去除晶圆表面蓝膜的辅助设备及方法技术

本发明专利技术提供了一种去除晶圆表面蓝膜的辅助设备及方法，属于晶圆制造技术领域，去除晶圆表面蓝膜的辅助设备包括真空发生器、承片台、紫外灯、控制器和压力传感器，承片台通过第一气体管道与真空发生器连接，用于吸附固定晶圆；紫外灯与承片台相对设置，用于照射晶圆表面的蓝膜；控制器分别与紫外灯和真空发生器电性连接，用于控制紫外灯和真空发生器的打开和关闭；压力传感器设置在第一气体管道上，与控制器电性连接，用于检测第一气体管道内的压力并反馈给控制器。本发明专利技术提供的去除晶圆表面蓝膜的辅助设备，紫外灯用于照射蓝膜来消弱蓝膜的粘性，降低了蓝膜与晶圆的分离难度，避免了去除蓝膜时对晶圆造成的破坏。

【技术实现步骤摘要】
去除晶圆表面蓝膜的辅助设备及方法
本专利技术属于晶圆制造
，更具体地说，是涉及一种去除晶圆表面蓝膜的辅助设备及方法。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的两面有很多的芯片和图形，一般采用湿法腐蚀工艺或电镀制得。在加工晶圆某一面的图形时，通常的做法是在晶圆的另一面粘贴一层蓝膜，用蓝膜把不需要加工的一面保护起来，使该面上的图形免于损伤。当加工结束后，需要将蓝膜去除，而蓝膜通常与晶圆表面粘贴比较紧密，这导致在去除蓝膜时，很容易损伤晶圆。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种去除晶圆表面蓝膜的辅助设备，以解决现有技术中存在的去除蓝膜时容易损坏晶圆的问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种去除晶圆表面蓝膜的辅助设备，包括：真空发生器；承片台，通过第一气体管道与所述真空发生器连接，用于吸附固定晶圆；紫外灯，与所述承片台相对设置，用于照射晶圆表面的蓝膜；控制器，分别与所述紫外灯和所述真空发生器电性连接，用于控制所述紫外灯和所述真空发生器的打开和关闭；压力传感器，设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.去除晶圆表面蓝膜的辅助设备，其特征在于，包括：真空发生器；承片台，通过第一气体管道与所述真空发生器连接，用于吸附固定晶圆；紫外灯，与所述承片台相对设置，用于照射晶圆表面的蓝膜；控制器，分别与所述紫外灯和所述真空发生器电性连接，用于控制所述紫外灯和所述真空发生器的打开和关闭；压力传感器，设置在所述第一气体管道上，与所述控制器电性连接，用于检测所述第一气体管道内的压力并反馈给所述控制器。

【技术特征摘要】
1.去除晶圆表面蓝膜的辅助设备，其特征在于，包括：真空发生器；承片台，通过第一气体管道与所述真空发生器连接，用于吸附固定晶圆；紫外灯，与所述承片台相对设置，用于照射晶圆表面的蓝膜；控制器，分别与所述紫外灯和所述真空发生器电性连接，用于控制所述紫外灯和所述真空发生器的打开和关闭；压力传感器，设置在所述第一气体管道上，与所述控制器电性连接，用于检测所述第一气体管道内的压力并反馈给所述控制器。2.如权利要求1所述的去除晶圆表面蓝膜的辅助设备，其特征在于，所述承片台上设有若干个与所述第一气体管道连通的真空吸孔。3.如权利要求2所述的去除晶圆表面蓝膜的辅助设备，其特征在于，所述真空吸孔包括分布在第一圆周上的用于吸附晶圆的第一真空吸孔，所述第一圆周的直径小于晶圆的直径。4.如权利要求3所述的去除晶圆表面蓝膜的辅助设备，其特征在于，所述真空吸孔还包括分布在第二圆周上的用于吸附晶圆的第二真空吸孔，所述第二圆周与所述第一圆周同心，所述第二圆周的直径介于所述第一圆周的直径和晶圆的直径之间。5.如权利要求4所述的去除晶圆表面蓝膜的辅助设备，其特征在于，所述承片台与所述紫外灯相对的一面设有用于容纳晶圆表面管芯的圆形槽，所述圆形槽与所述第二圆周同心...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝晓亮，曹健，王秀海，马培圣，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13