在流体组装中提供不对称稳定性的二极管制造技术

实施例涉及用于流体组装的系统和方法，且尤其涉及用于确保元件相对基板沉积的系统和方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在流体组装中提供不对称稳定性的二极管
实施例涉及用于流体组装的系统和方法，且尤其涉及用于确保元件相对基板沉积的系统和方法。
技术介绍
LED显示器、LED显示器组件和阵列LED装置包括在显示器或装置的表面上的限定位置处形成或放置的大量二极管。形成或放置如此大量的二极管通常导致低产量或许多缺陷，这降低了显示器或装置制造工艺的产量。一些提高生产能力和产量的方法包括每个像素增加额外的二极管以提供足够的冗余以确保每个像素至少足够数量的二极管被适当地形成。这种类型的方法提供了增加的产量，但没有每个像素添加大量冗余二极管，则显示器产量通常仍然低于期望值。显示器内任何低于百分之百的产量在对利润的影响和对制造产量的影响方面都是昂贵的。因此，至少出于上述原因，本领域需要用于制造LED显示器、LED显示器元件和LED装置的先进系统和方法。
技术实现思路
实施例涉及用于流体组装的系统和方法，且尤其涉及用于确保元件相对基板沉积的系统和方法。该
技术实现思路
仅提供了本专利技术的一些实施例的概述。短语“在一个实施例中”、“根据一个实施例”、“在各种实施例中”、“在一个或多个实施例中”、“在特定实施例中”等通常表示短语之后的特定特征、结构或特性被包含在本专利技术的至少一个实施例中，且可被包括在本专利技术的一个以上的实施例中。重要的是，这些短语不一定指同一实施例。从以下详细说明、所附权利要求和附图中，本专利技术的许多其他实施例将变得更加清晰。附图说明通过参考在说明书的其余部分中描述的附图，可以实现对本专利技术的各种实施例的进一步理解。在附图中，相同的附图标号被使用在若干附图中以指代类似的部件。在一些情况下，由小写字母组成的子标签与附图标号相关联以表示多个类似部件中的一个。当参考附图标号而没有指定现有的子标签时，其旨在指代所有这样的多个类似部件。图1描绘了根据本专利技术的一个或多个实施例的能够相对于基板表面移动由载液和多个柱增强二极管组成的悬浮液的流体组装系统。图2a-2e示出了根据本专利技术实施例的包括具有多个井的基板的显示器的一部分，每个井填充有相应的柱增强二极管。图3a-3d示出了根据本专利技术一些实施例的包括一个井的显示器的一部分，该井中能够沉积柱增强二极管。图4a-4d示出了根据本专利技术的其他实施例的包括通孔井的显示器的一部分，该通孔中能够沉积柱增强二极管。图5a-5d示出了根据本专利技术一个或多个实施例的包括同心凹槽井的显示器的一部分，该同心凹槽井中可能够沉积柱增强二极管。图6a-6b是根据本专利技术其他实施例的交替的凹槽图案的俯视图。图7是描绘根据本专利技术一些实施例的用于形成柱增强二极管的方法的流程图。图8-9是根据本专利技术各种实施例的示出了用于沉积或放置柱增强二极管至基底井中的方法的流程图。具体实施方式实施例涉及用于流体组装的系统和方法，且尤其涉及用于确保元件相对基板沉积的系统和方法。本专利技术的各种实施例提供了包括基板和悬浮液的流体组装系统。基板包括多个井，且悬浮液包括载液和多个柱增强二极管，每个柱增强二极管包括从二极管结构的顶表面延伸的柱。在前述实施例的一些例子中，该系统还包括可操作的在基板上移动悬浮液的悬浮液移动装置，使得多个柱增强二极管的一部分沉积在所述多个井中的相应井中。在前述实施例的各种例子中，柱增强二极管的二极管结构包括：至少部分地由第一导电材料形成的顶表面；至少部分地由第二导电材料形成的平面的底表面；用于将电荷传导至所述第一导电材料的第一电触点；以及用于将电荷传导至所述第二导电材料的第二电触点。