固态成像元件和电子装置制造方法及图纸

本公开涉及一种固态成像元件和电子装置，利用其可以改善对于具有长波长的光的灵敏度。根据本公开的第一方面的固态成像元件包括设置在硅层中的光检测元件；在所述硅层的第一表面上的第一凹凸图案，所述第一表面是光接收面；和设置在所述硅层下面的互连层，所述光检测元件设置在第一隔离结构件和第二隔离结构件之间，并且所述第一凹凸图案具有倒金字塔形状。本公开可应用于安装在要求对属于例如红外光的高波长区域的光高灵敏度的传感器上的CMOS等。

【技术实现步骤摘要】
固态成像元件和电子装置本申请是申请日为2015年5月29日、专利技术名称为“固态成像元件和电子装置”的申请号为201580029430.9专利申请的分案申请。
本公开涉及一种固态成像元件和电子装置，并且具体地涉及对于长波长侧(诸如，红外线区)的光的光接收灵敏度改善的固态成像元件和电子装置。
技术介绍
迄今为止，CMOS固态成像元件和CCD已称为二维固态成像元件，并且单晶硅(Si)通常用于执行光电转换的这些元件的光检测元件的光吸收层。Si是间接跃迁半导体并具有1.1eV的带隙，并且因此对大约1.1um(毫米)的可见光波长至近红外波长具有敏感度。然而，由于光吸收系数的波长依赖性，每单位厚度的光吸收效率随着波长变长而变小。例如，在其中Si层(作为光吸收层)的厚度为3um的固态成像元件的情况下，在650nm的波长处光吸收效率为大约60％至70％，然而，在900nm的波长处，光吸收效率仅为约10％至20％并且大部分光子传输通过Si层。因此，当试图获得对于红至红外线区中的光具有高灵敏度的固态成像元件时，增加Si层的厚度已知为有效的方法。然而，增加Si层的厚度具有高度的制造困难，诸如，为了获得期望本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固态成像元件，其包括：设置在硅层中的光检测元件；在所述硅层的第一表面上的第一凹凸图案，所述第一表面是光接收面；和设置在所述硅层下面的互连层，其中，所述光检测元件设置在第一隔离结构件和第二隔离结构件之间，以及其中，所述第一凹凸图案具有倒金字塔形状。

【技术特征摘要】
2014.06.11 JP 2014-1202051.一种固态成像元件，其包括：设置在硅层中的光检测元件；在所述硅层的第一表面上的第一凹凸图案，所述第一表面是光接收面；和设置在所述硅层下面的互连层，其中，所述光检测元件设置在第一隔离结构件和第二隔离结构件之间，以及其中，所述第一凹凸图案具有倒金字塔形状。2.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，所述硅层由单晶Si制成。3.根据权利要求2所述的固态成像元件，其中，所述光检测元件检测红外光。4.根据权利要求2所述的固态成像元件，进一步包括：在所述硅层的与所述第一表面相对的第二表面上的第二凹凸图案。5.根据权利要求4所述的固态成像元件，其中，在所述第一表面上的所述第一凹凸图案的周期和在所述第二表面上的所述第二凹凸图案的周期根据待感测的光的波长而改变。6.根据权利要求4所述的固态成像元件，其中，所述第一凹凸图案和所述第二凹凸图案是一维或者二维的。7.根据权利要求2所述的固态成像元件，其中，所述第一表面和所述第二表面的第一晶面是(100)，并且其中所述第一凹凸图案的壁表面的第二晶面是(111)。8.根据权利要求2所述的固态成像元件，其中，所述第一凹凸图案的周期是1um以下。9.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，所述第一隔离结构件...

【专利技术属性】
技术研发人员：横川创造，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP