其中,所述激光装置具有:腔室,其在内部配置有一对放电电极;气体供给排放装置,其向所述腔室的内部供给激光气体,并排放所述腔室的内部的激光气体;以及控制部,其构成为进行第1控制和第2控制,在该第1控制中,对所述气体供给排放装置进行控制,以按照第1射数或按照第1经过时间,停止激光振荡来更换所述腔室内的激光气体,在该第2控制中,对所述气体供给排放装置进行控制,以在所述第1控制之前,按照比所述第1射数少的第2射数或按照比所述第1经过时间短的第2经过时间,停止所述激光振荡来更换所述腔室内的激光气体。2.根据权利要求1所述的激光装置,其中,所述控制部在所述腔室更换后,进行规定次数的所述第2控制,然后,进行所述第1控制。3.根据权利要求2所述的激光装置,其中,所述规定次数为1次以上且28次以下。4.根据权利要求1所述的激光装置,其中,所述第1射数为86×100万次以上且500×100万次以下,所述第2射数为14×100万次以上且86×100万次以下。5.根据权利要求1所述的激光装置,其中,所述第1经过时间为72小时以上且500小时以下,所述第2经过时间为12小时以上且72小时以下。6.一种激光装置,其中,所述激光装置具有:腔室,其在内部配置有一对放电电极;气体供给排放装置,其向所述腔室的内部供给激光气体,并排放所述腔室的内部的激光气体;压力传感器,其用于计测所述腔室的内部的气压;以及控制部,其构成为进行第1控制和第2控制,在该第1控制中,对所述气体供给排放装置进行控制,以按照第1射数或按照第1经过时间,停止激光振荡来更换所述腔室内的激光气体,在该第2控制中,对所述气体供给排放装置进行控制,以在所述第1控制之前,在所述腔室的内部的气压达到第1规定气压的情况下,停止所述激光振荡来更换所述腔室内的激光气体。7.根据权利要求6所述的激光装置,其中,所述控制部在所述腔室的内部的气压达到所述第1规定气压之前达到了第1射数的情况下,进行所述第1控制。8.根据权利要求7所述的激光装置,其中,所述第1射数为86×100万次以上且500×100万次以下。9.根据权利要求6所述的激光装置,其中,所述控制部在所述腔室的内部的气压达到所述第1规定气压之前经过了所述第1经过时间的情况下,进行所述第1控制。10.根据权利要求9所述的激光装置,其中,所述第1经过时间为72小时以上且500小时以下。11.根据权利要求6所述的激光装置,其中,所述控制部构成为,在所述腔室内的气压达到比所述第1规定气压大的第2规定气压的情况下,停止所述气体供给排放装置向所述腔室的内部供给激光气体,所述第1规定气压为所述第2规定气压的90%以上且99%以下...
【专利技术属性】
技术研发人员:浅山武志,增田浩幸,
申请(专利权)人:极光先进雷射株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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