在前述实施例的一个或多个例子中，所述多个井中的每一个包括从相应井的底部延伸贯穿所述基板的通孔。在一些这样的情况下，所述柱的基本平行于二极管结构的顶表面的表面的宽度大于通孔的宽度。在其他这样的情况下，通孔偏离相应井的基本上圆形的底部的中心。在前述实施例的一些情况下，所述底表面的最大宽度小于所述多个井中的每一个的最大宽度。在前述实施例的各种情况下，电触点形成在所述多个井中的每一个的内表面上。在前述实施例的一些实例中，所述柱朝远离所述基板延伸的所述多个柱增强二极管中的每一个的取向为非倒置取向，其中所述柱朝向所述基板延伸的所述多个柱增强二极管中的每一个的取向为倒置取向，且其中沉积在相应井中的所述多个柱增强二极管中的一个在非倒置取向中比在倒置取向中更加机械稳定。在前述实施例的一个或多个例子中，所述柱朝远离所述基板延伸的所述多个柱增强二极管中的每一个的取向为非倒置取向，所述柱朝向所述基板延伸的所述多个柱增强二极管中的每一个的取向为倒置取向，且与所述基板的表面接触的所述多个柱增强二极管中的一个的取向在非倒置取向上比在倒置取向中更加机械稳定。在前述实施例的一些情况下，所述柱朝远离所述基板延伸的所述多个柱增强二极管中的每一个的取向为非倒置取向，其中所述柱朝向所述基板延伸的所述多个柱增强二极管中的每一个的取向为倒置取向，且所述基板还包括：至少一个凹槽，所述凹槽被配置成使得经过所述凹槽的所述多个柱增强二极管中的一个在非倒置方向上比在倒置方向上更加机械稳定。在一些例子中，所述凹槽延伸到所述基板中，且所述凹槽的前边缘具有大于后边缘的斜度，且将悬浮液在基板上移动时，一个所述柱增强二极管在跨越所述前边缘之前跨越所述后边缘。在各种这样的例子中，所述凹槽进入所述基板的深度小于从所述二极管结构的所述顶表面的边缘到所述柱的边缘的距离。在一个或以上的例子中，所述凹槽在所述基板表面处的宽度小于从所述二极管结构的所述顶表面的边缘到所述柱的边缘的距离。本专利技术的其他实施例提供了柱增强二极管。这种柱增强二极管包括：至少部分地由第一导电材料形成的平面的顶表面；至少部分地由第二导电材料形成的平面的底表面；从所述顶表面延伸的柱；用于将电荷传导至所述第一导电材料的第一电触点；以及用于将电荷传导至所述第二导电材料的第二电触点。在前述实施例的一些例子中，所述顶表面具有一第一最大宽度，所述柱的基本平行于所述顶表面的表面具有一第二最大宽度，且其中所述第一最大宽度是所述第二最大宽度的至少两倍。在前述实施例的一些例子中，所述柱的高度自所述顶表面至所述柱的基本平行于所述顶表面的表面被测量，且所述二极管的厚度自所述顶表面与所述底表面被测量。在一些例子中，所述厚度与高度比在1：0.6到1：4的范围内。在前述实施例的一个或多个例子中，所述顶表面具有一最大宽度，且所述二极管的厚度自所述顶表面与所述底表面被测量。在一些例子中，最大宽度与厚度的纵横比在5：1至50：1的范围内。在前述实施例的一些例子中，所述柱为所述第一电触点。在前述实施例的各种例子中，所述柱由绝缘材料制成。在一些例子中，所述顶表面为圆形的形状，而在其他例子中，所述顶表面为椭圆的形状。在特定的情况下，所述顶表面为六边形的形状，，六边形的每个刻面的宽度足够小，以允许所述顶表面安装在给定的井中。在前述实施例的各种例子中，所述柱的基本平行于所述顶表面的表面具有从圆形的形状，而在其他例子中，其为椭圆的形状。在前述实施例的一个或以上例子中，所述柱由第三导电材料制成，在一些例子中，其与所述第一导电材料相同。在一些例子中，所述第一导电材料为p掺杂的半导体材料，且所述第二导电材料为n掺杂的半导体材料。在一些情况下，所述柱可具有圆形的顶表面或具有复杂曲率的表面，且在其他情况下，其可具有基本平坦本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种流体组装系统，该系统包括：包括多个井的基板；以及包括载液和多个柱增强二极管的悬浮液，每个柱增强二极管包括从二极管结构的顶表面延伸的柱。