【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于机动车辆的转向机构的电动机的MOSFET死区时间优化本专利技术涉及根据权利要求1的前序部分的用于优化机动车辆的转向机构中的电动机的电动机控制器的逆变器中的MOSFET的死区时间(deadtime)的方法以及根据权利要求13的前序部分的用于辅助机动车辆的转向的机电式机动车辆动力转向机构。在电力转向设备中，通过根据由驾驶员施加至方向盘的转向扭矩驱动电动机来将转向辅助力施加至转向机构。具有逆变器的电子控制单元(电动机控制器)控制电动机。逆变器为电动机提供正弦电动机参数(电流、电压、磁通量)以生成扭矩。逆变器包括总共六个MOSFET，其中对于三个相绕组中的每一个分别具有低侧MOSFET和高侧MOSFET。每个MOSFET将指定的相绕组U、V、W切换至车载车辆电源电压或地电位。这在高频率下发生使得在相绕组U、V、W中在时间上的平均值用作有效电压。MOSFET具有从接收到接通或关断栅极驱动信号到启动其开关动作的固有的延迟时间间隔。如果高侧MOSFET与低侧MOSFET之间的延迟时间不足以长到考虑与开关相关的延迟和瞬变，则对于MOSFET的控制信号交叠并且发生交叉导通，这导致...
【技术保护点】
1.一种用于机动车辆的机电式机动车辆动力转向机构或线控转向系统中的电动机(9)的电动机控制器(10)的逆变器(13)中的MOSFET(14，14'，14”)的死区时间优化的方法，其中，所述逆变器(13)包括至少两个MOSFET(14，14'，14”)：高侧MOSFET(14')和低侧MOSFET(14”)，并且其中，所述电动机控制器(10)利用具有至少一个或更多个死区时间(Td1，Td2)的栅极驱动器信号来控制所述至少两个MOSFET(14，14'，14”)，所述死区时间(Td1，Td2)表示所述MOSFET(14，14'，14”)的用于从一个MOSFET(14，14'，1...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于机动车辆的机电式机动车辆动力转向机构或线控转向系统中的电动机(9)的电动机控制器(10)的逆变器(13)中的MOSFET(14，14'，14”)的死区时间优化的方法，其中，所述逆变器(13)包括至少两个MOSFET(14，14'，14”)：高侧MOSFET(14')和低侧MOSFET(14”)，并且其中，所述电动机控制器(10)利用具有至少一个或更多个死区时间(Td1，Td2)的栅极驱动器信号来控制所述至少两个MOSFET(14，14'，14”)，所述死区时间(Td1，Td2)表示所述MOSFET(14，14'，14”)的用于从一个MOSFET(14，14'，14”)切换至串联连接的另一个MOSFET(14，14'，14”)的时间，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在电流测量单元(15)中测量高侧MOSFET(14')与低侧MOSFET(14”)之间的交叉导通；如果交叉导通(IS)发生，则增加所述死区时间(Td1，Td2)；否则减少所述死区时间(Td1，Td2)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：在初始化处和/或在重启之后，将所述至少一个死区时间(Td1，Td2)设置为最大值。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述至少一个死区时间(Td1，Td2)在在模拟中获得的最大值与最小值的范围内变化。4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：提供脉宽调制(PWM)参考信号(21)；由所述PWM参考信号(21)触发利用所述电流测量单元(15)检测交叉导通(IS)。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述检测在所述PWM参考信号(21)改变之后的预定时间间隔(T1)之后发生。6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，针对每一对高侧MOSFET(14')和低侧MOSFET(14”)单独地优化所述死区时间(Td1，Td2)。7.根据前述权利要求1至5中的任一项所述的方法，其特征在于，针对所有MOSFET(14，14'，14”)同时地优化所述死区时间(Td1，Td2)。8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述高侧MOSFET(14')和所述低侧MOSFET(14”)的死区时间(Td1，Td2)相同。9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：加博尔·欧尔道希，
申请(专利权)人：蒂森克虏伯普利斯坦股份公司，蒂森克虏伯股份公司，
类型：发明
国别省市：列支敦士登,LI
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