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.23 US 15/1908131.一种流体组装系统，该系统包括：包括多个井的基板；以及包括载液和多个柱增强二极管的悬浮液，每个柱增强二极管包括从二极管结构的顶表面延伸的柱。2.如权利要求1所述的流体组装系统，其特征在于：所述系统还包括：可操作的在所述基板上移动所述悬浮液的悬浮液移动装置，以使得所述多个柱增强二极管的一部分沉积在所述多个井中的相应井中。3.如权利要求1所述的流体组装系统，其特征在于：所述柱增强二极管的所述二极管结构包括：至少部分地由第一导电材料形成的顶表面；至少部分地由第二导电材料形成的平面的底表面；用于将电荷传导至第一导电材料的第一电触点；以及用于将电荷传导至第二导电材料的第二电触点。4.如权利要求1所述的流体组装系统，其特征在于：所述多个井中的每一个包括自所述相应井的底部延伸贯穿所述基板的通孔，且其中所述柱的表面基本平行于所述二极管结构的顶表面，其所述柱的表面宽度大于所述通孔的宽度。5.如权利要求1所述的流体组装系统，其特征在于：所述多个井中的每一个包括自所述相应井的底部延伸贯穿所述基板的通孔，且其中所述通孔偏离所述对应井的圆形底部的中心。6.如权利要求1所述的流体组装系统，其特征在于：所述二极管结构包括底表面，且其中所述底表面的最大宽度小于所述多个井中的每一个的最大宽度。7.如权利要求1所述的流体组装系统，其特征在于：电触点形成在所述多个井中的每一个的内表面上。8.如权利要求1所述的流体组装系统，其特征在于：在所述多个柱增强二极管中，倘若其中所述柱朝远离所述基板延伸，则每一个柱增强二极管的取向为非倒置取向，倘若其中所述柱朝向所述基板延伸，则每一个柱增强二极管的取向为倒置取向，且其中非倒置取向的柱增强二极管沉积在相应井中比倒置取向的柱增强二极管沉积在相应井中更加机械稳定。9.如权利要求1所述的流体组装系统，其特征在于：在所述多个柱增强二极管中，倘若其中所述柱朝远离所述基板延伸，则每一个柱增强二极管的取向为非倒置取向，倘若其中所述柱朝向所述基板延伸，则每一个柱增强二极管的取向为倒置取向，且与所述基板的表面接触的所述柱增强二极管中的一个在非倒置取向比在倒置取向更加机械稳定。10.如权利要求1所述的流体组装系统，其特征在于：在所述多个柱增强二极管中，倘若其中所述柱朝远离所述基板延伸的方向，则每一个柱增强二极管的取向为非倒置取向，倘若其中所述柱朝向所述基板延伸的方向，则每一个柱增强二极管的取向为倒置取向，且其中所述基板还包括：至少一个凹槽，所述凹槽被配置成使得经过所述凹槽的多个柱增强二极管，其中非倒置方向柱增强二极管比倒置方向柱增强二极管更加机械稳定。11.如权利要求10所述的流体组装系统，其特征在于：所述凹槽延伸到所述基板中，且所述凹槽的前边缘具有大于后边缘的斜度，且其中将悬浮液在基板上移动时，一个所述柱增强二极管在跨越所述前边缘之前跨越所述后边缘。12.如权利要求10所述的流体组装系统，其特征在于：所述凹槽进入所述基板的深度小于从所述二极管结构的所述顶表面的边缘到所述柱的边缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：保罗·约翰·舒勒，大卫·罗伯特·海涅，马克·艾伯特·克劳德尔，肖恩·马修·加纳，战长青，阿维纳什图卡拉姆·欣德，健司亚历山大·佐佐木，库尔特·迈克尔·乌尔默，
申请(专利权)人：伊乐视有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US